第五章 存儲(chǔ)器系統(tǒng)

第5章存儲(chǔ)器還有什么事來(lái)著？第5章：存儲(chǔ)器系統(tǒng)主要內(nèi)容存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件存儲(chǔ)器芯片的擴(kuò)展及其與系統(tǒng)總線(xiàn)的連接微機(jī)系統(tǒng)中存儲(chǔ)器的體系結(jié)構(gòu)高速緩沖存儲(chǔ)器Cache§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)(包括微機(jī))硬件系統(tǒng)的重要組成部分，有了存儲(chǔ)器，計(jì)算機(jī)才具有“記憶”功能，才能把程序及數(shù)據(jù)的代碼保存起來(lái)，才能使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)脫離人的干預(yù)，而自動(dòng)完成信息處理的功能。

程序的自動(dòng)運(yùn)行§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件存儲(chǔ)器系統(tǒng)的三項(xiàng)主要性能指標(biāo):存儲(chǔ)容量是存儲(chǔ)器系統(tǒng)的首要性能指標(biāo)，因?yàn)榇鎯?chǔ)容量越大，則系統(tǒng)能夠保存的信息量就越多，相應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的功能就越強(qiáng)；存儲(chǔ)器的存取速度直接決定了整個(gè)微機(jī)系統(tǒng)的運(yùn)行速度，因此，存取速度也是存儲(chǔ)器系統(tǒng)的重要的性能指標(biāo)；存儲(chǔ)器的成本也是存儲(chǔ)器系統(tǒng)的重要性能指標(biāo)。為了在存儲(chǔ)器系統(tǒng)中兼顧以上三個(gè)方面的指標(biāo)，目前在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中通常采用三級(jí)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，即使用高速緩沖存儲(chǔ)器、主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，由這三者構(gòu)成一個(gè)統(tǒng)一的存儲(chǔ)系統(tǒng)。從整體看，其速度接近高速緩存的速度，其容量接近輔存的容量，而其成本則接近廉價(jià)慢速的輔存平均價(jià)格。也就是說(shuō)，采用了一種層次化的體系結(jié)構(gòu)。

§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件存儲(chǔ)器的分類(lèi)1.按構(gòu)成存儲(chǔ)器的器件和存儲(chǔ)介質(zhì)分類(lèi)

主要可分為：磁芯存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、光電存儲(chǔ)器、磁膜、磁泡和其它磁表面存儲(chǔ)器以及光盤(pán)存儲(chǔ)器等。2.按制造工藝雙極型：速度快、集成度低、功耗大MOS型：速度慢、集成度高、功耗低§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件3.按使用屬性（存取方式）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM（RandomAccessMemory）：

又稱(chēng)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器，指能夠通過(guò)指令隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)其中各個(gè)單元進(jìn)行讀/寫(xiě)操作的一類(lèi)存儲(chǔ)器。可讀可寫(xiě)、斷電丟失。

按照存放信息原理的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又可分為兩種：

靜態(tài)：雙穩(wěn)態(tài)元件，不斷電不丟失；

動(dòng)態(tài)：極間電容，需要刷新?！?.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件只讀存儲(chǔ)器ROM（Read-OnlyMemory）：

在微機(jī)系統(tǒng)的在線(xiàn)運(yùn)行過(guò)程中，只能對(duì)其進(jìn)行讀操作，而不能進(jìn)行寫(xiě)操作的一類(lèi)存儲(chǔ)器。

ROM通常用來(lái)存放固定不變的程序、漢字字型庫(kù)、字符及圖形符號(hào)等。正常只讀、斷電不丟失。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，只讀存儲(chǔ)器也出現(xiàn)了不同的種類(lèi)。

§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件4.按在微機(jī)系統(tǒng)中位置分類(lèi)主存儲(chǔ)器：又稱(chēng)為系統(tǒng)的主存或者內(nèi)存，位于系統(tǒng)主機(jī)的內(nèi)部，CPU可以直接對(duì)其中的單元進(jìn)行讀/寫(xiě)操作；輔存存儲(chǔ)器：又稱(chēng)外存，位于系統(tǒng)主機(jī)的外部，CPU對(duì)其進(jìn)行的存/取操作，必須通過(guò)內(nèi)存才能進(jìn)行；緩沖存儲(chǔ)器：位于主存與CPU之間，其存取速度非常快，但存儲(chǔ)容量更小，可用來(lái)解決存取速度與存儲(chǔ)容量之間的矛盾，提高整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行速度。

詳細(xì)分類(lèi)，請(qǐng)看圖示§5.1：圖5.1存儲(chǔ)器的分類(lèi)主存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器（ROM）隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài)RAM（SRAM）動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）非易失RAM（NVRAM）掩膜式ROM一次性可編程ROM（PROM）紫外線(xiàn)擦除可編程ROM（EPROM）電擦除可編程ROM（EEPROM）快擦型存儲(chǔ)器輔助存儲(chǔ)器磁盤(pán)磁帶光盤(pán)緩沖存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件除采用磁、光原理的輔存外，其它存儲(chǔ)器主要都是采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器本章介紹采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其組成主存的方法CPUCACHE主存（內(nèi)存）輔存（外存）§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件二.選擇存儲(chǔ)器要考慮的因素易失性只讀性存儲(chǔ)容量速度功耗價(jià)格§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件每個(gè)存儲(chǔ)單元具有一個(gè)唯一的地址，可存儲(chǔ)1位（位片結(jié)構(gòu)）或多位（字片結(jié)構(gòu)）二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量與地址、數(shù)據(jù)線(xiàn)個(gè)數(shù)有關(guān)：芯片的存儲(chǔ)容量 ＝存儲(chǔ)單元數(shù)×存儲(chǔ)單元的位數(shù)＝2M×N

M：芯片的地址線(xiàn)根數(shù)

N：芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)根數(shù)

示例：32K×8的SRAM芯片6225612345678910111213141516171819202122232425262728A14A12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD3D4D5D6D7CSA10OEA11A9A8A13WEVcc62256引腳圖A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0OECSWED7D6D5D4D3D2D1D062256邏輯圖M=15,N=8§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件四隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAMRAM(RandomAccessMemory)意指隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其工作特點(diǎn)是：在微機(jī)系統(tǒng)的工作過(guò)程中，可以隨機(jī)地對(duì)其中的各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀／寫(xiě)操作。讀寫(xiě)存儲(chǔ)器分為靜態(tài)RAM與動(dòng)態(tài)RAM兩種?！?.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件

SRAM的基本存儲(chǔ)單元是觸發(fā)器電路每個(gè)基本存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)一位許多個(gè)基本存儲(chǔ)單元形成行列存儲(chǔ)矩陣每個(gè)存儲(chǔ)單元存放多位（4、8、16等）每個(gè)存儲(chǔ)單元具有一個(gè)地址SRAM2114SRAM6264典型芯片1.靜態(tài)RAM（SRAM）第5章：SRAM芯片2114存儲(chǔ)容量為1024×418個(gè)引腳：10根地址線(xiàn)A9～A04根數(shù)據(jù)線(xiàn)I/O4～I(xiàn)/O1片選CS*讀寫(xiě)WE*123456789181716151413121110VccA7A8A9I/O1I/O2I/O3I/O4WE*A6A5A4A3A0A1A2CS*GNDSRAM2114的功能工作方式CS*WE*I/O4~I/O1未選中讀操作寫(xiě)操作100×10高阻輸出輸入第5章：SRAM芯片6264存儲(chǔ)容量為8K×828個(gè)引腳：13根地址線(xiàn)A12～A08根數(shù)據(jù)線(xiàn)D7～D0片選CS1*、CS2讀寫(xiě)WE*、OE*+5VWE*CS2A8A9A11OE*A10CS1*D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND12345678910111213142827262524232221201918171615SRAM6264的功能工作方式CS1*CS2WE*OE*D7~D0未選中未選中讀操作寫(xiě)操作1×00×011××01××10高阻高阻輸入輸出2.動(dòng)態(tài)RAM（需要?jiǎng)討B(tài)刷新電路才能保持信息）利用電容存儲(chǔ)電荷的原理來(lái)保存信息，它將晶體管結(jié)電容的充電狀態(tài)和放電狀態(tài)分別作為1和0。必須配備“讀出再生放大電路”進(jìn)行刷新DRAM2164典型芯片§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件組成單元速度集成度應(yīng)用SRAM觸發(fā)器快低小容量系統(tǒng)DRAM極間電容慢高大容量系統(tǒng)NVRAM帶微型電池慢低小容量非易失§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件只讀存儲(chǔ)器ROM

指在微機(jī)系統(tǒng)的在線(xiàn)運(yùn)行過(guò)程中，只能對(duì)其進(jìn)行讀操作，而不能進(jìn)行寫(xiě)操作的一類(lèi)存儲(chǔ)器，因此一個(gè)顯著的特點(diǎn)是非易失性。用于存取不需要經(jīng)常改變的信息。在不斷發(fā)展變化的過(guò)程中，ROM器件也產(chǎn)生了掩模ROM、PROM、EPROM、EEPROM等各種不同類(lèi)型。

§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改可編程ROM（PROM）：允許一次編程，此后不可更改，寫(xiě)入過(guò)程稱(chēng)為固化程序EPROM：用紫外光擦除，擦除后可編程；并允許用戶(hù)多次擦除和編程EPROM頂部開(kāi)有一個(gè)圓形的石英窗口，用于紫外線(xiàn)透過(guò)擦除原有信息一般使用專(zhuān)門(mén)的編程器（燒寫(xiě)器）編程編程后，應(yīng)該貼上不透光封條EPROM2716EPROM2764EPROM芯片2716存儲(chǔ)容量為2K×824個(gè)引腳：11根地址線(xiàn)A10～A08根數(shù)據(jù)線(xiàn)DO7～DO0片選/編程CE*/PGM讀寫(xiě)OE*編程電壓VPPVDDA8A9VPPOE*A10CE*/PGMDO7DO6DO5DO4DO3123456789101112242322212019181716151413A7A6A5A4A3A2A1A0DO0DO1DO2VssEPROM芯片2764存儲(chǔ)容量為8K×828個(gè)引腳：13根地址線(xiàn)A12～A08根數(shù)據(jù)線(xiàn)D7～D0片選CE*編程PGM*讀寫(xiě)OE*編程電壓VPPVppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDVccPGM*NCA8A9A11OE*A10CE*D7D6D5D4D312345678910111213142827262524232221201918171615EPROM2764的功能工作方式CE*OE*PGM*A9VPPDO7~DO0讀出001×＋5V輸出讀出禁止011×＋5V高阻待用1×××＋5V高阻Intel標(biāo)識(shí)00＋12V1＋5V輸出編碼標(biāo)準(zhǔn)編程01負(fù)脈沖×＋25V輸入Intel編程01負(fù)脈沖×＋25V輸入編程校驗(yàn)001×＋25V輸出編程禁止1×××＋25V高阻EEPROM（E2PROM）：采用加電方法在線(xiàn)進(jìn)行擦除和編程，用加電方法，進(jìn)行在線(xiàn)（無(wú)需拔下，直接在電路中）擦寫(xiě)（擦除和編程一次完成）。也可多次擦寫(xiě)有字節(jié)擦寫(xiě)、塊擦寫(xiě)和整片擦寫(xiě)方法并行EEPROM：多位同時(shí)進(jìn)行串行EEPROM：只有一位數(shù)據(jù)線(xiàn)EEPROM芯片2864A存儲(chǔ)容量為8K×828個(gè)引腳：13根地址線(xiàn)A12～A08根數(shù)據(jù)線(xiàn)I/O7～I(xiàn)/O0片選CE*讀寫(xiě)OE*、WE*VccWE*NCA8A9A11OE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GND12345678910111213142827262524232221201918171615§5.1存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器件FlashMemory（閃存）：能夠快速擦寫(xiě)的EEPROM，但只能按塊（Block）擦除快擦型存儲(chǔ)器是不用電池供電的、高速耐用的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它以性能好、功耗低、體積小、重量輕等特點(diǎn)活躍于便攜機(jī)(膝上型、筆記本型等)存儲(chǔ)器市場(chǎng)，但價(jià)格較貴?？觳列痛鎯?chǔ)器具有EEPROM的特點(diǎn)，又可在計(jì)算機(jī)內(nèi)進(jìn)行擦除和編程，它的讀取時(shí)間與DRAM相似，而寫(xiě)時(shí)間與磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)?？觳列痛鎯?chǔ)器有5V或12V兩種供電方式。對(duì)于便攜機(jī)來(lái)講，用5V電源更為合適。快擦型存儲(chǔ)器操作簡(jiǎn)便，編程、擦除、校驗(yàn)等工作均已編成程序，可由配有快擦型存儲(chǔ)器系統(tǒng)的中央處理機(jī)予以控制?！?.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展一、存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接在微型系統(tǒng)中，CPU對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫(xiě)操作，首先要由地址總線(xiàn)給出地址信號(hào)，選擇要進(jìn)行讀/寫(xiě)操作的存儲(chǔ)單元，然后通過(guò)控制總線(xiàn)發(fā)出相應(yīng)的讀/寫(xiě)控制信號(hào)，最后才能在數(shù)據(jù)總線(xiàn)上進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。所以，存儲(chǔ)器芯片與CPU之間的連接，實(shí)質(zhì)上就是其與系統(tǒng)總線(xiàn)的連接，包括：地址線(xiàn)的連接；數(shù)據(jù)線(xiàn)的連接；控制線(xiàn)的連接；§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展存儲(chǔ)芯片與CPU總線(xiàn)的連接，有兩個(gè)很重要的問(wèn)題：CPU的總線(xiàn)負(fù)載能力CPU能否帶動(dòng)總線(xiàn)上包括存儲(chǔ)器在內(nèi)的連接器件？存儲(chǔ)芯片與CPU總線(xiàn)時(shí)序的配合CPU能否與存儲(chǔ)器的存取速度相配合？§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展CPU的總線(xiàn)驅(qū)動(dòng)能力有限單向傳送的地址和控制總線(xiàn)，可采用三態(tài)鎖存器和三態(tài)單向驅(qū)動(dòng)器等來(lái)加以鎖存和驅(qū)動(dòng)雙向傳送的數(shù)據(jù)總線(xiàn)，可以采用三態(tài)雙向驅(qū)動(dòng)器來(lái)加以驅(qū)動(dòng)§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展1.存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)2.存儲(chǔ)芯片的地址線(xiàn)3.存儲(chǔ)芯片的片選端4.存儲(chǔ)芯片的讀寫(xiě)控制線(xiàn)§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展若芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)正好8根：一次可從芯片中訪問(wèn)到8位數(shù)據(jù)全部數(shù)據(jù)線(xiàn)與系統(tǒng)的8位數(shù)據(jù)總線(xiàn)相連若芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)不足8根：一次不能從一個(gè)芯片中訪問(wèn)到8位數(shù)據(jù)利用多個(gè)芯片擴(kuò)充數(shù)據(jù)位這個(gè)擴(kuò)充方式簡(jiǎn)稱(chēng)“數(shù)據(jù)寬度的擴(kuò)充或位擴(kuò)充”1.數(shù)據(jù)線(xiàn)2114（1）A9～A0I/O4～I(xiàn)/O1片選D3～D0D7～D4A9～A02114（2）A9～A0I/O4～I(xiàn)/O1CECE多個(gè)位擴(kuò)充的存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)連接于系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線(xiàn)的不同位數(shù)其它連接都一樣這些芯片應(yīng)被看作是一個(gè)整體常被稱(chēng)為“芯片組”位擴(kuò)充§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展芯片的地址線(xiàn)通常應(yīng)全部與系統(tǒng)的低位地址總線(xiàn)相連尋址時(shí)，這部分地址的譯碼是在存儲(chǔ)芯片內(nèi)完成的，我們稱(chēng)為“片內(nèi)譯碼”2.地址線(xiàn)第5章：片內(nèi)譯碼A9～A0存儲(chǔ)芯片000H001H002H…3FDH3FEH3FFH全0全1000000000000000000010000000010…111111110111111111101111111111范圍（16進(jìn)制)A9~A0§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展存儲(chǔ)系統(tǒng)常需利用多個(gè)存儲(chǔ)芯片擴(kuò)充容量，也就是擴(kuò)充了主存儲(chǔ)器地址范圍這種擴(kuò)充簡(jiǎn)稱(chēng)為“地址擴(kuò)充”或“字?jǐn)U充”進(jìn)行“地址擴(kuò)充”，需要利用存儲(chǔ)芯片的片選端對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)芯片（組）進(jìn)行尋址這個(gè)尋址方法，主要通過(guò)將存儲(chǔ)芯片的片選端與系統(tǒng)的高位地址線(xiàn)相關(guān)聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn)3.片選（字?jǐn)U充）片選端D7～D0A19～A10A9～A0A9～A0D7～D0CE1K×8（1）A9～A0D7～D0CE譯碼器000000000100000000001K×8（2）A19A18A17A16A15A14～A0

全0～全1D7～D027256EPROMA14～A0CE第5章：片選端常有效令芯片（組）的片選端常有效不與系統(tǒng)的高位地址線(xiàn)發(fā)生聯(lián)系芯片（組）總處在被選中的狀態(tài)雖簡(jiǎn)單易行、但無(wú)法再進(jìn)行地址擴(kuò)充，會(huì)出現(xiàn)“地址重復(fù)”×表示任意（0或1均可）§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展譯碼：將某個(gè)特定的“編碼輸入”翻譯為唯一“有效輸出”的過(guò)程譯碼電路可以使用門(mén)電路組合邏輯譯碼電路更多的是采用集成譯碼器常用的2:4譯碼器：74LS139常用的3:8譯碼器：74LS138常用的4:16譯碼器：74LS154⑴譯碼和譯碼器§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展（2）常用的譯碼方法：全譯碼、部分譯碼、線(xiàn)譯碼全譯碼：所有的系統(tǒng)地址線(xiàn)均參與對(duì)存儲(chǔ)單元的譯碼尋址，采用全譯碼，每個(gè)存儲(chǔ)單元的地址都是唯一的，不存在地址重復(fù)譯碼電路可能比較復(fù)雜、連線(xiàn)也較多全譯碼示例A15A14A13A16CBAE3138

2764A19A18A17A12～A0CEY6E2E1IO/M1C000H1DFFFH全0全100011100001110地址范圍A12~A0A19A18A17A16A15A14A13§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展部分譯碼：只有部分高位地址線(xiàn)參與對(duì)存儲(chǔ)芯片的譯碼每個(gè)存儲(chǔ)單元將對(duì)應(yīng)多個(gè)地址（地址重復(fù)），需要選取一個(gè)可用地址可簡(jiǎn)化譯碼電路的設(shè)計(jì)但系統(tǒng)的部分地址空間將被浪費(fèi)部分譯碼示例138A17

A16A11～A0A14

A13A12(4)(3)(2)(1)2732273227322732CBAE3E2E1IO/MCECECECEY0Y1Y2Y3A19~A15A14~

A12A11~A0一個(gè)可用地址1234××10×××10×××10×××10×000001010011全0~全1全0~全1全0~全1全0~全120000H~20FFFH21000H~21FFFH22000H~22FFFH23000H~23FFFH§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展線(xiàn)選譯碼：只用少數(shù)幾根高位地址線(xiàn)進(jìn)行芯片的譯碼，且每根負(fù)責(zé)選中一個(gè)芯片（組）雖構(gòu)成簡(jiǎn)單，但地址空間嚴(yán)重浪費(fèi)必然會(huì)出現(xiàn)地址重復(fù)（一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)多個(gè)存儲(chǔ)地址）一個(gè)存儲(chǔ)地址會(huì)對(duì)應(yīng)多個(gè)存儲(chǔ)單元多個(gè)存儲(chǔ)單元共用的存儲(chǔ)地址不應(yīng)使用示例線(xiàn)選譯碼示例A14A12～A0A13(1)2764(2)2764

CECEA19~

A15A14A13A12~A0一個(gè)可用地址12××××××××××1001全0~全1全0~全104000H~05FFFH02000H~03FFFH切記：

A14A13＝00的情況不能出現(xiàn)00000H～01FFFH的地址不可使用§5.2存儲(chǔ)器芯片與CPU的連接及其擴(kuò)展片選端譯碼小結(jié)存儲(chǔ)芯片的片選控制端可以被看作是一根最高位地址線(xiàn)在系統(tǒng)中，主要與地址發(fā)生聯(lián)系：包括地址空間的選擇（例如接系統(tǒng)的IO/M*信號(hào)）和高位地址的譯碼選擇（與系統(tǒng)的高位地址線(xiàn)相關(guān)聯(lián)）對(duì)一些存儲(chǔ)芯片通過(guò)片選無(wú)效可關(guān)閉內(nèi)部的輸出驅(qū)動(dòng)機(jī)制，起到降低功耗的作用第5章：4.存儲(chǔ)芯片的讀寫(xiě)控制芯片OE*與系統(tǒng)的讀命令線(xiàn)相連當(dāng)芯片被選中、且讀命令有效時(shí)，存儲(chǔ)芯片將開(kāi)放并驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)到總線(xiàn)芯片WE*與系統(tǒng)的寫(xiě)命令線(xiàn)相連當(dāng)芯片被選中、且寫(xiě)命令有效時(shí)，允許總線(xiàn)數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)芯片二存儲(chǔ)芯片的擴(kuò)展位擴(kuò)充（數(shù)據(jù)寬度的擴(kuò)充）當(dāng)實(shí)際存儲(chǔ)芯片每個(gè)單元的位數(shù)和系統(tǒng)需要內(nèi)存單元字長(zhǎng)不等時(shí)采用的方法。字?jǐn)U充（字節(jié)數(shù)的擴(kuò)充）當(dāng)存儲(chǔ)芯片上每個(gè)存儲(chǔ)單元的字長(zhǎng)已滿(mǎn)足要求，但存儲(chǔ)單元的個(gè)數(shù)不夠，需要增加的是存儲(chǔ)單元的數(shù)量，就稱(chēng)為字?jǐn)U展。字位擴(kuò)充需要同時(shí)進(jìn)行位擴(kuò)充和字?jǐn)U充才能滿(mǎn)足系統(tǒng)存儲(chǔ)容量需求的方法稱(chēng)為字位擴(kuò)充。（字?jǐn)U充）片選端D7～D0A19～A10A9～A0A9～A0D7～D0CE1K×8（1）A9～A0D7～D0CE譯碼器000000000100000000001K×8（2）2114（1）A9～A0I/O4～I(xiàn)/O1片選D3～D0D7～D4A9～A02114