GB/T 4937.2-2006半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第2部分：低氣壓

ICS31.080.1L40中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002部分代替GB/T4937-1995半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第2部分;低氣壓Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part2：Lowairpressure(IEC60749-2:2002,IDT)2006-08-23發(fā)布2007-02-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第2部分：低氣壓GB/T4937.2-2006/1EC60749-2:2002中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045電話：01051299090.685220062007年1月第一版書號(hào)：155066·1-27687版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68522006

GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002本部分是GB/T4937《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》的第2部分。。下面列出了本標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)計(jì)結(jié)構(gòu)：-第1部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第1部分：總則》(IEC60749-1）第第2部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第2部分：低氣壓》IEC60749-2)第3部分《半導(dǎo)體器件機(jī)機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分：外部目檢》(IEC60749-3)第4部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST)》（IEC60749-4）第5部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第5部分：穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)》（IEC60749-5）第6部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第6部分：高溫存》IEC60749-6)第7部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第7部分：內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析》IEC60749-7）第8部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第8部分：密封》(IEC60749-8)第9部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第9部分：標(biāo)志耐久性》(IEC60749-9)第10部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第10部分：機(jī)械沖擊》(IEC60749-10)第11部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第11部分：快速溫度變化一雙液槽法》(IEC60749-11)第12部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第12部分：變頻振動(dòng)》IEC60749-12)第13部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第13部分：鹽氣》(IEC60749-13)第14部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第14部分：引線牢固性(引線強(qiáng)度)》（IEC60749-14）機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第15部分《半導(dǎo)體器件第第15部分：通孔安裝器件的耐焊接熱》(IEC60749-15）第19部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第19部分：芯片剪切強(qiáng)度》(IEC60749-19）第20部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：塑封表面安裝器件的耐濕和耐焊接熱》（IEC60749-20）第21部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第21部分：可焊性》IEC60749-21)第22部分《半導(dǎo)體器件械和氣候試驗(yàn)方法第22部分：鍵合強(qiáng)度》IEC60749-22)第25部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法：第25部分;快速溫度變化(空氣一空氣)》（IEC60749-25）-第31部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第31部分：塑封器件的易燃性(內(nèi)部引起的)》(IEC60749-31）第32部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第32部分：塑封器件的易燃性(外部引起的）》IEC60749-32)第36部分《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第36部分：恒定加速度》IEC60749-36)GB/T4937的第2部分等同采用IEC60749-2：2002《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法：第2部分：低氣壓》英文版)。

GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002為便于使用，本部分做了下列編輯性修改：“）用小數(shù)點(diǎn)"."代替作為小數(shù)點(diǎn)的迎號(hào)","：b）刪除國際標(biāo)準(zhǔn)的前言。本部分代替GB/T4937—1995《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》中第Ⅱ篇第3章低氣壓本部分與GB/T4937—1995第山篇第3章低氣壓的主要差異為：本部分規(guī)定了完整的低氣壓試驗(yàn)方法.而GB/T4937—1995第Ⅱ篇第3章低氣壓是在引用GB2423.21《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M:低氣壓試驗(yàn)方法》的基礎(chǔ)上規(guī)定了半導(dǎo)體器件的特殊要求，本部分由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本部分由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本部分起草單位：中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所本部分主要起草人：崔波、陳海蓉。本部分第一次修訂。

GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002本試驗(yàn)是模擬飛機(jī)或其他飛行器在高室飛行中所遇到的低氣壓條件來進(jìn)行的。即使低氣壓不會(huì)使介質(zhì)完全擊穿.但會(huì)增強(qiáng)電暈放電及其介質(zhì)損耗和電離等有害影響。此項(xiàng)模擬高空條件的試驗(yàn)還可以用來檢驗(yàn)低氣壓下的其他效應(yīng)(其中包括絕緣材料介電常數(shù)的變化和稀薄空氣使元器件散熱能力降低）對(duì)元器件工作特性的影響，

GB/T4937.2-2006/IEC60749-2:2002半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第2部分：低氣壓1范圍本部分適用于半導(dǎo)體器件的低氣壓試驗(yàn)。本項(xiàng)試驗(yàn)的目的是測(cè)定元器件和材料避免電擊穿失效的能力.而這種失效是由于氣壓減小時(shí).空氣和其他絕緣材料的絕緣強(qiáng)度減弱所造成的。本項(xiàng)試驗(yàn)僅適用于工作電壓超過1000V的器件。本項(xiàng)試驗(yàn)適用于所有的空封半導(dǎo)體器件。本試驗(yàn)僅適用于軍事和空間領(lǐng)域。本項(xiàng)低氣壓試驗(yàn)方法和IEC60068-2-13大體上一致,但鑒于半導(dǎo)體器件的特殊要求，使用本部分條款.2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過GB/T4937的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分,然而，鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本部分。IEC60068-2-13環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)M:低氣壓3武驗(yàn)設(shè)備本試驗(yàn)所需儀器設(shè)備包括一臺(tái)真空泵、一個(gè)合適的密封室(必要時(shí).該密封室還應(yīng)具備能觀察樣品的裝置)、一臺(tái)可用于測(cè)量密封室模擬高度的氣壓表和一只能在直流到30MHz內(nèi)檢測(cè)電流的微安表或示波器。程序樣品應(yīng)按規(guī)定放置在密封室內(nèi),并按規(guī)定把氣壓減小到表1中的某個(gè)試驗(yàn)條件。把樣品保持在規(guī)定的氣壓下,對(duì)它們進(jìn)行規(guī)定的試驗(yàn)。在試驗(yàn)期間及試驗(yàn)前的20min內(nèi),試驗(yàn)