YS/T 840-2012再生硅料分類和技術(shù)條件

ICS7715099

H68..

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T840—2012

再生硅料分類和技術(shù)條件

Classificationandtechnicalspecificationforrenewablecrystalsilicon

2012-11-07發(fā)布2013-03-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國(guó)有色金屬

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

再生硅料分類和技術(shù)條件

YS/T840—2012

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20131

*

書號(hào)

:155066·2-24295

版權(quán)專有侵權(quán)必究

YS/T840—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位西安隆基硅材料股份有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李振國(guó)鐘寶申趙可武張群社

:、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)系首次發(fā)布

。

Ⅰ

YS/T840—2012

再生硅料分類和技術(shù)條件

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了再生硅料的技術(shù)條件及分類測(cè)試方法檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝標(biāo)志運(yùn)輸貯存訂貨

、、、、、、

單等

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于從生產(chǎn)加工使用過程中產(chǎn)生的可回收利用的硅料來源包括用于生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)硅

、、,

晶體的除過碳的碳極多晶硅碳頭料晶體硅頭尾料邊皮料堝底料晶體硅樣塊原生型廢硅片等

()、、、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

酸浸取原子吸收光譜法測(cè)定多晶硅表面金屬污染物

GB/T24579

低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

GB/T24582-

用高分辨率輝光放電光譜測(cè)定法測(cè)定太陽(yáng)能級(jí)硅中的痕量元素

SEMIPV1

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

碳極多晶硅碳頭料carbonendspolysilicon

()

在多晶硅生產(chǎn)過程中包圍在型多晶硅棒的碳極周圍沾連有石墨的不規(guī)則形狀多晶硅料

,U,。

32

.

單晶硅頭尾料monocrystallinetopandtail

在拉制單晶硅棒過程中形成的頭尾圓錐體也包括拉制單晶失敗產(chǎn)生的多晶硅棒和位錯(cuò)單晶

。。

33

.

堝底料potscrap

在拉制單晶硅棒的過程中殘留在石英坩堝中的硅料

,。

34

.

晶體硅樣塊testsiliconmaterial

在晶體硅棒的檢測(cè)和評(píng)估中作為測(cè)試用的樣塊

。

35

.

原生型廢硅片bro