GB/T 35308-2017太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標準

GB/T35308—2017

太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片

EpitaxialwafersofgermaniumbasedⅢ-Ⅴcompoundsforsolarcell

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T35308—2017

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC02)。

本標準起草單位天津三安光電有限公司廈門市三安光電科技有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研

:、、

究院

。

本標準主要起草人畢京鋒宋明輝李森林陳文浚吳超瑜王篤祥楊素心

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T35308—2017

太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片

1范圍

本標準規(guī)定了太陽能電池用鍺基族化合物外延片以下簡稱外延片的術(shù)語和定義分類及

Ⅲ-Ⅴ(“”)、

牌號要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標志包裝運輸貯存和質(zhì)量證明書

、、、、、、。

本標準適用于太陽能電池用鍺基族化合物外延片

Ⅲ-Ⅴ。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

GB/T6624

砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法

GB/T8758

硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

重摻型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法

GB/T24580n

原子力顯微鏡測量濺射薄膜表面粗糙度的方法

GB/T31227

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

白點whitedots

外延片上直徑大于且小于的亮點

1mm、2mm。

32

.

晶片污染wafercontamination

由于襯底加工過程或外延過程異常導(dǎo)致外延片表面形成直徑大于的非定向散光現(xiàn)象

2mm。

33

.

晶格失配度latticemismatch

數(shù)值上等于外延層晶格常數(shù)a與襯底晶格常數(shù)a之差除以襯底的晶格常數(shù)a是描述襯底與外

e00,

延層晶格匹配的常量

。

4分類及牌號

41分類

.

411外延片按照外延結(jié)構(gòu)分為晶格匹配電池外延片和晶格失配電池外延片

..。

412外延片按襯底直徑主要分為ΦΦΦ