CH3-C2H3O分子激發(fā)態(tài)光譜特性研究,有機(jī)化學(xué)論文_第1頁(yè)
CH3-C2H3O分子激發(fā)態(tài)光譜特性研究,有機(jī)化學(xué)論文_第2頁(yè)
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CH3—C2H3O分子激發(fā)態(tài)光譜特性研究,有機(jī)化學(xué)論文摘要:采用密度泛函理論中的B3P86方式方法及含時(shí)密度泛函理論(TD-DFT)方式方法,在6-311++G(2df)基組水平上,計(jì)算環(huán)氧丙烷分子前10個(gè)激發(fā)態(tài)的激發(fā)能、波長(zhǎng)和振子強(qiáng)度,并研究外電場(chǎng)作用對(duì)環(huán)氧丙烷分子激發(fā)態(tài)的影響規(guī)律.結(jié)果表示清楚,隨著外電場(chǎng)強(qiáng)度的增大,激發(fā)能急劇減小,即外電場(chǎng)作用下的分子易激發(fā)和離解.本文關(guān)鍵詞語(yǔ):環(huán)氧丙烷;激發(fā)態(tài);電場(chǎng);含時(shí)密度泛函理論(TD-DFT);Abstract:Wecalculatedtheexcitationenergy,wavelengths,oscillatorstrengthofCH3C2H3OmoleculefromgroundstatetothefirsttendifferentexcitedstatesbyusingthemethodofdensityfunctionaltheoryB3P86andtime-dependentdensityfunctionaltheory(TD-DFT)atthebasissets6-311++G(2df),andinvestigatedtheexcitedstatesofCH3C2H3Omoleculeunderdifferentexternalelectricfields.TheresultsshowthattheexcitationenergiesofthefirsttenexcitedstatesofCH3C2H3Odecreasesharplywiththeincreaseoftheexternalelectricfield.Themoleculesareeasytobeexcitedanddissociatedundertheexternalelectricfield.Keyword:propyleneoxide;excitedstate;electricfield;time-dependentdensityfunctionaltheory(TD-DFT);有機(jī)物在外場(chǎng)作用下可使其物理性能發(fā)生改變,如化學(xué)鍵斷裂及生成新激發(fā)態(tài)等[1].環(huán)氧丙烷〔CH3C2H3O〕屬烷烴類,常溫下CH3C2H3O分散霧化性能較好,常用于火箭推進(jìn)劑材料.文獻(xiàn)[2,3,4,5]研究了環(huán)氧丙烷的化學(xué)反響機(jī)理;文獻(xiàn)[6,7,8]理論研究了壓力和濕度等條件對(duì)可燃?xì)怏w在密閉容器內(nèi)最小點(diǎn)火能的影響;文獻(xiàn)[9,10]利用激發(fā)態(tài)理論研究了丙酮等有機(jī)小分子的低激發(fā)態(tài)光譜性質(zhì)及外場(chǎng)作用下的分子構(gòu)造特性.但對(duì)外加電場(chǎng)誘導(dǎo)作用下CH3C2H3O分子光譜特性的理論研究當(dāng)前文獻(xiàn)報(bào)道較少,基于此,本文利用外電場(chǎng)模擬飛秒激光作用等外部誘導(dǎo)條件對(duì)CH3C2H3O分子激發(fā)態(tài)光譜特性進(jìn)行理論研究.1、理論和計(jì)算方式方法利用含時(shí)密度泛函理論〔TD-DFT〕方式方法可計(jì)算有機(jī)小分子的激發(fā)能,且在Hamilton量計(jì)算中具體表現(xiàn)出了電場(chǎng)作用[11,12].采用密度泛函理論〔DFT〕方式方法,在不同基組水平上優(yōu)化CH3C2H3O分子幾何基本構(gòu)型,并在這里基礎(chǔ)上選擇最佳方式方法.計(jì)算結(jié)果表示清楚,由B3P86/6-311++G(2df〕方式方法和基組優(yōu)化得到的數(shù)據(jù)更理想.在Gaussian09W軟件包[13]內(nèi)進(jìn)行計(jì)算,用GaussView5.0軟件產(chǎn)生圖形,用Origin8.6.0軟件繪制線圖.2、結(jié)果與討論2.1、無(wú)外場(chǎng)作用下的分子構(gòu)造及特性無(wú)外場(chǎng)作用時(shí)CH3C2H3O分子基態(tài)為穩(wěn)定構(gòu)型,其分子構(gòu)造如此圖1所示.無(wú)外場(chǎng)作用時(shí)CH3C2H3O分子吸收與輻射特性為CH3C2H3O分子由基態(tài)均可躍遷至前10個(gè)激發(fā)態(tài);基態(tài)躍遷至第3,4,7,8激發(fā)態(tài)比躍遷至第1,2,5,6,9,10激發(fā)態(tài)的振子強(qiáng)度大.圖1CH3C2H3O分子構(gòu)造Fig.1StructureofCH3C2H3Omolecule2.2、外電場(chǎng)作用下CH3C2H3O分子吸收與輻射特性對(duì)CH3C2H3O分子在x軸〔3O7C〕方向外電場(chǎng)作用下的基態(tài)構(gòu)型進(jìn)行優(yōu)化.優(yōu)化后CH3C2H3O分子前8個(gè)低激發(fā)態(tài)的激發(fā)能、波長(zhǎng)和振子強(qiáng)度等表征該分子光譜特性的計(jì)算結(jié)果分別列于表1~表3.華而不實(shí)S1~S8分別表示前8個(gè)激發(fā)態(tài).表1CH3C2H3O分子前8個(gè)激發(fā)態(tài)的激發(fā)能〔E〕與電場(chǎng)強(qiáng)度F的關(guān)系表2CH3C2H3O分子前8個(gè)低激發(fā)態(tài)的波長(zhǎng)〔〕與電場(chǎng)強(qiáng)度F的關(guān)系由表1可見(jiàn):S1和S4的E隨F增大先增加再減小;S2和S3的E隨F增大而減??;S5~S8的E隨F增大而增加.若E隨外電場(chǎng)強(qiáng)度F增加而減小〔如S1~S4〕,則表示清楚在外電場(chǎng)作用下該分子體系中的電子更易被激發(fā)偏離原軌道.CH3C2H3O分子波長(zhǎng)與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系如此圖2所示.由表2和圖2可見(jiàn):S1和S4的隨F增大先減小再增加;S2和S3的隨F增大而增加;S5~S8的隨F增大而減小.若隨電場(chǎng)強(qiáng)度F增大而變長(zhǎng)〔如S1~S4〕,則基態(tài)分子更易被激發(fā)或被解離成更小碎片化構(gòu)造.在外電場(chǎng)作用下,CH3C2H3O分子的電子躍遷光譜均富集于紫外光區(qū),=140.96~168.46nm.表3CH3C2H3O分子前8個(gè)低激發(fā)態(tài)的振子強(qiáng)度f(wàn)與電場(chǎng)強(qiáng)度F的關(guān)系圖2CH3C2H3O分子波長(zhǎng)與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系CH3C2H3O分子振子強(qiáng)度與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系如此圖3所示.由表3和圖3可見(jiàn):S1,S2,S4,S5,S7,S8的f隨F增大而增加;S3和S6的f隨F增大而減?。鬴隨F的增大而增加,則表示清楚躍遷幾率有增大趨勢(shì).當(dāng)外電場(chǎng)分別為-0.0025,-0.0050,0.0050和0.0100時(shí),CH3C2H3O分子的紫外-可見(jiàn)吸收光譜如此圖4所示.由圖4可見(jiàn):隨著電場(chǎng)強(qiáng)度F的變化,最右側(cè)主峰值變化明顯,當(dāng)F=-0.0050時(shí),主峰值到達(dá)最小;最左側(cè)標(biāo)有三角峰峰值變化也較明顯,當(dāng)F=-0.0025時(shí),該峰峰值達(dá)最大.表3CH3C2H3O分子前8個(gè)低激發(fā)態(tài)的振子強(qiáng)度f(wàn)與電場(chǎng)強(qiáng)度F的關(guān)系圖3CH3C2H3O分子振子強(qiáng)度與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系2.3、電場(chǎng)誘導(dǎo)對(duì)CH3C2H3O分子前8個(gè)激發(fā)態(tài)軌道躍遷的影響CH3C2H3O分子前8個(gè)激發(fā)態(tài)的電子躍遷軌道與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系列于表4.由表4可見(jiàn),電場(chǎng)強(qiáng)度不影響S1,S2,S4,S5,S6和S7激發(fā)態(tài)的電子躍遷軌道,但對(duì)其他各激發(fā)態(tài)均有影響,如第3激發(fā)態(tài)當(dāng)F=0時(shí),分子軌道電子躍遷為1618,1619,1620;當(dāng)F=0.0025,-0.0025,-0.0050時(shí),其對(duì)應(yīng)的電子躍遷軌道均未發(fā)生變化;當(dāng)F=0.0050,0.0075,0.0100時(shí),其對(duì)應(yīng)的電子躍遷軌道均少了一條1620.第8激發(fā)態(tài)當(dāng)F=0時(shí),分子軌道電子躍遷為1518,1519,1621,1622,1624;當(dāng)F=0.0025,0.0050,0.0075,0.0100時(shí),其對(duì)應(yīng)的電子躍遷軌道未發(fā)生變化;當(dāng)F=-0.0025時(shí),其對(duì)應(yīng)的電子躍遷軌道少了兩條1518,1519;當(dāng)F=-0.0050時(shí),其對(duì)應(yīng)的電子躍遷軌道少了1622,1624.圖4CH3C2H3O分子UV-Vis譜Fig.4UV-VisspectraofCH3C2H3Omolecule表4CH3C2H3O分子前8個(gè)激發(fā)態(tài)的電子躍遷軌道與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系表4CH3C2H3O分子前8個(gè)激發(fā)態(tài)的電子躍遷軌道與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系綜上,本文可得如下結(jié)論:CH3C2H3O分子的4個(gè)低激發(fā)態(tài)激發(fā)能均隨電場(chǎng)強(qiáng)度的增加而減小,表示清楚在外電場(chǎng)作用下該分子體系中的電子易被激發(fā)而偏離原軌道;波長(zhǎng)隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而變長(zhǎng),表示清楚分子更易被激發(fā)或解離成更小的碎片化構(gòu)造;在外電場(chǎng)作用下,CH3C2H3O分子的電子躍遷光譜均富集于紫外光區(qū).以下為參考文獻(xiàn)[1]徐國(guó)亮,肖小紅,耿振鐸,等.甲基乙烯基硅酮在外場(chǎng)作用下的光激發(fā)特性研究[J].物理學(xué)報(bào),2007,56(9):5196-5201.(XUGuoliang,XIAOXiaohong,GENGZhenduo,etal.EffectofExternalElectricFieldExcitationonMethylVinylSiloxane[J].ActaPhysicaSinica,2007,56(9):5196-5201.)[2]JONESCY,NEVERS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