YS/T 1061-2015改良西門子法多晶硅用硅芯

ICS29045

H82.

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T1061—2015

改良西門子法多晶硅用硅芯

Siliconcoreforpolysiliconbyimprovedsiemensmethod

2015-04-30發(fā)布2015-10-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國有色金屬

行業(yè)標準

改良西門子法多晶硅用硅芯

YS/T1061—2015

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

201511

*

書號

:155066·2-29172

版權(quán)專有侵權(quán)必究

YS/T1061—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司河南協(xié)鑫光伏科技有限公司無錫中硅新材料

:、、

股份有限公司昆明冶研新材料股份有限公司

、。

本標準主要起草人李軍正胡偉張曉東耿全榮劉丹陳晶亢若谷趙建為

:、、、、、、、。

Ⅰ

YS/T1061—2015

改良西門子法多晶硅用硅芯

1范圍

本標準規(guī)定了改良西門子法生產(chǎn)多晶硅用硅芯的要求檢驗方法檢驗規(guī)則以及標志包裝運輸

、、、、、

貯存質(zhì)量證明書及訂貨單或合同內(nèi)容等

、()。

本標準適用于以多晶硅為原料通過直拉法生產(chǎn)硅棒再經(jīng)過線切割加工或采用基座法拉制的

,(CZ)

硅芯

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

直線度誤差檢測

GB/T11336

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

GB/T24582-

光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法

GB/T29849

3術(shù)語和定義

和界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T11336GB/T14264。

4要求

41分類

.

411硅芯按截面形狀分為圓形狀方形狀菱形狀

..、、。

412硅芯按純度等級分為太陽能級多晶硅用硅芯和電子級多晶硅用硅芯

..。

42尺寸及外形

.

硅芯的尺寸及外形應符合表的規(guī)定

1。

表1尺寸及外形

項目要求

直徑圓形狀?

()/mm(6~12)±1

邊長方形菱形狀

(、)/mm