標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 7274-1987 電子管極間電容測(cè)試方法》是針對(duì)電子管內(nèi)部不同電極之間存在的電容值進(jìn)行測(cè)量的一種標(biāo)準(zhǔn)化方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于各種類型的電子管，包括但不限于三極管、四極管等。其主要目的是為了提供一套統(tǒng)一的測(cè)試流程和技術(shù)要求，以確保不同實(shí)驗(yàn)室或生產(chǎn)環(huán)境中獲得的數(shù)據(jù)具有可比性和準(zhǔn)確性。
根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)，首先需要準(zhǔn)備合適的測(cè)試設(shè)備，這些設(shè)備應(yīng)當(dāng)能夠滿足特定頻率下的高精度測(cè)量需求。接著，在進(jìn)行正式測(cè)試之前，必須保證被測(cè)電子管處于良好的工作狀態(tài)，并按照規(guī)定條件預(yù)熱足夠時(shí)間。對(duì)于不同的電子管類型及其具體參數(shù)（如極間距離），標(biāo)準(zhǔn)還給出了相應(yīng)的建議性操作指南。
在實(shí)際測(cè)量過程中，《GB/T 7274-1987》詳細(xì)描述了如何正確連接測(cè)試電路以及如何讀取和記錄數(shù)據(jù)的方法。它強(qiáng)調(diào)了在整個(gè)測(cè)試過程中保持環(huán)境溫度穩(wěn)定的重要性，并對(duì)可能影響結(jié)果準(zhǔn)確性的因素進(jìn)行了分析。此外，對(duì)于某些特殊情況下可能出現(xiàn)的問題，例如當(dāng)遇到非線性特性較強(qiáng)的電子管時(shí)，也提供了具體的解決方案或調(diào)整方案。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 7274-2015
- 1987-02-19 頒布
- 1987-12-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
UDC621.385.1：621.317.33L35中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB7274-87電子管極間電容測(cè)試方法Methodsforrthemeasurementtofdirectinterelectrode.Capacitancesoffelectronictubesandvalves1987-02-19發(fā)布1987-12-01實(shí)施國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)局批準(zhǔn)
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)UDC&1.385.1:621.817電子管極間電容測(cè)試方法福33GB7274-87Methodsforthemeasuremeatdfdirectiaterelectrodecapacitancesorelectroaicibesaedvalyes本標(biāo)準(zhǔn)適用下列各類電子管極間電容的測(cè)量：收訊管、陰極射線管、充氣管、光電管和光電倍增管、大功率真空管。它規(guī)定了以下測(cè)試方法：電橋法分壓祛。具體采用的測(cè)試方法應(yīng)在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。1定義1.1電子管元件直接影響電子管工作并與外部連接的電子管任何組成部分。1.2電子管電極具有一個(gè)或多個(gè)功能的導(dǎo)電元件。這些功能是：發(fā)射電子或離子，收集電子或離子，用電場(chǎng)來控制電子或離子的運(yùn)動(dòng)。1.3電子管燈絲由通過它本身的電流直接加熱的一種熱陰極。通常為絲形或帶形。1.4電子管極間電客在規(guī)定的條件下，在指定的電極間或電極與元件之間的電容。1.4.1輸入電容當(dāng)輸出電極接地時(shí)，輸人電極與所有其它連在一起的電般及元件間的電容。1.4.2輸出電客當(dāng)輸人電極接地時(shí)，輸出電極與所有其它連在一起的電極及元件間的電容.1.4.3翔合電容在復(fù)合管和李生管中，當(dāng)其它元件及電極接地時(shí)，，一個(gè)單元中的一個(gè)電極同另一個(gè)單元中一個(gè)電極間的電容。一般要求2.1極間電容的測(cè)試，應(yīng)在GB2421-81《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則》規(guī)定的正常大氣條件下（環(huán)境溫度15～35℃，相對(duì)程度為45%～75%以及氣壓為86～106kPa）進(jìn)行。2.2極間電容的測(cè)量相對(duì)誤差不應(yīng)高于：在測(cè)量小于0.001pF電容時(shí)，±20%，在測(cè)量0.001至0.1pF電容時(shí)，士10%。在
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