GB/T 36357-2018中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范

ICS31260

L53.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36357—2018

中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范

Technicalspecificationformiddlepowerlight-emittingdiodechips

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T36357—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

要求

3………………………1

檢驗(yàn)方法

4…………………3

檢驗(yàn)規(guī)則

5…………………5

包裝運(yùn)輸和儲(chǔ)存

6、…………………………9

附錄規(guī)范性附錄中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的目檢

A()…………11

附錄規(guī)范性附錄人體模式和機(jī)器模式的靜電放電敏感度分級(jí)及標(biāo)志

B()…………14

GB/T36357—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院廈門市三安光電科技有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)

:、、

公司第十三研究所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人劉秀娟趙英張戈蔡偉智張瑞霞趙敏張晨朝

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36357—2018

中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品以下簡(jiǎn)稱芯片的技術(shù)要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)

()、、

則包裝運(yùn)輸和儲(chǔ)存等

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于中功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)交變濕熱

GB/T2423.4—20082:Db:(12h+

循環(huán)

12h)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)和導(dǎo)則穩(wěn)態(tài)加

GB/T2423.15—20082:Ga:

速度

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)溫度變化

GB/T2423.22—20122:N:

半導(dǎo)體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.1—200610:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分總則

GB/T4937.1—20061:

半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法

SJ/T11394—2009

半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測(cè)試方法

SJ/T11399—2009

所有部分半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

IEC60749()(Semiconductordevices—Mechanical

andclimatictestmethods)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分芯片剪切強(qiáng)度

IEC60749-19:201019:(Semicon-

ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分鍵合強(qiáng)度

IEC60749-22:200222:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part22:Bondstrength)

3要求

31通則

.

311優(yōu)先順序

..

芯片應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)詳細(xì)規(guī)范的要求本標(biāo)準(zhǔn)的要求與相關(guān)詳細(xì)規(guī)范不一致時(shí)應(yīng)以相關(guān)詳

。,

細(xì)規(guī)范為準(zhǔn)

。

312對(duì)詳細(xì)規(guī)范的引用

..

本標(biāo)準(zhǔn)中使用按規(guī)定一詞而未指明引用的文件時(shí)即指引用相關(guān)詳細(xì)規(guī)范

“”,。

32材料和結(jié)構(gòu)

.

321材料

..

應(yīng)采用