標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 35010.6-2018 半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品 第6部分:熱仿真要求》是針對(duì)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的熱性能仿真提出的一系列規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)旨在通過規(guī)定詳細(xì)的熱仿真方法和要求,幫助設(shè)計(jì)者更好地理解和預(yù)測半導(dǎo)體器件在實(shí)際工作條件下的熱行為,從而優(yōu)化設(shè)計(jì)、提高產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),熱仿真過程應(yīng)覆蓋從初步概念設(shè)計(jì)到最終驗(yàn)證的整個(gè)開發(fā)周期。它強(qiáng)調(diào)了使用合適的模型來準(zhǔn)確反映物理現(xiàn)象的重要性,包括但不限于材料屬性、邊界條件以及幾何形狀等因素。對(duì)于不同類型的半導(dǎo)體芯片(如功率器件、微處理器等),可能需要采用不同的建模策略和技術(shù)手段來進(jìn)行有效的熱分析。
此外,《GB/T 35010.6-2018》還特別指出,在進(jìn)行熱仿真時(shí)必須考慮環(huán)境因素對(duì)散熱效果的影響,比如空氣流動(dòng)狀態(tài)、接觸面之間的熱阻等,并且建議利用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)校準(zhǔn)仿真模型以確保其準(zhǔn)確性。同時(shí),該標(biāo)準(zhǔn)也鼓勵(lì)采用先進(jìn)的數(shù)值方法(如有限元法)來進(jìn)行復(fù)雜結(jié)構(gòu)下的精確計(jì)算。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-03-15 頒布
- 2018-08-01 實(shí)施
文檔簡介
ICS31200
L55.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T350106—2018/IEC62258-62006
.:
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品
第6部分熱仿真要求
:
Semiconductordieproducts—
Part6Reuirementsforconcerninthermalsimulation
:qg
(IEC62258-6:2006,Semiconductordieproducts—Part6:Requirementsfor
informationconcerningthermalsimulation,IDT)
2018-03-15發(fā)布2018-08-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T350106—2018/IEC62258-62006
.:
前言
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品分為以下部分
GB/T35010《》:
第部分采購和使用要求
———1:;
第部分?jǐn)?shù)據(jù)交換格式
———2:;
第部分操作包裝和貯存指南
———3:、;
第部分芯片使用者和供應(yīng)商要求
———4:;
第部分電學(xué)仿真要求
———5:;
第部分熱仿真要求
———6:;
第部分?jǐn)?shù)據(jù)交換的格式
———7:XML;
第部分?jǐn)?shù)據(jù)交換的格式
———8:EXPRESS。
本部分是的第部分
GB/T350106。
本部分按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第部分熱仿真信息要求
IEC62258-6:2006《6:》。
與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國文件如下
:
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第部分采購和使用要求
———GB/T35010.1—20181:(IEC62258-1:2009,
IDT)
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第部分?jǐn)?shù)據(jù)交換格式
———GB/T35010.2—20182:(IEC62258-2:2009,IDT)
本部分做了下列編輯性修改
:
考慮到與我國標(biāo)準(zhǔn)體系相適應(yīng)將名稱改為半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第部分熱仿真要求
———,“6:”。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任
。。
本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本部分由半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC78)。
本部分起草單位哈爾濱工業(yè)大學(xué)中國航天科技集團(tuán)公司第九研究院第研究所成都振芯科
:、772、
技有限公司北京大學(xué)
、。
本部分主要起草人劉威張威王春青林鵬榮羅彬張亞婷
:、、、、、。
Ⅰ
GB/T350106—2018/IEC62258-62006
.:
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品
第6部分熱仿真要求
:
1范圍
的本部分用于指導(dǎo)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)供應(yīng)和使用半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品包括
GB/T35010、,:
●晶圓
;
●單個(gè)裸芯片
;
●帶有互連結(jié)構(gòu)的芯片和晶圓
;
●最小或部分封裝的芯片和晶圓
。
本部分規(guī)定了所需的熱仿真信息在于促進(jìn)電子系統(tǒng)熱學(xué)行為和功能驗(yàn)證仿真模型的使用電子
,。
系統(tǒng)包括帶或不帶互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裸芯片和或最小封裝的半導(dǎo)體芯片本部分是為了使芯片產(chǎn)
,()。
品供應(yīng)鏈所有的環(huán)節(jié)都滿足和的要求
IEC62258-1IEC62258-2。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第部分采購和使用要求
IEC62258-11:(Semiconductordieproducts—Part1:
Requirementsforprocurementanduse)
半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第部分?jǐn)?shù)據(jù)交換格式
IEC62258-22:(Semiconductordieproducts—Part2:
Exchangedataformats)
3術(shù)語定義和縮略語
、
界定的術(shù)語定義和縮略語適用于本文件
IEC62258-1、。
4總則
按所述芯片產(chǎn)品供應(yīng)商應(yīng)提供一個(gè)完整的數(shù)據(jù)包數(shù)據(jù)包應(yīng)包含用戶在設(shè)計(jì)采購
IEC62258-1,,、、
制造和測試的各個(gè)階段所需的必要和充分信息
。
同時(shí)所提供的大部分信息應(yīng)符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)并公開于公共領(lǐng)域且信息源能以制造商數(shù)據(jù)表格的
,,
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