SB/T 11001-2013基于射頻識(shí)別的瓶裝酒追溯與防偽標(biāo)簽測(cè)試規(guī)范

ICS35620

L70.

備案號(hào)40328—2013

:

中華人民共和國國內(nèi)貿(mào)易行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

SB/T11001—2013

基于射頻識(shí)別的瓶裝酒追溯與

防偽標(biāo)簽測(cè)試規(guī)范

Tagstestspecificationofbottledalcoholicbeveragetraceabilityand

anti-counterfeitingbasedonradiofrequencyidentification

2013-04-16發(fā)布2013-11-01實(shí)施

中華人民共和國商務(wù)部發(fā)布

SB/T11001—2013

目次

前言…………………………

Ⅲ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

縮略語……………………

42

總則………………………

52

測(cè)試環(huán)境…………………

62

標(biāo)簽一般測(cè)試……………

72

組成…………………

7.12

尺寸…………………

7.22

外觀…………………

7.32

功能和性能…………………………

7.43

環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試……………………

7.54

不可轉(zhuǎn)移率…………………………

7.67

有毒物質(zhì)限量要求…………………

7.77

標(biāo)簽信息安全測(cè)試………………………

87

標(biāo)簽標(biāo)識(shí)符…………………………

8.17

鑒別協(xié)議鑒別密鑰和密碼算法……………………

8.2、7

口令訪問控制………………………

8.38

生命周期管理……………

98

測(cè)試裝置……………

9.18

測(cè)試步驟……………

9.28

通過準(zhǔn)則……………

9.38

Ⅰ

SB/T11001—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國商務(wù)部提出并歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司

:、、

天津中興軟件有限責(zé)任公司睿芯聯(lián)科北京電子科技有限公司上海天臣防偽技術(shù)股份有限公司成

、()、、

都普什信息自動(dòng)化有限公司煙臺(tái)東方瑞創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司貴州茅臺(tái)酒股份有限公司四川宜賓

、、、

五糧液股份有限公司煙臺(tái)張?jiān)Ｆ咸厌劸乒煞萦邢薰?/p>

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人宋繼偉耿力高林馮敬金倩蘭天王立管超王政黃孝穗王宗國鄧洋

:、、、、、、、、、、、、

馮曉莉王政國何飛張睿鞠遠(yuǎn)程曹國順喬申杰

、、、、、、。

Ⅲ

SB/T11001—2013

基于射頻識(shí)別的瓶裝酒追溯與

防偽標(biāo)簽測(cè)試規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了基于射頻識(shí)別的瓶裝酒追溯與防偽標(biāo)簽以下簡(jiǎn)稱標(biāo)簽的功能性能環(huán)境適應(yīng)性

()、、、

信息安全和應(yīng)用生命周期管理等測(cè)試方法的內(nèi)容

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于標(biāo)簽的設(shè)計(jì)生產(chǎn)檢驗(yàn)和采購

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)低溫

GB/T2423.1—20082:A:(IEC60068-2-

1:2007,IDT)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)高溫

GB/T2423.2—20082:B:(IEC60068-2-

2:2007,IDT)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)恒定濕熱試驗(yàn)

GB/T2423.3—20062:Cab:

(IEC60068-2-78:2001,IDT)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)自由跌落

GB/T2423.8—19952:Ed:

(IEC60068-2-32:1990,IDT)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)?zāi)M地面上的太

GB/T2423.24—19952:Sa:

陽輻射

(IEC60068-2-5:1975,IDT)

半導(dǎo)體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.1—200610:(IEC60747-10:1991,IDT)

識(shí)別卡測(cè)試方法第部分一般特性測(cè)試

GB/T17554.1—20061:

識(shí)別卡測(cè)試方法第部分帶觸點(diǎn)的集成電路卡及其相關(guān)接口設(shè)備

GB/T17554.3—20063:

識(shí)別卡測(cè)試方法第部分鄰近式卡

GB/T17554.7—20107:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.2