IBM FlashSystem產(chǎn)品及解決方案介紹-V1

IBMFlashSystem

旗艦級的全閃存陣列齊會勇系統(tǒng)與科技事業(yè)部qihuiy@前言：過去十年間，IT技術(shù)發(fā)生了多大進(jìn)步:

CPUPerformance8-10xDRAMSpeed7-9xNetworkSpeed

100xBusSpeed

20xDiskSpeed

1.2X…大家都在等你，親！Source:IBMandIndustryEstimates摩爾定律不適用于機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件存儲遲緩的代價(jià)有多大？全球最大的電子商務(wù)網(wǎng)站亞馬遜，I/O每1毫秒的額外延遲，會造成總額達(dá)480萬美金的訂單損失

Source:RichardIrvingCapacityMagazine對華爾街的一些從事高頻交易的金融機(jī)構(gòu)來說，每1毫秒I/O響應(yīng)時(shí)間的提升，可以給他們帶來平均每年1億美金的增收TapeHDDFormFactorSSDPCIeSSDSeconds5-15milliseconds~1milliseconds1

second（秒）=1,000milliseconds（ms,毫秒）=1,000,000microseconds（μs,微秒）向低延遲邁進(jìn)之路<1millisecond100microseconds(μs)

IBMFlashSystem

研討內(nèi)容1IBM

FlashSystem是什么2IBMFlashSystem的戰(zhàn)略地位3解決方案和成功案例

研討內(nèi)容1IBM

FlashSystem是什么2IBMFlashSystem的戰(zhàn)略地位3解決方案和成功案例IBMFlashSystem系列:全閃存儲eMLCFlashSLCFlashModel710720810820可用容量1-5TB5or10TB2-10TB10or20TB延遲(讀/寫)100/60μs100/25μs110/60μs110/25μsIOPS570K525K550K525K帶寬5GB/s5GB/s5GB/s5GB/s接口4x8GbFC或4x40GbIB4x8GbFC或4x40GbIB1U機(jī)架高度,少于

400W功耗FlashSystem840架構(gòu)冗余電源*冗余風(fēng)扇12閃存模塊*(10+1+1)2U機(jī)箱

N+1電池冗余管理控制處理器冗余RAID控制器TwoDual-Ported8Gb/sFC或

40Gb/sQDRIB接口*為可熱更換部件Series-7FlashController?2perBoard

4perModuleeMLCFlashChips20perFlashController

40perBoard,80perModuleInterfaceProcessorDualportstobackplanePrimaryFlashBoardExpansionFlashBoardFlashModule絕不是SSD！FlashModule結(jié)構(gòu)——FlashSystem-840為例：FlashSystem840優(yōu)化數(shù)據(jù)中心的利器最低延遲

Write90μsRead135μs最大IOPS4KBRead(100%,random)1,100,000Read/write(70%/30%,random)775,000Write(100%,random)600,000最大帶寬256KBRead(100%,sequential)8GB/sWrite(100%,sequential)4GB/s容量選項(xiàng)Flashmodule配置2x2TB4x2TB4x4TB8x2TB12x2TB8x4TB12x4TB

裸容量5TB11TB21TB21TB32TB42TB65TBRAID0可用容量4TB8TBN/A16TB24TB32TB48TBRAID5可用容量N/A4TB8TB12TB20TB24TB40TB性能一覽表數(shù)據(jù)中心存儲優(yōu)化：極速性能、靈活容量配置，全部的數(shù)據(jù)保護(hù)IBMFlashSystem840:邏輯視圖

硬件數(shù)據(jù)通道實(shí)現(xiàn)極低延遲基于可定制的FPGA可使數(shù)據(jù)遷移相對于軟件控制具有更快的響應(yīng)時(shí)間，實(shí)現(xiàn)極低延遲分布式的out-of-data-pathCPU處理極致性能（高IOPS），超大帶寬FCFCoEIBFCFCoEIBCPUs(18)接口控制器管理模塊RAID控制器閃存模塊(12)FPGAIBMFlashSystem840:閃存模塊,

邏輯視圖FPGA網(wǎng)關(guān)接口I/O接口及直接存儲通路

PPC及DRAM控制OutofDatapath操作垃圾數(shù)據(jù)收集，錯(cuò)誤處理，系統(tǒng)健康，耗損平衡，統(tǒng)計(jì)等。閃存芯片每個(gè)閃存控制器控制20個(gè)閃存芯片每個(gè)模塊由40個(gè)或80個(gè)閃存芯片組成XOR校驗(yàn)數(shù)據(jù)主板(2TB)副板(2TB)–可選FPGAFPGAFPGAFPGAFPGAFPGAFPGA閃存控制器-FPGA

每個(gè)模塊2個(gè)或者4個(gè)控制器數(shù)據(jù)通道，硬件I/O邏輯模塊LookupTables

及寫緩存每個(gè)控制器控制20個(gè)閃存芯片擴(kuò)展性及并行性：7,680個(gè)并行flash操作及1,600個(gè)并行DMA操作思考時(shí)刻：在大多數(shù)混合式或基于固態(tài)硬盤的解決方案中，大多數(shù)的操作是由軟件層控制的，這是影響延遲現(xiàn)象最根本的原因。13IBMFlashSystem840:閃存控制器設(shè)計(jì)閃存控制器-FPGA數(shù)據(jù)通道，硬件I/O邏輯模塊LookupTables

及寫緩存每個(gè)控制器控制20個(gè)閃存芯片LookupTablesDRAMPPC及DRAM控制Outofdatapath操作垃圾數(shù)據(jù)收集，錯(cuò)誤處理，系統(tǒng)健康，耗損平衡，統(tǒng)計(jì)等。DRAM寫緩存GatewayInterfaceFPGAFPGA網(wǎng)關(guān)接口I/OandDirectMemoryAccess(DMA)NAND閃存FPGAFPGAMicroLatencyTM,微延時(shí):

-提供微妙級的響應(yīng)時(shí)間，比傳統(tǒng)磁盤存儲系統(tǒng)的延遲降低1~2個(gè)數(shù)量級。ExtremePerformance,卓越的性能:

-

傳統(tǒng)頂級企業(yè)級存儲系統(tǒng)的高IO性能。MacroEfficiency,超強(qiáng)的效能:

-遠(yuǎn)超傳統(tǒng)磁盤存儲的性能密度和容量密度，實(shí)現(xiàn)電力、冷卻、體積和成本的超高效益。EnterpriseReliability,企業(yè)級可靠性:

-耐用和可靠的設(shè)計(jì)、企業(yè)級閃存元件和專利數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)，滿足企業(yè)級可靠性要求。閃存時(shí)代已經(jīng)到來！與磁盤技術(shù)相比，閃存在性能、成本效益、體積、能量損耗以及部署速度上更優(yōu)越。

IBMFlashSystem：顛覆傳統(tǒng)存儲的四大優(yōu)勢

IBMFlashSystem顛覆傳統(tǒng)存儲的四大優(yōu)勢

MicroLatencyTM–微延時(shí)ExtremePerformanceMacroEfficiencyEnterpriseReliabilityIO延時(shí)的組成I/OTimeNetworkTimeCPUTimeI/OTimeNetworkTimeCPUTimeI/OTimeNetworkTimeCPUTime從應(yīng)用程序的角度看，每個(gè)客戶端請求需要消耗哪些時(shí)間…采用更新更好的CPU呢…如果，能夠減少IO的時(shí)間消耗…TimeRecoveredQueryTime傳統(tǒng)硬盤和Flash的延時(shí)1seconds=1000milliseconds=1,000,000microseconds15krpmHDDgives：

180-200IOPS

@5-6ms10krpmHDDgives：

130-140IOPS@7-8ms7.2krpmHDDgives：

80-100IOPS @10-12msIBMFlashgives200microsecond(μs)

=0.2ms減少延時(shí)對性能的改善TimeI/OServicedbyDiskIssueI/Orequest (~100μs)WaitforI/Otobeserviced (~5,000μs)ProcessI/O (~100μs)

1個(gè)IO操作的總耗時(shí)

=100μs+5,000μs+100μs=5,200μsCPU利用率

=Waittime/Processingtime=200/5,200=~4%Processing~100μs~100μsWaiting~5000μsCPUState1I/ORequestTimeI/OServicedbyIBMFlashSystemIssueI/Orequest (~100μs)WaitforI/Otobeserviced (~200μs)ProcessI/O (~100μs)

1個(gè)IO操作的總耗時(shí)

=100μs+200μs+100μs=400μsCPU利用率

=Waittime/Processingtime=200/400=~50%Processing~100μs~100μsWaiting~200μsCPUState1I/ORequest減少延時(shí)對性能的改善5200/400=13x!13X的延時(shí)改善！！CPU利用率timeI/OServicedbyDiskIssue/ProcessI/Orequest ~100+100μsWaitforI/Otobeserviced ~5,000μs

WaitingforI/OWorkWaitingforI/OWorkWaitingforI/OWorkCPUUtilization=~4%LessWork,MoreWaitCPU利用率timeI/OServicedbyFlashSystemIssue/ProcessI/Orequest ~100+100μsWaitforI/Otobeserviced ~200μs

CPUUtilization=~50%MOREWork,LESSWaitFlashSystemWorkWaitWorkWaitWorkWaitWorkWaitWorkWaitWorkWait減少延時(shí)對性能的改善：從主機(jī)CPU的角度

50%/4%≈12x!只改變了存儲的latency，就提升了12X的應(yīng)用性能！！IBMFlashSystem顛覆傳統(tǒng)存儲的四大優(yōu)勢

MicroLatencyTM

–微延時(shí)ExtremePerformance–卓越的性能MacroEfficiencyEnterpriseReliabilityIBMFlashSystem為什么快端到端完整的架構(gòu)設(shè)計(jì)，均來自TMS的專利技術(shù)，而非組合“大拼盤”FlashSystem

系統(tǒng)提供硬件數(shù)據(jù)路徑

基于FPGA基礎(chǔ)的數(shù)據(jù)移動(dòng)相比軟件實(shí)現(xiàn)的存儲控制器算法大大減少了延遲時(shí)間分布式

CPU獨(dú)立處理路徑相比于所有競爭廠商更低的延遲度不管是直連PCIe卡，還是SAN網(wǎng)絡(luò)SSD陣列“OurSymmetrix-VMAXEnginuityconsistsofmillionsoflinesofcode.”RAIDControllersIOModulesFlashModules12x“Youcannotincreaseperformancebyaddinglinesofcode.”端到端的硬件加速基于軟件的設(shè)計(jì):軟件控制數(shù)據(jù)路徑（傳統(tǒng)存儲中運(yùn)行SSD）Flash存儲基于硬件和軟件的設(shè)計(jì)對比FrontEndDirectorsBackEndDirectorsOSCPUOutsideWorldSSD/SAS/SATAHDD’sCache

多處增加延時(shí):控制器和其中運(yùn)行的軟件SAS控制器和共享總線分層管理和共享數(shù)據(jù)通道SSD本身的硬盤殼/數(shù)據(jù)接口SSD

最大化性能、最小化延時(shí):優(yōu)化的FPGA硬件數(shù)據(jù)路徑定制的硬件設(shè)計(jì)大規(guī)模并行處理25us的寫入延遲到閃存介質(zhì)IOInterfaceFPGAFPGACPUOutsideWorldFlashMediaFPGACPUAutobahnFlash存儲基于硬件和軟件的設(shè)計(jì)對比基于硬件的設(shè)計(jì):硬件控制數(shù)據(jù)路徑（IBMFlashSystem）FPGA專用處理器vs傳統(tǒng)存儲CPUIBMFlashSystem高并發(fā)+低延時(shí)=高性能!IBMFlashSystem顛覆傳統(tǒng)存儲的四大優(yōu)勢

MicroLatencyTM

–微延時(shí)ExtremePerformance–卓越的性能MacroEfficiency–超強(qiáng)的效能EnterpriseReliabilityIBMFlashSystemHighPerformanceDisk（15kRPM）0.15PB1PB6.7xMore容量效能——超高容量密度1RackIBMFlashSystem1塊地板格，42U機(jī)柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延時(shí)12.6KW耗電量同樣部署1個(gè)機(jī)柜，IBMFlashSystem的容量優(yōu)于傳統(tǒng)存儲：

6.7倍IBMFlashSystemHighPerformanceDisk（15kRPM）IOPS效能——超高性能密度1RackIBMFlashSystem1塊地板格，42U機(jī)柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延時(shí)12.6KW耗電量1個(gè)機(jī)柜315xLess315個(gè)機(jī)柜同樣實(shí)現(xiàn)22millionIOPS，IBMFlashSystem只需要部署1個(gè)機(jī)柜，優(yōu)于傳統(tǒng)存儲：

315倍！IBMFlashSystemHighPerformanceDisk（15kRPM）電力消耗效能——超低能耗1RackIBMFlashSystem1塊地板格，42U機(jī)柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延時(shí)12.6KW耗電量19千瓦115xLess2200千瓦同樣實(shí)現(xiàn)22millionIOPS，IBMFlashSystem只需要部署1個(gè)機(jī)柜（峰值功耗19千瓦），優(yōu)于傳統(tǒng)存儲：

115倍！IBMFlashSystemHighPerformanceDisk（15kRPM）采購成本效能——超高性價(jià)比1RackIBMFlashSystem1塊地板格，42U機(jī)柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延時(shí)12.6KW耗電量19xLess同樣實(shí)現(xiàn)的IOPS性能，IBMFlashSystem的采購成本優(yōu)于傳統(tǒng)存儲：

19倍！$19x$1xIBMFlashSystem顛覆傳統(tǒng)存儲的四大優(yōu)勢

MicroLatencyTM

–微延時(shí)ExtremePerformance–卓越的性能MacroEfficiency–超強(qiáng)的效能EnterpriseReliability–企業(yè)級可靠性四層數(shù)據(jù)保護(hù)保護(hù)層次可容忍的故障級別系統(tǒng)級別RAID5*保護(hù)由集中的RAID控制器管理模塊故障模塊內(nèi)的RAID5保護(hù)模塊內(nèi)的跨芯片管理閃存頁故障模塊內(nèi)可變條帶RAID?保護(hù)

（VSR）由跨模塊的芯片管理芯片內(nèi)部、芯片或跨芯片保護(hù)芯片級別ECC校驗(yàn)保護(hù)由各模塊的芯片管理數(shù)據(jù)位或數(shù)據(jù)塊錯(cuò)誤2DFlashRAIDTM*FlashSystem720/820OnlyIBMFlashSystem為什么可靠問題解決方案有限的擦寫次數(shù)Wearleveling，損耗均衡Bit級錯(cuò)誤Chip-levelECC校驗(yàn)Block/plane/device級錯(cuò)誤Block

Remapping，壞塊重定位(Blockfailure)2DFlashRAID，模塊級RAID5(Modulefailure)VariableStripeRAID?，可變條帶RAID技術(shù)(Sub-chip,chipormulti-chipfailure)ActiveSpare，F(xiàn)lash模塊冗余干擾錯(cuò)誤Disturberrors(read/write/erase)Voltageandtimingadjustments，實(shí)時(shí)電壓校準(zhǔn)擦除時(shí)間和塊大小Over-provisioning,超額供給掉電保護(hù)N+1組電池冗余保護(hù)，冗余電源閃存保護(hù)技術(shù)使用壽命不同MLC:Multilevelcellflashisconsumer-gradeeMLC:Enterprise-gradeMLC10x優(yōu)于MLCSLC:Single-levelcell33x優(yōu)于MLCeMLC可以承載絕大多數(shù)的企業(yè)及業(yè)務(wù)負(fù)載需求，10TB的FlashSystem可以在1GB/s的寫壓力下工作十年IBMFlashSystem

采用獨(dú)有技術(shù)，例如：VariableStripeRAID?and2DFlashRAIDTM,wearlevelingandover-provisioning，進(jìn)一步提升eMLC和SLC設(shè)備使用壽命優(yōu)于同類型產(chǎn)品的Flash介質(zhì)壽命IBMFlashSystemVariableStripeRAID?(VSR)專利技術(shù)，使得芯片的RAID條帶大小可變一個(gè)10芯片的條帶，如果某塊寫入?yún)^(qū)損壞，只有該寫入?yún)^(qū)被繞過，以后這個(gè)條帶的數(shù)據(jù)會用這剩下的9個(gè)芯片來寫入VSR減少了Flash頁面損壞帶來的內(nèi)部開銷……16

Planes10ChipsFAIL獨(dú)特的用戶益處:減少Flash模塊的更換RAIDGroup2DFlashRAID?(FlashSystem840)RAID控制器

ARAID控制器BRAID5跨越

Flash模塊(10數(shù)據(jù)+1校驗(yàn)+1熱備)服務(wù)器接口

A服務(wù)器接口

B外接模塊(FC,IB)RAID控制器Flash模塊內(nèi)部RAID5

(9數(shù)據(jù)+1校驗(yàn))IBMFlashSystem2DFlashRAID?

研討內(nèi)容1IBM

FlashSystem是什么2IBMFlashSystem的戰(zhàn)略地位3解決方案和成功案例IBM企業(yè)級存儲戰(zhàn)略：“多兵種合成”應(yīng)對需求

1、IBMXIV存儲系統(tǒng)：性能足夠、穩(wěn)健可靠、管理簡單2、IBMDS8870存儲系統(tǒng)：極端的高性能、久經(jīng)考驗(yàn)的可靠性

3、IBMFlashSystem全閃存儲：以最小的體積和能耗，為IO密集型應(yīng)用提供超強(qiáng)響應(yīng)能力

4、IBMSVC虛擬化控制器：化繁為簡、能力倍增為復(fù)雜、異構(gòu)、高容量和高性能環(huán)境提供管理優(yōu)化能力IBM企業(yè)級存儲組合：最佳搭檔！IBM通過持續(xù)的存儲創(chuàng)新，不斷引領(lǐng)業(yè)界變革及方向StoragenetworkvirtualizationFirstIntelligentdataplacement19561956World’sFastestStorageAnalytics&TransformationIn-linecompressionProgrammableNetworkController(Nortel)LiveDataMobilityStorageservices2007Storagere-inventedIn-linededuplicationFirstmagneticharddiskdrive19931993FirstRAIDstorage20032008201020122010友商關(guān)注的層面nsmssecus閃存解決方案競爭分析FlashSystem720/8205/10/20TBFlashSystem710/8101-5/2-10TBIBM/IBMFlashSystemPCIeCardsVFCacheXtremIOFASTVPFASTCache3xx06xx0ArraysViolinMemoryEMCFusion-ioHANon-HA3xx04-16/16-32TB6xx05-13/10-22TBXtremIO56TBDe-DupFASTVPinVMAX/VNXFASTCacheinVNXVFCache300/700GBioFX420GBioDrive160/320/640GBioDriveDuo320/640/1280GBioDrive2365-1200GBioDrive2Duo1200/2400GBioDriveOctal5.1/10.2TBNotYetAvail.YouShouldKnowNon-HAArray需要增加gateway，延時(shí)增加；最多只有2級高可用保護(hù)，不如IBM

FS的4級保護(hù)；MLC陣列可靠性不及eMLC；效能差：同樣性能的陣列，占3U高，是IBMFS的3倍；能耗是IBMFS的2-5倍；公司前景不明朗，產(chǎn)品單一FASTVP依賴于VMAX/VNX的的軟件功能，F(xiàn)ASTCache依賴于VNX的軟件功能，共性是延時(shí)性差，軟件收費(fèi)，部署需要額外服務(wù)（傳統(tǒng)存儲架構(gòu)）；VFCache是PCIe卡和軟件功能的集成，價(jià)格很貴，服務(wù)器的CPU和內(nèi)存開銷大，且與EMC現(xiàn)有產(chǎn)品集成度差；XtremIO：今年3季度才會提供產(chǎn)品，性能不足PCIe卡是沒有共享性和擴(kuò)展性的；帶來明顯的服務(wù)器CPU和內(nèi)存開銷，其中CPU額外增加20-30%的開銷，而80GBFIO卡會帶來2-5GB內(nèi)存開銷；無HA，內(nèi)部RAID需要在兩塊卡以上才支持；與SAN陣列沒有任何功能集成，如快照、復(fù)制等極速性能：最高可達(dá)5GB/s的強(qiáng)大吞吐帶寬和500KIOPS，領(lǐng)先于業(yè)內(nèi)絕大部分競爭對手；微秒級延遲：100/25微秒讀/寫的響應(yīng)延遲，在讀寫性能方面最為均衡；宏偉的效能：1U的高度，不到500W的功耗，提供最佳的ROI；企業(yè)級可靠性：4級高可用保護(hù)方式：ECC，VSR，2D-RAID；其他：陣列的共享性、擴(kuò)展性；與IBMSVC、V7000、GPFS等產(chǎn)品的集成。IBMFlashSystem相對ViolinMemory的優(yōu)勢IBM豐富的產(chǎn)品線

(FromServertoStorage)

FlashSystem的高可靠性:2DRAID,VSR,eMLC/SLC.FlashSystem的產(chǎn)品成熟度（34年的技術(shù)發(fā)展和經(jīng)驗(yàn)）IBM公司的能力和經(jīng)驗(yàn)FlashSystem的高效能(體積，能耗)SANEnterpriseVMAXFASTVP(Tiering)Mid-RangeVNXFASTVP(Tiering)VNXFASTCache(Caching)Flash-OnlyXtremIO(2013Q3)InterimVNX5500-FEMCSSD產(chǎn)品線PCIe(in-server)XtremeSF/XtremeSW低密度：7TB/6U模塊低擴(kuò)展性：最多8個(gè)模塊，56TB高能耗：1150W/模塊不足的IO能力：<250KIOPS/模塊來歷：2009年創(chuàng)立，2012年被EMC收購，從無產(chǎn)品面市EMCXtremIO的擴(kuò)展性4K70/30Mix4K100%ReadsIBMFlashSystem820:

4K70/30Mix430KIOPS4K100%Reads525KIOPSFlashSystemis2Xfaster!1RackIBMFlashSystem1塊地板格，42U機(jī)柜1PB可用容量

22millionIOPS/210GB/s@

100μs

IO延時(shí)12.6KW耗電量All-FlashEF540——FlashRay

面市前的臨時(shí)替代，就是傳統(tǒng)陣列里放SSDFlashRay——2014年面市NetAppFlash&SSD產(chǎn)品名字里有“Flash”,但實(shí)際上是

SSD!EF540：2U,雙控制器,24x2.5”MLC800GBSSD,24GBCache(12GB/controller)Upto9.6or19.2TB(裸容量),300KIOPS&6GB/sBW,Sub-millisecond延遲傳統(tǒng)RAID0,1,3,5,6&10(SW-RAIDw/heavyimpactonperformance)FlashSystem對于IBM的戰(zhàn)略價(jià)值主流的、世界范圍的供應(yīng)商StorageSystemSolutionsFlashSystem進(jìn)一步擴(kuò)大了IBM與追隨者之間的技術(shù)優(yōu)勢。隨著FlashSystem

系列產(chǎn)品的推出,IBM能夠提供完整、優(yōu)化和高效的全閃解決方案：從服務(wù)器到存儲。IBMFlashSystem開啟全閃時(shí)代。Server/ModuleSolutions

研討內(nèi)容1IBM

FlashSystem是什么2FlashSystem的戰(zhàn)略地位3解決方案和成功案例IBMFlashSystem解決方案包EasyTier/HSMSVC/V7000EasyTier免費(fèi),GPFS免費(fèi),SONAS/V7000UHSM對后端存儲透明,性能加速適用于所有后端存儲架構(gòu)自動(dòng)的存儲分層HA

+PreferredReadSVC/V7000VDiskMirror,NSeriesSyncMirrorApplication-Based解決方案:SQLServerAlwaysOn,OracleASM,DB2ManagedSpaceOS-Based解決方案:AIX/LinuxLVMMirror,Veritas(PreferredReadPlex),SolarisSVMManualDataPlacementSVC/V7000的在線數(shù)據(jù)遷移功能PartialApps:DBHotTables,Indexes,Temp,Undo,LogsCompleteApps:WholeDBs通過IBM現(xiàn)場集成交付IBMFlashSystem和SVC組合解決方案極致性能企業(yè)級特性與SANVolumeController高性能的企業(yè)級存儲解決方案

按需在線增加連接在SVC后面FlashSystem的個(gè)數(shù)性能可拓展達(dá)到150萬

IOPs的高性能企業(yè)級存儲系統(tǒng)具備微秒級的低延遲500kIOPS的極致性能20TBRAID保護(hù)的數(shù)據(jù)容量1U高機(jī)架空間的非凡效率可變條帶RAID和2-DRAID實(shí)現(xiàn)企業(yè)級可靠性

IBMFlashSystem數(shù)據(jù)復(fù)制服務(wù)保障業(yè)務(wù)連續(xù)性

基于快照的備份和理想的可用性采用精簡供應(yīng)與實(shí)時(shí)壓縮降低存儲成本利用EasyTier提升存儲效率WRITESVdiskMirror2ACTIVEDATATRANSITIONALDATA20TB5TBREADSSVC+FlashSystem，大幅提升存儲讀性能VdiskMirror1ACTIVEDATATRANSITIONALDATA20TBSSDFCSAS5TB增強(qiáng)性能

增強(qiáng)冗余度

-無中斷

-不增加磁盤-不損失功能IBMFlashSystemSANSANDBServersMirrorSANVolume

Controller寫

IO鏡像到兩邊READSWRITES讀IO從高速的FlashSystem進(jìn)行，μs級的響應(yīng)時(shí)間FlashSystem作為High-EndStorage的性能加速器(HA+PreferredRead)如何利用FlashSystem+LVM提升現(xiàn)有存儲性能通過讀寫I/O分離，優(yōu)先讀FlashSystem來提高I/O性能使用OracleASMMirror、LVM方式，把讀I/O放到Flashsystem上，寫I/O到FlashSystem和原存儲上。不僅能大幅度提高讀性能，寫性能也會大幅提高，因?yàn)樵瓉淼拇鎯π枰幚碜x寫，現(xiàn)在只需要把全部的能力都用來處理寫，自然寫性能也有提高。同時(shí)安全性也得到保證，不改變原有使用方式和容災(zāi)構(gòu)架(MM/GMorSRDF)*可以通過以下軟件實(shí)現(xiàn)FlashSystem和原有存儲的結(jié)合：SQLServerAlwaysOn,OracleASM,DB2ManagedSpace,LVMMirror,Veritas(PreferredReadPlex),SolarisSVMHotpublicAFC-SANIBMFlashSystemEMC/IBMHigh-EndStorageLVM/ASMMirrorLVM/ASMMirror快照備份批處理報(bào)表PreferRead生產(chǎn)IO讀路徑備份/報(bào)表IO讀寫路徑生產(chǎn)IO雙寫路徑原有容災(zāi)方式不變(MM/GMorSRDF)FlashSystem上可以放置全部數(shù)據(jù)或部分?jǐn)?shù)據(jù)(熱點(diǎn))，用戶可以通過數(shù)據(jù)庫和系統(tǒng)工具來確定熱點(diǎn)數(shù)據(jù)或熱點(diǎn)盤容災(zāi)存儲HotHot應(yīng)用IBMFlashSystem加速數(shù)據(jù)庫應(yīng)用系統(tǒng)應(yīng)用挑戰(zhàn)

——大多數(shù)Oracle應(yīng)用程序?yàn)樽x密集型。

因此，單獨(dú)依靠額外的CPU處理能力幾乎無法提升性能。通過將全部讀數(shù)據(jù)存放在低延遲的全閃存陣列上，讀操作會被更快的處理，與傳統(tǒng)的硬盤系統(tǒng)可以提升系統(tǒng)性能高達(dá)12倍，而無需任何系統(tǒng)架構(gòu)或軟件代碼調(diào)整。IBMFlashSystem全閃存陣列可以實(shí)現(xiàn)：對于關(guān)鍵業(yè)務(wù)應(yīng)用降低I/O等待時(shí)間實(shí)現(xiàn)SAN環(huán)境下可能達(dá)到的

最低延遲加速一般的I/O密集型負(fù)載，包括交易、批處理和數(shù)據(jù)分析等幫助客戶減少DB“percore”license投資，因?yàn)镃PUCore的利用率提高了針對Oracle數(shù)據(jù)庫實(shí)現(xiàn)

極致性能、超低延遲和企業(yè)級可靠性（Oracle/DB2/SQLServer/Sybase）IBM

FlashSystem

與虛擬機(jī)及虛擬桌面環(huán)境應(yīng)用挑戰(zhàn)

——虛擬機(jī)和虛擬桌面環(huán)境會將傳統(tǒng)存儲系統(tǒng)推向性能的極限，其結(jié)果是：導(dǎo)致較差的應(yīng)用響應(yīng)時(shí)間和不良的客戶體驗(yàn)。將IBMFlashSystem全閃存陣列引入系統(tǒng)，可以使大多數(shù)一般的虛擬應(yīng)用響應(yīng)時(shí)間提升16倍。藉此應(yīng)對“登錄風(fēng)暴”與“啟動(dòng)風(fēng)暴”，并恢復(fù)系統(tǒng)的服務(wù)能力。IBMFlashSystem全閃存陣列可以實(shí)現(xiàn)消除I/O密度高和熱點(diǎn)集中問題，這些在一般的高度虛擬化環(huán)境中很常見控制和減輕“登錄風(fēng)暴”和“啟動(dòng)風(fēng)暴”時(shí)的性能問題在不犧牲性能的前提下實(shí)現(xiàn)存儲整合，從而實(shí)現(xiàn)更高的V:P比例，以提升服務(wù)器利用率在VMWARE層面進(jìn)行存儲分級定義,FlashSystem可作為最高級別存儲池使用針對虛擬機(jī)/VDI系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)

極致性能、超低延遲和企業(yè)級可靠性IBMFlashSystem加速SAP應(yīng)用應(yīng)用挑戰(zhàn)

——

世界上的絕大多數(shù)SAP數(shù)據(jù)庫占用的存儲容量少于2TB，而SAP正在督促客戶通過采用HANA內(nèi)存數(shù)據(jù)庫方式來提升性能。

這將導(dǎo)致整個(gè)SAP體系的重大調(diào)整，從而帶來較高的成本和服務(wù)中斷的風(fēng)險(xiǎn)。IBMFlashSystem全閃存陣列可以實(shí)現(xiàn)消除SAP關(guān)鍵業(yè)務(wù)中的

I/O瓶頸對于時(shí)效性較高的工作負(fù)載，提供SAN環(huán)境下的所有存儲可能具有的最低延遲（IBMMicroLatency?）采用較小容量，但較高成本效益的閃存資源池帶來極大的性能提升為SAP高帶寬應(yīng)用負(fù)載提供性能水平近似于HAHA的解決方案，無須重新修改整體架構(gòu)針對SAP系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)

極致性能、超低延遲和企業(yè)級可靠性&FlashonlypoolEasyTier

poolHDDonlypool解決方案中引入SVC+FlashSystemERPFlashSystemV7000/XIVSVCnodesSCMSRMCRMBWSAPproductionDBserverSAPnon-prodDBserverERPSCM………PutDBwithahighIO/sperTBratioonFlashonlyPutallSAPproductionDB

onEasyTiertieredstoragePutallnon-productionDBs

onHDDonlySVCstoragepools(manageddiskgroups)IBMFlashSystem加速SAP應(yīng)用適用場景應(yīng)用需求IBM解決方案客戶收益拓?fù)渥C券集中交易系統(tǒng)證券交易系統(tǒng)在股市交易的4小時(shí)內(nèi)，要求存儲提供快速響應(yīng)和高并發(fā)處理能力，以應(yīng)對“跳水”等反轉(zhuǎn)行情引發(fā)大量的交易和查詢機(jī)房供電緊張，要求節(jié)能采用RamSan-720/820全閃存盤陣替代現(xiàn)有的磁盤系統(tǒng)，通過數(shù)據(jù)庫復(fù)制實(shí)現(xiàn)存儲高可用1、IOPS性能10×提高，訪問延遲減少90%，輕松應(yīng)對峰值交易壓力2、TMS4GB的吞吐能力，更快速的查詢3、提供高40萬IOPS性能，同時(shí)減少高轉(zhuǎn)數(shù)磁盤存儲系統(tǒng)的高能耗E-commence商業(yè)分析系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)零售產(chǎn)生大量的電子商務(wù)信息，海量數(shù)據(jù)挖掘需要后端存儲提供更大的吞吐量和更高的并發(fā)響應(yīng)通過OracleRAC鏡像數(shù)據(jù)到RamSan-720/820全閃存盤陣，TMS用于分析查詢1、輕松集成現(xiàn)有IT架構(gòu)，優(yōu)化現(xiàn)有系統(tǒng)2、提升分析系統(tǒng)性能，極大縮短批處理時(shí)間3、架構(gòu)簡單容易實(shí)施制造業(yè)SAPERP系統(tǒng)數(shù)據(jù)庫快速響應(yīng)，物料需求計(jì)劃MRP等系統(tǒng)要求快速交付，縮短供貨信息的處理時(shí)間提供高并發(fā)，高響應(yīng)和高可靠性TMSRamSan-720/820作為ERP的核心存儲系統(tǒng)1、MRP系統(tǒng)性能提升12倍，數(shù)據(jù)庫一致性校驗(yàn)時(shí)間縮短90%2、生產(chǎn)中心的成功優(yōu)化后，災(zāi)備中心也部署了TMS3、提高工作效率Flashsystem在GB用戶中的應(yīng)用場景適用場景應(yīng)用需求IBM解決方案客戶收益拓?fù)溷y行核心交易系統(tǒng)銀行核心系統(tǒng)要求提高系統(tǒng)性能以應(yīng)對突發(fā)的峰值交易壓力，機(jī)房占地、供電緊張，尋求更高效且節(jié)能的存儲方案一：采用RamSan-720/820全閃存盤陣替代現(xiàn)有的磁盤系統(tǒng)，通過數(shù)據(jù)庫復(fù)制(或LVM)實(shí)現(xiàn)存儲高可用1、高性能40萬IOPS，性能10×提高，訪問延遲減少90%，輕松應(yīng)對峰值交易壓力2、減少傳統(tǒng)高轉(zhuǎn)數(shù)磁盤存儲系統(tǒng)的高能耗，高存儲密度的TSM僅1U高，節(jié)省空間銀行核心交易系統(tǒng)核心系統(tǒng)高可用HA保護(hù)，快速查詢SVC虛擬化現(xiàn)有核心存儲，通過VDM鏡像到RamSan-720/820全閃存盤陣，SVC夸盤陣即時(shí)快照提供查詢1、輕松集成現(xiàn)有IT架構(gòu)，優(yōu)化現(xiàn)有系統(tǒng)2、EasyTier自動(dòng)分層存儲，系統(tǒng)性能自動(dòng)優(yōu)化3、TMS縮短核心交易響應(yīng)時(shí)間，優(yōu)化系統(tǒng)性能期貨交易系統(tǒng)期貨實(shí)時(shí)接收行情數(shù)據(jù)，通過量化交易分析后生成訂單，數(shù)據(jù)分析要求系統(tǒng)快速處理數(shù)據(jù)量<1TB，TMSRamSan-70作為期貨分析系統(tǒng)的緩存數(shù)據(jù)量>1TB，TMSRamSan-720/820全閃存盤陣作為主存儲系統(tǒng)1、TMS的40萬IOPS、4GB的吞吐性能極大提高數(shù)據(jù)分析處理性能，縮短期貨訂單生成時(shí)間，提高期貨交易盈利Flashsystem在GB用戶中的應(yīng)用場景案例參考客戶行業(yè)環(huán)境挑戰(zhàn)方案結(jié)果EVEOnline在線網(wǎng)游，世界上最大的網(wǎng)游公司之一OLTPonSQLServer在并發(fā)用戶數(shù)不斷增加的同時(shí)，響應(yīng)速度和加載速度變得緩慢RamSan400提供3GB/s的吞吐吞吐性能提升了40倍，數(shù)據(jù)庫處理能力提升了6倍ICSource電子商務(wù)，全球最大的電子元件B2B網(wǎng)站SQLServer消除積壓訂單，加快庫存數(shù)據(jù)庫讀寫速度；曾經(jīng)嘗試過增加一倍的