GB/T 38621-2020發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法

ICS31120

L63.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T38621—2020

發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法

Transientthermaltestmethodforlightemittingdiodemodules

2020-04-28發(fā)布2020-11-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T38621—2020

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

原理

4………………………2

一般要求

5…………………2

測(cè)試步驟

6…………………3

結(jié)果分析及計(jì)算

7…………………………4

測(cè)試報(bào)告

8…………………5

附錄資料性附錄相關(guān)測(cè)試結(jié)果分析示例

A()…………6

附錄規(guī)范性附錄相對(duì)熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法

B()………8

參考文獻(xiàn)

……………………10

GB/T38621—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出并歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人趙麗霞馬占紅符佳佳孫雪嬌李晉閩劉秀娟趙英

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T38621—2020

發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由單個(gè)多個(gè)發(fā)光二極管芯片或器件組成的模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法原

、(LED)LED

理一般要求測(cè)試步驟結(jié)果分析及計(jì)算測(cè)試報(bào)告

、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于單個(gè)多個(gè)芯片或器件封裝而成的模塊以及芯片或器件和其他微電子器

、LED,LED

件構(gòu)成的模塊熱特性測(cè)量其他多芯片或器件封裝而成的模塊熱特性測(cè)量也可參考

。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法

SJ/T11394—2009

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

發(fā)光二極管模塊lightemittingdiodemodule

LED模塊LEDmodule

一個(gè)或多個(gè)芯片或器件組成的發(fā)光單元

LED。

注可包括提高其光機(jī)電熱等特性的其他元器件但是并不包括電子控制裝置

:、、、,。

32

.

結(jié)溫junctiontemperature

模塊中主要發(fā)熱部分的半導(dǎo)體結(jié)的溫度

p-n。

33

.

基板溫度basetemperature

模塊功率集中區(qū)對(duì)應(yīng)的焊盤點(diǎn)或由制造商指定的測(cè)量點(diǎn)的溫度

。

34

.

熱功率heatpower

P

H

模塊處于工作狀態(tài)下由所提供電總功率減去光輻射功率所得的熱損耗功率

LED,。

35

.

熱阻thermalresistance

R

th

沿?zé)崃魍ǖ郎系臏囟炔钆c通道上耗散的熱功率之比