標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 31351-2014 碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)碳化硅單晶拋光片中微管缺陷的無(wú)損檢測(cè)提供了一種標(biāo)準(zhǔn)化的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，尤其是對(duì)于高質(zhì)量碳化硅單晶材料的需求日益增長(zhǎng)的情況下，如何有效控制材料內(nèi)部缺陷成為了一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用X射線(xiàn)形貌技術(shù)來(lái)測(cè)定碳化硅單晶拋光片內(nèi)微管缺陷密度的具體步驟和技術(shù)要求。

按照此標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，首先需要準(zhǔn)備符合特定規(guī)格的樣品，并確保其表面清潔度達(dá)到一定標(biāo)準(zhǔn)以避免外來(lái)雜質(zhì)干擾檢測(cè)結(jié)果。接下來(lái)，通過(guò)將樣品放置于專(zhuān)用設(shè)備中，在特定條件下（如溫度、濕度等）利用X射線(xiàn)照射樣品，并收集透過(guò)樣品后的X射線(xiàn)圖像。通過(guò)對(duì)這些圖像的分析，可以識(shí)別出存在于碳化硅單晶拋光片中的微管缺陷及其分布情況。最后，根據(jù)獲得的數(shù)據(jù)計(jì)算出單位面積內(nèi)的微管數(shù)量，以此作為評(píng)價(jià)材料質(zhì)量的一個(gè)重要指標(biāo)。

整個(gè)過(guò)程中需要注意的是，除了正確操作實(shí)驗(yàn)設(shè)備外，還需要嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的參數(shù)設(shè)置來(lái)進(jìn)行測(cè)量，包括但不限于X射線(xiàn)源的選擇、曝光時(shí)間以及成像條件等。此外，為了保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性，還應(yīng)定期對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn)，并采用適當(dāng)?shù)姆椒ㄌ幚頂?shù)據(jù)。


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....

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  • 2014-12-31 頒布
  • 2015-09-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS7704099

H26..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T31351—2014

碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法

Nondestructivetestmethodformicropipedensityof

polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法

GB/T31351—2014

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線(xiàn)

:400-168-0010

年月第一版

20151

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-50709

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T31351—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司中國(guó)科學(xué)院物理研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳小龍鄭紅軍張瑋郭鈺劉振洲

:、、、、。

Ⅰ

GB/T31351—2014

碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了晶型和晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無(wú)損檢測(cè)方法

4H6H。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶型和晶型碳化硅單晶拋光片經(jīng)單面拋光或雙面拋光后微管的徑向尺寸

4H6H、

在一微米至幾十微米范圍內(nèi)的微管密度的測(cè)量

。

2術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

21

.

微管micropipe

或碳化硅單晶拋光片中沿軸方向延伸且徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍的中空管道

4H6Hc。

22

.

微管密度micropipedensity

單位面積內(nèi)微管個(gè)數(shù)記為單位為個(gè)每平方厘米個(gè)2

,MPD,(/cm)。

3方法原理

利用入射光線(xiàn)在微管周?chē)幍恼凵湎禂?shù)差異確定微管從而計(jì)算出相應(yīng)的微管密度測(cè)試系統(tǒng)的

,。

光源首先通過(guò)偏振光片起偏器自然光改變成為具有一定振動(dòng)方向的光如果樣品的晶格排列均

P1(),;

勻即折射率相同則經(jīng)過(guò)樣品的光線(xiàn)仍舊是同一振動(dòng)方向的光這樣經(jīng)過(guò)與成的偏振光片

,,;,P190°P2

檢偏器后探測(cè)器得到的光強(qiáng)信號(hào)將是均勻的如果樣品某處存在微管碳化硅微管內(nèi)部中空且周

(),。,,

圍存在一定的應(yīng)力場(chǎng)其相應(yīng)的折射系數(shù)不一致則經(jīng)過(guò)樣品的光線(xiàn)在微管附近振動(dòng)方向與整體不再平

,,

行結(jié)果探測(cè)器得到的光強(qiáng)信號(hào)就會(huì)反應(yīng)出相應(yīng)的差別示意圖如圖

,。1。

圖1微管無(wú)損檢測(cè)原理圖

當(dāng)樣品表面平行于晶面時(shí)微管顯示為蝴蝶狀亮點(diǎn)當(dāng)樣品表面偏離晶面時(shí)微管顯

(0001),;(0001),

示為彗星狀這種光強(qiáng)信號(hào)的差別表示微管的存在用正交偏光顯微鏡在透射光模式下放大倍

,。50~

倍觀(guān)察當(dāng)晶片切割方向垂直于軸時(shí)微管的典型形貌為蝴蝶狀如圖所示當(dāng)切割方向與

100,

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