標準解讀

《GB/T 26069-2010 硅退火片規(guī)范》是一項國家標準，旨在為硅材料在半導(dǎo)體行業(yè)中使用時提供統(tǒng)一的技術(shù)要求與測試方法。該標準涵蓋了硅單晶圓片經(jīng)過退火處理后的物理特性、尺寸公差以及表面質(zhì)量等方面的規(guī)定。

根據(jù)此標準，硅退火片應(yīng)滿足一定的純度要求，以確保其適用于各種電子器件的制造過程。對于不同應(yīng)用場景下的硅片，標準還設(shè)定了具體的電阻率范圍、晶體取向偏差等參數(shù)限制。此外，《GB/T 26069-2010》對硅片的直徑、厚度及其均勻性也做出了明確規(guī)定，要求生產(chǎn)企業(yè)嚴格按照這些指標進行控制，以保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。

關(guān)于外觀質(zhì)量，《GB/T 26069-2010》同樣給出了詳細說明，包括但不限于裂紋、劃痕、點缺陷等可能影響最終產(chǎn)品性能的因素，并提供了相應(yīng)的檢測方法和合格判定準則。同時，標準中還包括了對包裝、標識及運輸條件的要求，以避免因不當處理而造成的產(chǎn)品損傷或污染。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 26069-2022
  • 2011-01-10 頒布
  • 2011-10-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T26069—2010

硅退火片規(guī)范

Specificationforsiliconannealedwafers

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T26069—2010

前言

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會負責

(SAC/TC203/SC2)

歸口

。

本標準起草單位萬向硅峰電子股份有限公司有研半導(dǎo)體材料股份公司寧波立立電子股份有限

:、、

公司和杭州海納半導(dǎo)體有限公司共同負責起草

。

本標準主要起草人樓春蘭孫燕朱興萍宮龍飛王飛堯黃笑容方強汪成生程國慶

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T26069—2010

硅退火片規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了半導(dǎo)體器件和集成電路制造用硅退火拋光片的要求試驗方法檢驗規(guī)則等

、、。

本標準適用于線寬和工藝退火硅片

180nm、130nm90nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅拋光片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

GB/T14144

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測試方法

GB/T24578X

硅片邊緣輪廓檢驗方法

YS/T26

3術(shù)語和定義

中界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41產(chǎn)品分類

.

本標準將硅退火拋光片按線寬分為線寬和線寬

溫馨提示

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