GB/Z 32490-2016表面化學(xué)分析X射線光電子能譜確定本底的程序

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

GB/Z32490—2016/ISO/TR183922005

:

表面化學(xué)分析X射線光電子能譜

確定本底的程序

Surfacechemicalanalysis—X-rayphotoelectronspectroscopy—

Proceduresfordeterminingbackgrounds

(ISO/TR18392:2005,IDT)

2016-02-24發(fā)布2017-01-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/Z32490—2016/ISO/TR183922005

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

術(shù)語和定義

2………………1

縮略語

3……………………1

中本底的類型

4XPS………………………1

電子能譜圖中射線衛(wèi)星峰的扣除

5X……………………1

電子能譜圖中非彈性電子散射的估算與扣除

6…………2

概述

6.1…………………2

解析非彈性電子散射的程序

6.2………………………2

解析非彈性和彈性散射的程序

6.3……………………4

不常用的程序

6.4………………………4

表面和內(nèi)殼層空穴效應(yīng)在確定本底中的作用

6.5……………………4

確定非均勻材料的本底

6.6……………4

扣除電子能譜中非彈性散射效應(yīng)的方法比較

7…………5

參考文獻

………………………6

Ⅰ

GB/Z32490—2016/ISO/TR183922005

:

前言

本指導(dǎo)性技術(shù)文件按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本指導(dǎo)性技術(shù)文件使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析射線光電子能

ISO/TR18932:2005《X

譜確定本底的程序

》。

本指導(dǎo)性技術(shù)文件由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本指導(dǎo)性技術(shù)文件負責(zé)起草單位清華大學(xué)中山大學(xué)

:、。

本指導(dǎo)性技術(shù)文件主要起草人李展平陳建姚文清謝方艷曹立禮朱永法

:、、、、、。

Ⅲ

GB/Z32490—2016/ISO/TR183922005

:

引言

本指導(dǎo)性技術(shù)文件提供了確定射線光電子能譜本底的指南本指導(dǎo)性技術(shù)文件所描述

X(XPS)。

的確定本底方法適用于射線從固體表面和表面納米結(jié)構(gòu)中激發(fā)的光電子及俄歇電子能譜的定量

X

評估

。

射線光電子能譜中本底確定的應(yīng)用基于以下需求表面和界面層以及納米結(jié)構(gòu)的化學(xué)成分信

X:(1)

息包括隨深度變化的成分的準(zhǔn)確定量準(zhǔn)確確定各種表面組分的化學(xué)狀態(tài)從光電子能譜中獲

();(2);(3)

取固體的電子結(jié)構(gòu)信息本征譜是由中感興趣的射線輻照產(chǎn)生的光電離或光激發(fā)以及俄歇電

。XPSX

子衰減過程產(chǎn)生的并需要進一步分析因此將譜圖中的本征部分與由其他過程產(chǎn)生的譜本底分離開

,,()

來是必要的廣泛使用于本底扣除的程序在文獻[1-4]已有詳細的綜述本指導(dǎo)性技術(shù)文件總結(jié)了

。XPS。

最常用的程序及應(yīng)用包括商業(yè)軟件提供和使用的先進實驗室提供和使用的個別實驗室

,(i),(ii),(iii)

為深入理解譜中有關(guān)過程使用的

XPS。

Ⅳ

GB/Z32490—2016/ISO/TR183922005

:

表面化學(xué)分析X射線光電子能譜

確定本底的程序

1范圍

本指導(dǎo)性技術(shù)文件給出了確定射線光電子能譜中本底的指南本指導(dǎo)性技術(shù)文件適用于固體

X。

表面射線激發(fā)的光電子和俄歇電子能譜的本底確定

X。

2術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件[5]

ISO18115。

3縮略語

下列縮略語適用本文件

。

俄歇電子能譜

AES(Augerelectronspectroscopy)

分強度分析

PIA(Partialintensityanalysis)

TM電子能譜的表面定量分析

QUASES(Quantitativeanalysisofsurfacesbyelectronspectroscopy)

反射電子能量損失譜

REELS(Reflectionelectronenergylossspectroscopy)

射線光電子能譜

XPSX(X-rayphotoelectronspectroscopy)

4XPS中本底的類型

射線照射表面激發(fā)的電子是由一次光電離過程產(chǎn)生的光電子或者芯能級空穴的衰減過程引起的

X

俄歇電子樣品中的非彈性散射電子二次電子級聯(lián)碰撞以及在非單色射線照射下由射線伴線和

。、XX

韌致輻射激發(fā)的光電子均對譜即電子能量分布有貢獻構(gòu)成了本底在實際中通常沒有必要

(),。XPS,

確定在低能端的二次電子級聯(lián)碰撞的本底

。

本指導(dǎo)性技術(shù)文件第章描述了扣除衛(wèi)星峰的方法第章描述了扣除非彈性電子散射方法

5,6,

第章簡單比較了從電子能譜圖中扣除非彈性電子散射效應(yīng)各種程序的使用效果

7。

注1在某些情況下本征部分的強度由無損失的主峰和與產(chǎn)生芯能級空穴相聯(lián)系的各種電子激發(fā)構(gòu)成有時把

:,“”。

后者的本征貢獻表述為本征本底鑒別各種本征損失峰和測量它們的強度對的定量應(yīng)用是重要的

“”。XPS。

注2由噪聲引起的分析信號隨時間的波動會導(dǎo)致信號強度的不確定性本指導(dǎo)性技術(shù)文件所討論的本底類型不

:。

包括噪聲對強度的貢獻