GB/T 6590-1998半導體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范

ICS31.080.20L43中華人民共和國國家標準GB/T_6590一1998idtIEC747-6-2:1991QC750111半導體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范Semiconductordevices-DiscretedevicesPart6：ThyristorsSectionTwo-Blankdetailspecificationforbidirectionaltriodethyristors(triacs）ambientorcase-rated，upto100A1998-11-17發(fā)布1999-06-01實施國家質量技術監(jiān)督局發(fā)布

GB/T6590—1998本規(guī)范等同采用IEC747-6-2:1991《半導體器件分立器件100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范》。本規(guī)范是國家標準GB/T6590—1986的修訂版。本規(guī)范與GB/T6590一1986的主要差別是：在第4章中增加了電流與溫度的降額曲線;刪去了C2c和C2d的分組號，該組的內容合并到C2b分組，并調整了引用總規(guī)范及分規(guī)范的標準號。除非另有規(guī)定，本規(guī)范第8章中引用的條款號對應于GB/T4589.1一1989(半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》(IEC747-10:1984)的條款號，測試方法引自GB/T15291一1994《半導體分立器件和集成電路第6部分：閘流晶體管》（IEC747-6:1991):試驗方法引自GB/T4937一1995《半導體器件機械和氣候試驗方法》IEC749:1984)。本規(guī)范由中華人民共和國電子工業(yè)部提出本規(guī)范由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本規(guī)范由電子工業(yè)部標準化研究所負責起草，本規(guī)范主要起草人：于志賢、楊志丹、顧康麟

GB/T6590—1998IEC前言1）IC(國際電工委員會)在技術問題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議,是由對這些問題特別關切的國家委員會參加的技術委員會制定的，對所涉及的問題盡可能地代表了國際上的一致意見。2）這些決議或協(xié)議,以推薦標準的形式供國際上使用，并在此意義上為各國家委員會所認可。3）為了促進國際間的統(tǒng)一,IEC希望各國家委員會在本國條件許可的情況下,采用IEC標準的文本作為其國家標準,IEC標準與相應國家標準之間的差異，應盡可能在國家標準中指明。本標準由IEC第47技術委員會(半導體器件)制定。本標準是100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流品體管空白詳細規(guī)范本標準文本以下列文件為依據(jù)：六個月法表決報告47（C098647（C0)1099表決批準本標準的所有資料可在上表所列的表決報告中查閱。本標準封面上的QC號是IEC電子元器件質量評定體系(IECQ)的規(guī)范號。本標準中引用的其他IEC標準：IEC68-2-17:1978基本環(huán)境試驗程序，第2部分：試驗，試驗Q:密封IEC191-2:1966半導體器件的機械標準化，第2部分：尺寸(在修訂中)IEC747-6:1983半導體器件分立器件第6部分;閘流晶體管IEC747-10:1984半導體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范IEC747-11:1985半導體器件第11部分：分立器件分規(guī)范IEC749:1984半導體器件機械和氣候試驗方法

中華人民共和國國家標準半導體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第二篇100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細規(guī)范GB/T6590—1998idtiec747-6-2：1991QC75017Semiconductordeyices-Discretedevices花褲G/6590-1986Part6：ThyristorsSectionTwo-Blankdetailspecificationforbidirectionaltriodethyristors（triacs），ambientorcase-rated.upto100A本空白詳細規(guī)范規(guī)定了制定100A以下(含100A)環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流品體管(包括快速型)詳細規(guī)范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規(guī)范應盡可能與本空白詳細規(guī)范相一致。本空白詳細規(guī)范是與GB/T4589.1一1989《半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10:1984)和GB/T12560～1990《半導體器件分立器件分規(guī)范》IEC747-11：1985)有關的一系列空白詳細規(guī)范中的一個。要求資料下列所要求的各項內容，應列入規(guī)定的相應的空欄內。詳細規(guī)范的識別：17授權起草詳細規(guī)范的國家標準機構的名稱，L2JIECQ詳細規(guī)范號。L3]總規(guī)范號和分規(guī)范號以及年代號?！?詳細規(guī)范號、發(fā)布日期和國家體系要求的更多的資料器件的識別：L57器件型號。【6]典型結構和應用資料。如果設計一種器件滿足著干應用,則應在詳細規(guī)范中指出。這些應用的特性、極限值和檢驗要求均應予以滿足。如果器件對靜電敏感，或含有害物質，例如氧化鍍,則應在詳細規(guī)范中附加注意事項。L7外形圖和(或)引用有關的外形標準。L87質量評定類別?！?】能在各器件型號之間比較的最重