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文檔簡介

答疑時間:18周四全天(賈、劉)18周五下午(陳、周)9:00-11:3014:00-16:00答疑地點:N1-A4樓休息室任課教師:陳彬兵小寫字母、大寫下標(biāo)表示總量(含交、直流)。如,vCE、iB等。大寫字母、大寫下標(biāo)表示直流量。如,VCE、IC等。小寫字母、小寫下標(biāo)表示純交流量。如,vce、ib等。上方有圓點的大寫字母、小寫下標(biāo)表示相量。如,、等。書中有關(guān)符號的約定第一章緒論

電壓放大模型1.輸入電阻反應(yīng)了放大電路從信號源吸取信號幅值的大小。輸入電壓信號,越大,越大。輸入電流信號,越小,越大。2.輸出電阻

決定放大電路帶負(fù)載能力。輸出電壓信號時,越?。ㄏ鄬Γ?,對影響越小,輸出電流信號時,越大(相對),對影響越小。輸出電阻的計算:3、頻率響應(yīng)上、下限頻率;帶寬;多級放大電路帶寬頻率失真(線性失真)P196題4.7.4幅度失真相位失真非正弦信號非線性失真飽和失真截止失真正弦信號第三章二極管及其基本電路1、理解半導(dǎo)體中有兩種載流子電子空穴——當(dāng)電子掙脫共價鍵的束縛成為自由電子后,共價鍵就留下一個空位,這個空位就稱為空穴2、理解本征半導(dǎo)體和本征激發(fā)本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體本征激發(fā)的特點——兩種載流子參與導(dǎo)電,自由電子數(shù)(n)=空穴數(shù)(p)外電場作用下產(chǎn)生電流,電流大小與載流子數(shù)目有關(guān)導(dǎo)電能力隨溫度增加顯著增加N型半導(dǎo)體:電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子,但半導(dǎo)體呈中性P型半導(dǎo)體:空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子,但半導(dǎo)體呈中性3、理解雜質(zhì)半導(dǎo)體(通過摻雜,提高導(dǎo)電能力)少數(shù)載流子是由電子—空穴對(本征激發(fā))產(chǎn)生而來,多子濃度主要取決于雜質(zhì)濃度,少子濃度與溫度有關(guān)。4、熟練掌握PN結(jié)形成——由于濃度差,而出現(xiàn)擴(kuò)散運動,在中間形成空間電荷區(qū)(耗盡層),又由于空間電荷區(qū)的內(nèi)電場作用,存在漂移運動,達(dá)到動態(tài)平衡。單向?qū)щ娦浴?/p>

不外加電壓,擴(kuò)散運動=漂移運動,iD=0

加正向電壓(耗盡層變窄),擴(kuò)散運動>漂移運動形成iD

加反向電壓(耗盡層變寬),擴(kuò)散運動為0,只有很小的漂移運動形成反向電流特性方程:iD=IS(eVo/VT-1)特性曲線:正向?qū)ǎ核绤^(qū)、導(dǎo)通區(qū)反向截止:截止區(qū)、擊穿區(qū)5、理解二極管單向?qū)щ娦?、特性方程及特性曲線與PN結(jié)相同主要參數(shù):最大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、最大反向工作電壓分析模型:理想模型、恒壓降模型、折線模型、小信號模型

導(dǎo)通管的壓降看做常值(硅0.7V,鍺0.2V)或0V(理想二極管);截止管所在支路看做斷開,電路中所有二極管狀態(tài)判明后,進(jìn)一步計算所要求的各物理量。二極管電路的分析計算:6、特殊二極管——穩(wěn)壓管(工作在反向擊穿區(qū))反向偏置且VI>VZ穩(wěn)壓原理:無論輸入變化或負(fù)載變化,引起的電流變化都加于穩(wěn)壓管上,使輸出電壓穩(wěn)定參數(shù):VZ、IZ、PZM、rZ

習(xí)題3.4.5;3.4.7;3.4.9;3.5.1第四章雙極型三極管及放大電路基礎(chǔ)1、理解半導(dǎo)體三極管①類型:結(jié)構(gòu)、材料硅管(VBE=0.7V)、鍺管(VBE=0.2V)②電流控制器件iC=βiB

iE=(1+β)iB

iB+

iC=iE

③三個工作區(qū)特性曲線輸入:輸出:飽和區(qū):發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏,

VBE=0.7V,VCES=0.3V

放大區(qū):發(fā)一正,集一反,VBE=0.7遵循iC=βiB

截止區(qū):發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均反偏

VBE<0.5V時已進(jìn)入截止區(qū)

④放大條件發(fā)射極正偏,集電極反偏發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度大,集電區(qū)雜質(zhì)濃度低,基區(qū)窄,雜質(zhì)濃度低。

c、e不能互換;根據(jù)各電極對地電位和各電極電流判斷管子類型⑤參數(shù)集電極最大允許電流ICM、集電極最大允許功耗PCM、反向擊穿電壓V(BR)CEO、

ICBO

ICEOT

VBE

IB

IC

2、三極管放大電路直流通路:Q點—圖解法、近似估算法放大條件、交流參數(shù)交流通路:、最大輸出電壓幅度—圖解法、模型法①了解圖解法求Q點直流負(fù)載線交流負(fù)載線分析非線性失真飽和失真靜態(tài)點過高(NPN,底)截止失真靜態(tài)點過低(NPN,頂)信號過大增益過大引起的失真確定最大輸出電壓幅度VOm(交流負(fù)載線)②小信號模型(對交流信號)其中

rbe是動態(tài)電阻,但與靜態(tài)電流IE有關(guān)。③三種組態(tài)及特點(P148表4.5.1)

共射極——射極為輸入輸出的公共端共基極——基極為輸入輸出的公共端共集電極——集電極為輸入輸出的公共端重點掌握單管共射放大電路(包括分壓式和射極偏置)電路的組成和工作原理,注意有Re時的計算習(xí)題4.1.1;4.1.2;4.3.5;4.3.11;4.4.3;4.5.3第五章場效應(yīng)管放大電路P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型場效應(yīng)管的分類:

場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件,是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分,它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。1、能夠根據(jù)轉(zhuǎn)移特性判別場效應(yīng)管的類型(P237表5.5.1)結(jié)型場效應(yīng)管N型:VGS<0VDS>0夾斷電壓VP<0P型:VGS>0VGS<0夾斷電壓VP>0增強(qiáng)型MOS管N型:VGS>0VDS>0開啟電壓VT>0P型:VGS<0VGS<0開啟電壓VT<0耗盡型MOS管N型VP<0VDS>0P型VP>0VDS<0VGS可正、可負(fù)、可0①電流判斷

②電壓判斷4、場效應(yīng)電路的分析

與三極管的分析相似,三極管表征放大能力用β,而場效應(yīng)表征其放大能力用跨導(dǎo)gm2、特點:場效應(yīng)電路輸入電阻很高①直流偏置電路自偏壓電路(耗盡型)、分壓式自偏壓電路(耗盡型、增強(qiáng)型)②小信號模型③多級放大電路的計算習(xí)題5.3.5;5.5.43、三個工作區(qū):可變電阻區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))、截止區(qū)

VDS=VGS-VT第六、二章集成運放大器1、電流源電路特點:直流電阻小,交流電阻大

(1)電流源電路在模擬集成放大器中用以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。

(2)用電流源做有源負(fù)載,獲得增益高、大動態(tài)范圍。2、熟練掌握差分式放大電路①差模信號與共模信號的概念差模信號是指在兩個輸入端加上幅度相等,極性相反的信號;共模信號是指在兩個輸入端加上幅度相等,極性相同的信號。差分放大電路放大差模信號抑制共模信號。②差分式放大電路的工作原理(對稱性);抑制零漂的原理;對四種組態(tài)(雙入一雙出,雙入一單出,單入一雙出,單入一單出)的主要技術(shù)指標(biāo)的計算(含直流工作點,差模放大倍數(shù),共模放大倍數(shù)、共模抑制比、輸入、輸出電阻的計算)。(P270表6.2.1)零漂:輸入短路時,輸出仍有緩慢變化的電壓產(chǎn)生。主要由溫度變化引起,在多級放大電路中,影響最嚴(yán)重的是輸入級。抑制零漂能力越強(qiáng)對差分放大器,人為只加差模信號(放大),所謂共模輸入實際上是外界的干擾信號,應(yīng)抑制。3、了解差動放大電路的相位關(guān)系Vcc+-V-V+Vo4、熟練掌握“虛斷”、“虛短”(“虛地”)的概念他們是同時存在的5、能夠熟練運用虛斷虛短的概念分析,反相、同相、比例運算電路、加法運算電路,減法運算電路及積分,微分電路。同相比例運算電路電壓串聯(lián)負(fù)反饋Avf=

1+(Rf/R1)習(xí)題2.3.2;2.4.7;2.4.14第七章(負(fù))反饋放大電路1、要求正確理解什么是反饋:把輸出回路的電量(電壓或電流)饋送到輸入回路的過程2、反饋組態(tài)的判斷正、負(fù)反饋的判斷——用瞬時極性法電壓、電流反饋——將放大電路的輸出端短路,如果這時反饋信號為0,則是電壓反饋,反之,如果反饋信號依然存在,則為電流反饋。串、并聯(lián)反饋——串聯(lián)反饋:反饋信號與輸入信號加在放大電路輸入回路的兩個電極,此時反饋信號與輸入信號是電壓相加減的關(guān)系;并聯(lián)反饋:反饋信號與輸入信號加在放大電路輸入回路的同一個電極,此時反饋信號與輸入信號是電流相加減的關(guān)系;3、反饋的一般表示法4、了解負(fù)反饋對電路性能的影響串聯(lián)負(fù)反饋:使輸入電阻增加并聯(lián)負(fù)反饋:使輸入電阻減小提高增益的穩(wěn)定性減小非線性失真,抑制干擾噪聲,擴(kuò)展通頻帶(反饋環(huán)內(nèi))增大或減小輸入、輸出電阻(反饋環(huán)內(nèi))對輸入電阻對輸出電阻電壓負(fù)反饋:使輸出電阻減小電流負(fù)反饋:使輸出電阻增加其增加、減小的值均與反饋深度(1+AF)有關(guān)能根據(jù)改善放大電路性能的要求,在電路中引入適當(dāng)?shù)姆答仯ㄈ綦娐分幸汛嬖谀撤N反饋,怎樣根據(jù)新的要求進(jìn)行修改,達(dá)到要求后還應(yīng)驗證是否為負(fù)反饋)。5、熟練掌握在深度負(fù)反饋條件下閉環(huán)增益的計算6、理解負(fù)反饋電路自激條件習(xí)題7.1.1;7.1.2;7.2.1;7.4.5;7.5.21+AF或AF越大越容易自激。φa+φf=(2n+1)π第八章功率放大電路1、了解放大器的三種工作狀態(tài)甲類:在整個周期IC≥0導(dǎo)通角3600η高=50%

乙類:在半個周期IC≥0導(dǎo)通角1800η高=78.5%甲乙類:在大半個周期IC≥0導(dǎo)通角1800<θ<3600

分析功率放大電路常采用圖解法信號幅度大特性曲線圖解法分析2、掌握乙類雙電源對稱放大電路乙類較甲類的優(yōu)點甲乙類較乙類的優(yōu)點組成:乙類推挽形式計算:功效管的選擇輸出功率管耗直流供電功率效率PT1m=0.2Pom管耗最大時

Vom=0.6Vcc

V(BR)CEO>2VccIcM>Vcc/RL3、掌握甲乙類對稱功率放大電路(為克服交越失真)克服交越失真的措施單電源互補(bǔ)電路(OTL)雙電源互補(bǔ)電路(OCL)利用二極管利用VBE擴(kuò)大電路偏置組成:必須有電容C計算:將上述公式中的VCC用VCC/2代替靜態(tài)點為組成:無電容C靜態(tài)點為0習(xí)題8.3.3;8.3.4;8.4.1;8.4.5第九章信號產(chǎn)生電路

2、熟練掌握正弦波振蕩電路的振蕩條件和RC橋式正弦波振蕩電路的電路組成,振蕩頻率、了解穩(wěn)幅措施。RC橋

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