擴(kuò)散區(qū)基礎(chǔ)報(bào)告

擴(kuò)散區(qū)基礎(chǔ)報(bào)告一、爐管技術(shù)擴(kuò)散爐有垂直擴(kuò)散爐和水平擴(kuò)散爐兩種類型。垂直擴(kuò)散爐是石英舟垂直于水平面，更加有利于機(jī)械手傳送硅片，片內(nèi)工藝參數(shù)一致性更好。水平擴(kuò)散爐是石英舟平行于水平面，一臺(tái)可以4個(gè)或4個(gè)以上的工藝爐管，平均爐管的占地面積更小，片間的工藝參數(shù)較垂直擴(kuò)散爐更好。按壓力分，有常壓擴(kuò)散和低壓擴(kuò)散兩種類型。

垂直擴(kuò)散爐和水平擴(kuò)散爐垂直擴(kuò)散爐水平擴(kuò)散爐爐管擴(kuò)散技術(shù)應(yīng)用：擴(kuò)散爐用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。擴(kuò)散工藝的主要用途是在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。最新的低壓磷擴(kuò)散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產(chǎn)批量，同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響最小。氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，生長(zhǎng)一層二氧化硅膜。氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。二、離子注入與之前的離子注入相同，這里不再重復(fù)三、化學(xué)站清洗清洗種類硅片清洗的一般原則是首先去除表面的有機(jī)沾污；然后溶解氧化層(因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葳濉?，也?huì)引入外延缺陷)；最后再去除顆粒、金屬沾污，同時(shí)使表面鈍化。

化學(xué)站清洗原理清洗硅片的清洗溶液必須具備以下兩種功能:(1)去除硅片表面的污染物。溶液應(yīng)具有高氧化能力，可將金屬氧化后溶解于清洗液中，同時(shí)可將有機(jī)物氧化為CO2和H2O；

(2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。這就要求硅片表面和顆粒之間的Z電勢(shì)具有相同的極性，使二者存在相斥的作用。在堿性溶液中，硅片表面和多數(shù)的微粒子是以負(fù)的Z電勢(shì)存在，有利于去除顆粒；在酸性溶液中，硅片表面以負(fù)的Z電勢(shì)存在，而多數(shù)的微粒子是以正的Z電勢(shì)存在，不利于顆粒的去除?；瘜W(xué)站清洗方法統(tǒng)計(jì)SPM（三號(hào)液）（H2SO4∶H2O2∶H2O）DHF（HF(H2O2)∶H2O）APM(SC-1)（一號(hào)液）（NH4OH∶H2O2∶