GB/T 31351-2014碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測(cè)方法

ICS7704099

H26..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T31351—2014

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測(cè)方法

Nondestructivetestmethodformicropipedensityof

polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測(cè)方法

GB/T31351—2014

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

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16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20151

*

書號(hào)

:155066·1-50709

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T31351—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司中國(guó)科學(xué)院物理研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳小龍鄭紅軍張瑋郭鈺劉振洲

:、、、、。

Ⅰ

GB/T31351—2014

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測(cè)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了晶型和晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無損檢測(cè)方法

4H6H。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶型和晶型碳化硅單晶拋光片經(jīng)單面拋光或雙面拋光后微管的徑向尺寸

4H6H、

在一微米至幾十微米范圍內(nèi)的微管密度的測(cè)量

。

2術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

21

.

微管micropipe

或碳化硅單晶拋光片中沿軸方向延伸且徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍的中空管道

4H6Hc。

22

.

微管密度micropipedensity

單位面積內(nèi)微管個(gè)數(shù)記為單位為個(gè)每平方厘米個(gè)2

,MPD,(/cm)。

3方法原理

利用入射光線在微管周圍處的折射系數(shù)差異確定微管從而計(jì)算出相應(yīng)的微管密度測(cè)試系統(tǒng)的

,。

光源首先通過偏振光片起偏器自然光改變成為具有一定振動(dòng)方向的光如果樣品的晶格排列均

P1(),;

勻即折射率相同則經(jīng)過樣品的光線仍舊是同一振動(dòng)方向的光這樣經(jīng)過與成的偏振光片

,,;,P190°P2

檢偏器后探測(cè)器得到的光強(qiáng)信號(hào)將是均勻的如果樣品某處存在微管碳化硅微管內(nèi)部中空且周

(),。,,

圍存在一定的應(yīng)力場(chǎng)其相應(yīng)的折射系數(shù)不一致則經(jīng)過樣品的光線在微管附近振動(dòng)方向與整體不再平

,,

行結(jié)果探測(cè)器得到的光強(qiáng)信號(hào)就會(huì)反應(yīng)出相應(yīng)的差別示意圖如圖

,。1。

圖1微管無損檢測(cè)原理圖

當(dāng)樣品表面平行于晶面時(shí)微管顯示為蝴蝶狀亮點(diǎn)當(dāng)樣品表面偏離晶面時(shí)微管顯

(0001),;(0001),

示為彗星狀這種光強(qiáng)信號(hào)的差別表示微管的存在用正交偏光顯微鏡在透射光模式下放大倍

,。50~

倍觀察當(dāng)晶片切割方向垂直于軸時(shí)微管的典型形貌為蝴蝶狀如圖所示當(dāng)切割方向與

100,