ASYAE08彈坑作業(yè)與判別指導(dǎo)書

DocumentNo.:DocumentNo.:ASY-AE08Internaluseonlyx彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書Revision:001of6ConfidentialTopconfidential

EFFECTIVEDATEShanghaiSiMATShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDESCRIPTIONAPPROVECHECKORIGINATORInitialIssueJinhuachen談紅英沈海軍00 8/08/2023ThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:DocumentNo.:ASY-AE08Internaluseonlyx彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書Revision:002of6ConfidentialTopconfidential目的：測試鍵合焊接對產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生的影響，保證產(chǎn)品質(zhì)量。二、適用范圍：全部MOSFET芯片系列產(chǎn)品；掌握打算要求做彈坑試驗(yàn)的產(chǎn)品。三．作業(yè)頻率：每周一鍵合現(xiàn)作業(yè)的產(chǎn)品都要做彈坑，產(chǎn)品改機(jī)后應(yīng)準(zhǔn)時作業(yè)彈坑試驗(yàn)，調(diào)用程序的產(chǎn)品可在做彈坑的同時開機(jī)作業(yè)，假設(shè)彈坑不良請統(tǒng)計(jì)數(shù)量，批次。四．彈坑試驗(yàn)作業(yè)及推斷方法1鹽酸溶液試驗(yàn)〔主要適用于Mosfet1所示〕ThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08Revision:00 3of6

彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書

Internaluseonly ConfidentialTopconfidential1〕361：2.580±5°c10-15分鐘，剪切方法如以下圖：沿框架〔箭頭所示位置用銳利的刀片剪切，剪切之后的制品必需在實(shí)體顯微鏡下確認(rèn)第一焊點(diǎn)金球狀況，防止因線弧較短時或者剪切不當(dāng)將金球帶起，引起彈坑。割線后的制品，需用撥針將金線沿載片臺邊緣〔金球遠(yuǎn)端〕將金線輕輕挑起，防止金線黏附在載片臺上，操作過程中確定制止金/撥線后圖片〕割線后產(chǎn)品 撥線后產(chǎn)品將已腐蝕干凈的制品分別放入水與酒精中，各用超聲波清洗3～5分鐘，然后ThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08Revision:00 4of6

彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書

Internaluseonly ConfidentialTopconfidential晾干或吹干。留意：在整個作業(yè)〔包括清洗〕過程中，不行以將制品用力在溶液中晃動。不行以承受任何拔線方式去除未腐蝕掉的焊線。將晾干后的制品在200倍或200倍以上顯微鏡下進(jìn)展判定并填寫《彈坑試驗(yàn)記錄表》1212小時。產(chǎn)品檢驗(yàn)判定方法←OK ←NGThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08Revision:00 5of6

彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書

Internaluseonly ConfidentialTopconfidential標(biāo)準(zhǔn)

具體內(nèi)容OK.(右圖)

圖例〔實(shí)物圖〕OK OKNGNG氫氧化鉀溶液試驗(yàn)〔主要適用于IC2所示〕2〕在量杯中，用電子稱稱取適量氫氧化鉀1：1080±5°cThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08Revision:00 6of6

彈坑試驗(yàn)與判別作業(yè)指導(dǎo)書

Internaluseonly ConfidentialTopconfidential將制品〔1.2的方法〕10-20分鐘將已腐蝕干凈的制品分別放入水與酒精中，各用超聲波清洗3～5分鐘，然后晾干或吹干。留意在整個作業(yè)〔包括清洗〕用力在溶液中晃動。200200倍以上顯微鏡下進(jìn)展判定并填寫《彈坑試驗(yàn)記錄表》產(chǎn)品檢驗(yàn)判定方法標(biāo)準(zhǔn)

具體內(nèi)容OK.(右圖)

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