半導(dǎo)體器件物理14

§2.7晶體管的反向電流與擊穿特性晶體管有兩個(gè)PN結(jié)，在一定的反向偏壓下存在反向電流，并在反向偏壓下高到一定程度時(shí)會(huì)發(fā)生反向擊穿現(xiàn)象。晶體管的反向電流主要有：、、。反向電流對(duì)晶體管的放大作用沒(méi)有貢獻(xiàn)，它消耗了一部分電源的能量，甚至影響晶體管工作的穩(wěn)定性，因此希望反向電流盡可能小。晶體管的擊穿電壓有、、及穿通電壓。擊穿電壓決定了晶體管外加電壓的上限。晶體管的反向電流與擊穿電壓標(biāo)志著晶體管性能的優(yōu)劣與使用的電壓范圍，它們都是晶體管的主要參數(shù)。1．晶體管的反向電流（1）集電結(jié)反向電流（發(fā)射極開(kāi)路）定義為發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向電流，如圖所示。PN結(jié)的反向電流由空間電荷區(qū)外的反向擴(kuò)散電流、空間電荷區(qū)內(nèi)的產(chǎn)生電流和表面漏電流三部分構(gòu)成，即：由于隨溫度升高而呈指數(shù)增大，所以和都隨溫度的升高而呈指數(shù)增大，說(shuō)明隨溫度升高而快速增大。表面漏電流往往比、大得多，因此減小，關(guān)鍵在于減小。搞好表面處理，減少玷污，是減小表面漏電流的關(guān)鍵。→基區(qū)凈受主雜質(zhì)濃度→集電區(qū)凈施主雜質(zhì)濃度→集電結(jié)面積→集電結(jié)空間電荷區(qū)寬度（2）發(fā)射結(jié)反向電流（集電極開(kāi)路）定義為集電極開(kāi)路（）時(shí)，發(fā)射結(jié)的反向電流，如圖所示。與類同。（3）集電極發(fā)射極間的穿透電流（基極開(kāi)路）定義為基極開(kāi)路（）時(shí)，集電極－發(fā)射極間的反向電流，如圖所示。集電結(jié)加的是反向偏壓，發(fā)射結(jié)為正向偏壓。集電結(jié)反偏使空穴流向基區(qū)，并在基區(qū)積累，從而使發(fā)射結(jié)變?yōu)檎?，因此發(fā)射區(qū)就有電子注入基區(qū)，注入基區(qū)的大部分電子傳輸?shù)郊姌O形成集電極電流。同時(shí)，基區(qū)積累的空穴一部分在基區(qū)與電子復(fù)合，另一部分注入發(fā)射區(qū)與發(fā)射區(qū)電子復(fù)合。顯然，這股空穴流動(dòng)形成的電流就相當(dāng)于基極電流，亦即在基極開(kāi)路時(shí)，相當(dāng)于。所以有注：此時(shí)的是電流為時(shí)所對(duì)應(yīng)的電流放大系數(shù)，通常數(shù)值較小，此時(shí)比正常工作時(shí)的要小很多。因此，一般比大不了多少。2．晶體管的反向擊穿電壓（1）集電結(jié)反向擊穿電壓（發(fā)射極開(kāi)路）測(cè)量的原理圖如下。增大電源電壓時(shí)，反向電流隨之增加，當(dāng)反向電流增大到規(guī)定值時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓即為。在軟擊穿特性情況下（圖中乙），比集電結(jié)雪崩擊穿電壓??；在硬擊穿特性下（圖中甲），是由決定的。（2）集電極－發(fā)射極反向擊穿電壓（基極開(kāi)路）基極開(kāi)路（如圖），當(dāng)改變電源電壓時(shí)，電流隨著增加，當(dāng)?shù)玫揭?guī)定的電流值時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓即為。是晶體管在共發(fā)射極應(yīng)用時(shí)，集電極－發(fā)射極間所能承受的最大反向電壓。在基極開(kāi)路，集電結(jié)沒(méi)有發(fā)生雪崩倍增的情況下，有：1）與的關(guān)系式中，為集電結(jié)無(wú)雪崩倍增時(shí)的共基極電流放大系數(shù)。（其中）當(dāng)外加偏壓增高，集電結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)時(shí)，設(shè)倍增因子為，有：集電極－發(fā)射極反向擊穿時(shí)，令，有集電結(jié)倍增因子與外加反向電壓的關(guān)系可用經(jīng)驗(yàn)公式表示（硅的值在）可見(jiàn)，，要提高必須提高。顯然，當(dāng)時(shí)，，發(fā)生了擊穿，此時(shí)在集電極－發(fā)射極間加的反向電壓即為擊穿電壓。2）集電極－發(fā)射極反向擊穿特性曲線經(jīng)?？梢钥吹接胸?fù)阻現(xiàn)象，如圖所示。在基極開(kāi)路，外加電壓增高至?xí)r，集電結(jié)有雪崩倍增效應(yīng)發(fā)生，雪崩碰撞產(chǎn)生的空穴被集電結(jié)空間電荷區(qū)電場(chǎng)掃入基區(qū)，由于基極開(kāi)路，這些空穴不能從基區(qū)流走，而是去填充發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)，使發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)變窄，正向偏壓增大。掃入基區(qū)的空穴，也同時(shí)填充集電結(jié)空間電荷區(qū)，使其變窄，結(jié)果使集電結(jié)反向偏壓減小。雖然集電結(jié)反向偏壓減小，雪崩倍增因子減小了，但因隨集電極電流增大而增大，仍朝著趨近于1的方向增大。所以，集電極電流也仍然繼續(xù)不斷地增大，也就出現(xiàn)集電結(jié)反向偏壓減小而集電極電流卻增大的負(fù)阻現(xiàn)象。（3）發(fā)射結(jié)反向擊穿電壓（集電極開(kāi)路）如圖所示為測(cè)量的原理圖。發(fā)射極加反偏，若改變電源電壓，當(dāng)?shù)玫揭?guī)定的電流值時(shí)所對(duì)應(yīng)的發(fā)射結(jié)外加反向偏壓即為。一般與基區(qū)雜質(zhì)濃度有關(guān)。3．穿通擊穿在測(cè)量平面晶體管集電結(jié)反向擊穿特性時(shí)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)如圖所示的電流－電壓曲線。當(dāng)反向電壓超過(guò)（基區(qū)穿通電壓）時(shí)，反向電流隨電壓近似于