DCS銷(xiāo)售經(jīng)理常用技術(shù)常識(shí)課件

DCS銷(xiāo)售經(jīng)理常用的

系統(tǒng)知識(shí)點(diǎn)2004.12主控制器中的各種存儲(chǔ)器的區(qū)別Flash（固態(tài)盤(pán)）:寫(xiě)壽命10萬(wàn)次左右，保存組態(tài)文件。SRAM（帶電池）：保存實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的空間DRAM(內(nèi)存)：運(yùn)行程序的空間主控制器備用式冗余的三種方式冷備用（ColdBackup）溫備用（WarmBackup）熱備用（HotBackup）控制周期什么是控制周期？單一控制周期與復(fù)合控制周期最短控制周期由主芯片速度、程序量和通訊量以及應(yīng)用程序效率決定。主控制器負(fù)荷率（LoadRate）負(fù)荷率定義控制周期控制周期—空閑時(shí)間負(fù)荷率=x100%主控制器應(yīng)用設(shè)計(jì)：工藝過(guò)程劃分第1對(duì)主控制器IOIO工藝過(guò)程1第2對(duì)主控制器IOIO工藝過(guò)程2系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)通過(guò)系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)引用另一對(duì)主控制器的IO點(diǎn)數(shù)據(jù)通過(guò)硬接線引用另一對(duì)主控制器的IO點(diǎn)數(shù)據(jù)AI的隔離:為何需要隔離現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備電氣燒毀時(shí)不殃及DCS設(shè)備；現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備對(duì)DCS系統(tǒng)之間存在高壓時(shí)不損壞DCS設(shè)備；限制DCS局部故障或損壞的擴(kuò)散化；切斷現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備接地點(diǎn)對(duì)DCS系統(tǒng)接地點(diǎn)間因地電位差形成的地環(huán)電流，該地環(huán)電流導(dǎo)致AI設(shè)備輸入端存在高共模電壓，影響測(cè)量精度。（1）

AI隔離的程度路間隔離：每個(gè)信號(hào)通道之間電氣隔離，并都控制網(wǎng)絡(luò)隔離。模塊與模塊間隔離：AI模塊之間隔離，并都控制網(wǎng)絡(luò)隔離，但同一模塊內(nèi)的各通道之間不隔離。一列模塊與另一列模塊隔離：比方說(shuō)這5個(gè)模塊與那5個(gè)模塊之間隔離，且所有模塊都與控制網(wǎng)絡(luò)隔離，但同一列的5個(gè)模塊之間不隔離。站與站之間隔離：兩個(gè)主控制站（一般裝在不同的機(jī)柜中）之間隔離，但站內(nèi)設(shè)備之間不隔離。現(xiàn)場(chǎng)輸入與DCS系統(tǒng)隔離：所有現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備之間不隔離，但都與控制網(wǎng)絡(luò)隔離。AI的隔離技術(shù)隔離放大器隔離(在信號(hào)調(diào)理階段隔離,傳統(tǒng)的模擬儀表常用的方法)變壓器隔離型放大器電容隔離型放大器(飛越電容或集成型放大器)線性光耦隔離型放大器數(shù)字光耦隔離(轉(zhuǎn)化為數(shù)字量后隔離,數(shù)字式智能儀表常用的方法)隔離電壓：一般以交流有效值表示，如500Vrms.過(guò)低的隔離電壓將導(dǎo)致高壓擊穿。抑制比的含義“一群壞人堵在大門(mén)口，有多少會(huì)混進(jìn)去？”1000個(gè)壞人堵在大門(mén)口，有1個(gè)人混進(jìn)去，則抑制比=1000：1，用分貝表示就是20log1000=60dB（也就是說(shuō)有千分之一混進(jìn)去）；如果1000個(gè)壞人中有10人混進(jìn)去，抑制比=1000：10，用分貝表示就是20log（1000/10）=40dB（也就是說(shuō)有百分之一混進(jìn)去）。共模抑制比或差模抑制比的含義與上述比喻類(lèi)似，只是“壞人”的定義不一樣而已。AO設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)精度、分辨率、穩(wěn)定度、溫漂（參見(jiàn)AI）帶負(fù)載能力：在確保最大能輸出20mA的條件下，AO的最大電阻負(fù)載。對(duì)于以24VDC為驅(qū)動(dòng)電源的AO，其理論最大負(fù)載24/0.02=1200歐姆。一般要求AO的帶負(fù)載能力達(dá)到750（一般的負(fù)載電阻為250）。建立時(shí)間：DA轉(zhuǎn)換從數(shù)字指令下發(fā)到AO輸出值達(dá)到預(yù)計(jì)的精度范圍的響應(yīng)時(shí)間。AO帶負(fù)載能力的測(cè)量先將AO的輸出值設(shè)置到20mA對(duì)應(yīng)的數(shù)字量，然后將輸出接到可調(diào)電阻器上，并串聯(lián)電流表，不斷增加電阻值，當(dāng)電流開(kāi)始隨電阻的增大逐漸小于20mA時(shí)，該負(fù)載電阻即為AO的帶負(fù)載能力。DI的查詢(xún)電壓24VDC48VDC220VAC220VDCSOE(SequenceofEvent)：帶時(shí)標(biāo)的DISOE：DIwithtime-stamp，主要用于事故分析。SOE處理的基本原理:主控制器負(fù)責(zé)分鐘以上時(shí)間，SOE模塊負(fù)責(zé)分鐘以下時(shí)間60000ms對(duì)時(shí)的基本原理:由同一個(gè)時(shí)鐘源對(duì)其操作站、主控制器和SOE模塊的時(shí)間.GPS作為標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘源。開(kāi)關(guān)量輸出（DO：DigitalOutput)DO：輸出開(kāi)關(guān)的類(lèi)型機(jī)械繼電器（SPST，SPDT，DPST，DPDT）：NormalOpened，NormalClosed固態(tài)繼電器(SolidStateRelay—SSR)，是Photo-Darlinton,PhotoMOS,Thyristor,TRIAC等類(lèi)型開(kāi)關(guān)的統(tǒng)稱(chēng)。晶閘管（Thyrister，原來(lái)稱(chēng)為可控硅SilliconControlledRectifier—SCR），適用控制直流負(fù)載。雙向可控硅(TRIAC：Tri-electrodeACswitch)，適用于控制交流負(fù)載。

電源冗余：均流冗余所有電源平均承擔(dān)負(fù)荷冗余結(jié)構(gòu)相當(dāng)于“熱”冗余可以構(gòu)成1:1,N:1,N:M(M<N)冗余體積較小，單個(gè)電源成本較高。如果不是1:1冗余結(jié)構(gòu)，當(dāng)系統(tǒng)需要雙AC220V輸入冗余時(shí)，需要另外配置雙AC冗余裝置。電源冗余：非均流冗余非均流冗余電源，工作時(shí)輸出電壓較高的一個(gè)承擔(dān)了絕大部分（90%以上）的負(fù)荷。當(dāng)主電源故障時(shí)，從電源才升級(jí)為主工作。冗余機(jī)理相當(dāng)于“溫”冗余。只能作到1:1冗余，體積較大。系統(tǒng)需要雙AC輸入冗余時(shí)，分別將兩路AC電源接主備電源即可。MTTF,MTBF,MTTR系統(tǒng)正常MTTF系統(tǒng)正常MTTFMTTRMTTR修復(fù)維修MTBFMTBF=MTTF+MTTR

如果MTTR?MTTF:MTBFMTTFtime故障MTTF:MeanTimetoFailure平均無(wú)故障時(shí)間MTBF:MeanTimeBetweenFailures平均故障間隔時(shí)間MTTR:MeanTimetoRepair平均維修時(shí)間IEC529IP外殼防護(hù)等級(jí)IEC529采用IP編碼代表防護(hù)等級(jí)，在IP字母后跟兩位數(shù)字，第1位表示防固體異物的能力，第2位數(shù)字表示防水能力，如IP55.第1位含義第2位含義0無(wú)防護(hù)0無(wú)防護(hù)1防50mm，手指可入。1防垂滴2防12mm，手指不可入。2防斜15垂滴3防2.5mm，導(dǎo)線不可入。3防淋，與垂直線成60以?xún)?nèi)淋水4防1mm，不防砂塵。4防濺，任何方向可濺水5防塵，塵入量不影響工作5防噴，任何方向可噴水6塵密，無(wú)塵進(jìn)入6防浪，強(qiáng)海浪沖擊——7防浸，在規(guī)定壓力水中——8防潛，能長(zhǎng)期潛水防爆：類(lèi)型及等級(jí)標(biāo)志類(lèi)型隔爆型“d”，沖油型“o”，正壓型“p”，增安型“e”，沖沙型“q”，特殊型“s”，本安型“i”，無(wú)火花型“n”。其中增安型是在隔爆型的基礎(chǔ)上在有采取無(wú)火花設(shè)計(jì)形成的；本安型又分為ia和ib兩級(jí)，前者安全數(shù)更大。舉例1：dIIBT3，隔爆型儀表，可用于乙烯環(huán)境中，其表面溫度不超過(guò)200C。舉例2:iaIIAT5,本安ia型，可用于乙炔、汽油環(huán)境中，溫度不超過(guò)100C。工業(yè)控制中常用的IEC61000-4系列標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容 IEC61000-4標(biāo)準(zhǔn) 對(duì)應(yīng)原IEC801標(biāo)準(zhǔn) (GB/T17626系列） （GB/T13926系列）抗擾度試驗(yàn)綜述 IEC61000-4-1 IEC801-1靜電放電抗擾度 IEC61000-4-2 IEC801-2輻射電磁場(chǎng)抗擾度 IEC61000-4-3 IEC801-3快速瞬變脈沖群抗擾度 IEC61000-4-4 IEC801-4浪涌抗擾度 IEC61000-4-5 IEC801-5射頻場(chǎng)傳導(dǎo)騷擾抗擾度 IEC61000-4-6 IEC801-6

電壓瞬時(shí)跌落和中斷抗擾度IEC61000-4-11 IEC61000-4-2：靜電放電抗擾度試驗(yàn)試驗(yàn)?zāi)康模耗M操作人員或物體在接觸或靠近設(shè)備時(shí)的放電。試驗(yàn)方法：高壓電源+150pF儲(chǔ)能電容，尖端放電。試驗(yàn)等級(jí)：接觸放電：2kV(1級(jí)）,4kV,6kV,8kV.氣隙放電：2kV(1級(jí)）,4kV,8kV,15kV.IEC61000-4-3：輻射電磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)試驗(yàn)?zāi)康模嚎疾煸O(shè)備抗移動(dòng)電話、對(duì)講機(jī)等連續(xù)波發(fā)射設(shè)備干擾的能力。試驗(yàn)方法：電波室，頻率可達(dá)150MHz-5GHz試驗(yàn)等級(jí)（場(chǎng)強(qiáng)）：1V/m(1級(jí)):低強(qiáng)度電磁輻射，如1km遠(yuǎn)的電視臺(tái)3V/m:中等強(qiáng)度的電磁輻射，如1-2m遠(yuǎn)的手持式1W步話機(jī)。10V/m:嚴(yán)重的電磁輻射，如與設(shè)備靠近的大功率步話機(jī)(5W以上）。IEC61000-4-4：快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)試驗(yàn)?zāi)康模嚎疾煨‰姼胸?fù)載（如繼電器）的切換及高壓真空開(kāi)關(guān)的切換對(duì)設(shè)備的干擾。試驗(yàn)方法：在設(shè)備電源線和I/O線上輸入脈沖寬度50ns30%，重復(fù)頻率為2.5kHz/5kHz,持續(xù)時(shí)間15ms，脈沖群周期300ms的共模脈沖電壓。試驗(yàn)等級(jí)(電源線/IO線,未注明的為5kHz）0.5kV/0.25kV(1級(jí)):計(jì)算機(jī)房1kV/0.5kV:主控室2kV/1kV:變電站4kV,2.5kHz/2kV:采用氣體絕緣開(kāi)關(guān)的變電站IEC61000-4-5：浪涌抗擾度試驗(yàn)試驗(yàn)?zāi)康模嚎疾靧s級(jí)電壓電流波動(dòng)對(duì)系統(tǒng)的影響。100/1300us電壓或電流浪涌（指上升時(shí)間100us,持續(xù)時(shí)間1300us）：大容量熔斷器燒毀的瞬間。1.2/50us電壓8/20us電流：電網(wǎng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作或雷擊10/700us電壓：Modem等通訊設(shè)備的雷擊放電

試驗(yàn)方法：電壓或電流跌加到電源線或IO線。試驗(yàn)等級(jí)（電壓）浪涌電壓500Vp(1級(jí)):電站控制室浪涌電壓1kVp:無(wú)強(qiáng)干擾的工廠浪涌電壓2kVp:變電站浪涌電壓4kVp:民用架空線環(huán)境IEC61000-4-6：射頻場(chǎng)傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)試驗(yàn)?zāi)康模嚎疾煸O(shè)備對(duì)射頻騷擾的抵抗能力試驗(yàn)方法：采用電纜耦合傳導(dǎo)輸入的方式，分為連續(xù)波和脈沖波兩種型式。可以等效取代輻射騷擾抗擾度試驗(yàn)(IEC61000-4-3)。試驗(yàn)等級(jí)（150kHz-80MHz干擾,并用1kHz正弦波調(diào)幅后通過(guò)耦合器加入）1V(1級(jí)):低強(qiáng)度電磁輻射，如1km遠(yuǎn)的電視臺(tái)3V:中等強(qiáng)度的電磁輻射，如1-2m遠(yuǎn)的1W手持式步話機(jī)。10V:嚴(yán)重的電磁輻射，如與設(shè)備靠近的大功率步話機(jī)(5W以上)。IEC61000-4-11：電壓瞬間跌落或中斷抗擾度試驗(yàn)試驗(yàn)?zāi)康模嚎疾祀娫措妷核查g跌落或中斷的影響，如誤動(dòng)、數(shù)據(jù)丟失等。電壓跌落：跌落大于10%以上，持續(xù)時(shí)間0.5-50個(gè)周波電壓中斷：電壓跌落到0。試驗(yàn)方法：電壓切換裝置。試驗(yàn)等級(jí)跌落30%,持續(xù)0.5-50個(gè)周波跌落60%,持續(xù)0.5-50個(gè)周波電壓中斷，持續(xù)0.5-50個(gè)周波TT型系統(tǒng)的保護(hù)接地DCS系統(tǒng)的配電型式基本上都是TT系統(tǒng)

DCS系統(tǒng)使用220VAC380VACDCSDCS系統(tǒng)的接地示意圖操作層設(shè)備保護(hù)地接地銅板控制層設(shè)備屏蔽地接地銅板系統(tǒng)接地銅板接地樁屏蔽地絕緣層安裝架<4<4<1機(jī)柜保護(hù)地本安接地B,E兩點(diǎn)一般在DCS機(jī)柜一側(cè)，應(yīng)等電位。D點(diǎn)為變送器外殼接地，必須設(shè)法使D點(diǎn)電位與B,E等電位，才能保證本安！變送器外殼通訊線防雷通訊線路的雷擊模擬測(cè)試，現(xiàn)普遍采用的是國(guó)際電聯(lián)ITU-TK20（局端使用）和ITU-TK21（用戶(hù)端使用）標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試方法為10/700uS;1KV和10/700uS;4KV，正反向各打5次。外部采用防雷管(Q1-Q3)，內(nèi)部采用TVS電源防雷器的接線圖（第1，2級(jí)）CISC和RISC（精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)）有標(biāo)書(shū)中說(shuō)“如果是RISC，主頻應(yīng)在200MHz以上；如果是RISC，主頻應(yīng)在30MHz以上”。CISC（復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī)），典型如Intel系列CPU。RISC（精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)）,典型如IBMPowerPC，ARM。1974年，IBM的JohnCocke的研究表明，當(dāng)時(shí)的CPU芯片中，只有20%的指令是程序中經(jīng)常用到的。如果將這80%的“多余”的指令刪除，CISC就形成了RISC。RISC：指令少，晶體管就少，功耗就低，價(jià)格就便宜。但不一定表明RISC比CISC快。主控制器快慢的唯一實(shí)用的標(biāo)準(zhǔn)是負(fù)荷率，而不是MHz.控制網(wǎng)冗余?主控制器IO通訊接口板IO通訊接口板IO板IO板IO板IO板IO板IO板IO板IO板IO板IO板雙冗余的控制網(wǎng)通訊板與IO板間低速的非冗余內(nèi)部總線，并且，背板線一般不會(huì)損壞。IO機(jī)籠傳統(tǒng)的DCS結(jié)構(gòu)，存