標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 35086-2018 MEMS電場(chǎng)傳感器通用技術(shù)條件》是針對(duì)MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）電場(chǎng)傳感器制定的一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了MEMS電場(chǎng)傳感器的基本要求、性能指標(biāo)、測(cè)試方法以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等方面的要求，旨在規(guī)范這類產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制過(guò)程，促進(jìn)其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，首先明確了適用范圍，即適用于基于MEMS技術(shù)制造的用于測(cè)量電場(chǎng)強(qiáng)度或相關(guān)參數(shù)的傳感器裝置。接著，在術(shù)語(yǔ)與定義部分對(duì)涉及到的專業(yè)名詞進(jìn)行了明確界定，為后續(xù)章節(jié)的理解奠定基礎(chǔ)。

性能要求方面，《GB/T 35086-2018》提出了包括靈敏度、線性度、響應(yīng)時(shí)間等多個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)的具體數(shù)值要求，并且對(duì)于溫度特性等環(huán)境適應(yīng)能力也給予了規(guī)定，確保產(chǎn)品能夠在預(yù)期的工作條件下穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。

此外，還專門設(shè)置了測(cè)試方法章節(jié)，提供了詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)步驟來(lái)驗(yàn)證上述各項(xiàng)性能指標(biāo)是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求。這些測(cè)試涵蓋了從基本電氣性能到復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景下的表現(xiàn)評(píng)估，幫助制造商及用戶全面了解產(chǎn)品質(zhì)量狀況。


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....

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  • 2018-05-14 頒布
  • 2018-12-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

L55.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35086—2018

MEMS電場(chǎng)傳感器通用技術(shù)條件

GeneralspecificationforMEMSelectricfieldsensor

2018-05-14發(fā)布2018-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35086—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

原材料

4……………………1

傳感器組成

5………………2

技術(shù)要求

6…………………2

試驗(yàn)項(xiàng)目和方法

7…………………………4

檢驗(yàn)規(guī)則

8…………………10

標(biāo)志包裝儲(chǔ)存和運(yùn)輸

9、、…………………12

Ⅰ

GB/T35086—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心西安西谷微電子有限責(zé)任公司

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人夏善紅彭春榮李海斌鄭鳳杰程紅兵朱悅白巍

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T35086—2018

MEMS電場(chǎng)傳感器通用技術(shù)條件

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電場(chǎng)傳感器以下簡(jiǎn)稱傳感器的原材料結(jié)構(gòu)組成技術(shù)要求試驗(yàn)項(xiàng)目和

MEMS(“”)、、、

方法檢驗(yàn)規(guī)則包裝存儲(chǔ)和運(yùn)輸

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電場(chǎng)傳感器的研制生產(chǎn)和采購(gòu)其他類型的電場(chǎng)傳感器可參照使用

MEMS、。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T191

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)低溫

GB/T2423.1—20082:A:

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)高溫

GB/T2423.2—20082:B:

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)交變濕熱循

GB/T2423.42:Db(12h+12h

環(huán)

)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)和導(dǎo)則沖擊

GB/T2423.52:Ea:

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)振動(dòng)正弦

GB/T2423.102:Fc:()

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)及導(dǎo)則長(zhǎng)霉

GB/T2423.162:J:

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)鹽霧

GB/T2423.172:Ka:

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)低氣壓

GB/T2423.212:M:

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)溫度變化

GB/T2423.22—20122:N:

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.2—2006

傳感器主要靜態(tài)性能指標(biāo)計(jì)算方法

GB/T18459—2001

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語(yǔ)

GB/T26111(MEMS)

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T26111。

31

.

MEMS電場(chǎng)傳感器MEMSelectricfieldsensor

敏感元件采用微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)制造能感受電場(chǎng)

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