電子技術(shù)總概

電子元器件

基本放大電路運(yùn)算放大器應(yīng)用電路模擬電路數(shù)字電路電子技術(shù)典型應(yīng)用：手機(jī)基站手機(jī)接收器A/DCPUD/A

喇叭第一章半導(dǎo)體器件物質(zhì)按其導(dǎo)電性能可分為：導(dǎo)體，絕緣體，半導(dǎo)體1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。主要有硅、鍺、硒和大多數(shù)金屬氧化物及硫化物半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨外界條件的改變而發(fā)生很大的變化§1.1.1導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體各種半導(dǎo)體的典型特性：①溫度↑，導(dǎo)電能力↑↑——熱敏元件②光照，導(dǎo)電能力↑↑——光敏元件③滲入微量雜質(zhì)，導(dǎo)電能力↑↑——二極管、三極管§1.1.2本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體：純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體

純凈的半導(dǎo)體一般都具有晶體結(jié)構(gòu)?

對(duì)半導(dǎo)體施加外電場(chǎng)*自由電子作定向運(yùn)動(dòng)，形成電流（電子電流）

*空穴（帶正電）吸引電子，鄰近共價(jià)鍵中的價(jià)電子在外電場(chǎng)作用下可填補(bǔ)該空穴。SiSiSiSiE在半導(dǎo)體中，電子電流和空穴電流并存，這也是半導(dǎo)體和金屬在導(dǎo)電機(jī)理上的本質(zhì)區(qū)別電子填補(bǔ)空穴的運(yùn)動(dòng)可看成是空穴沿外電場(chǎng)相同的方向作定向運(yùn)動(dòng)，這就是空穴電流SiSiSiSiESiSiSiSiE自由電子和空穴統(tǒng)稱(chēng)為載流子自由電子填補(bǔ)空穴的過(guò)程稱(chēng)為復(fù)合SiSiSiSiE§1.1.3雜質(zhì)半導(dǎo)體

——在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)元素N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體1、N型半導(dǎo)體摻入微量五價(jià)元素——PPSiSiSi自由

電子濃度大大增加，電子導(dǎo)電是主要導(dǎo)電方式自由電子：多數(shù)載流子空穴：少數(shù)載流子則：

PP++一旦多余的價(jià)電子游離P原子，N型半導(dǎo)體（Negative)PSiSiSi+2、P型半導(dǎo)體摻入微量三價(jià)元素——硼原子BSiSiSi空穴濃度大大增加，空穴導(dǎo)電是主要導(dǎo)電方式自由電子：少數(shù)載流子空穴：多數(shù)載流子BBP型半導(dǎo)體(Positive)BSiSiSi§1.1.4PN結(jié)的形成將N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體拼在一起，其交界面處將形成一個(gè)PN結(jié)PNPN內(nèi)電場(chǎng)+++P區(qū)空穴濃度大，空穴由P區(qū)向N區(qū)擴(kuò)散，在交界面附近的P區(qū)留下一些負(fù)離子N區(qū)電子濃度大，電子由N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散，在交界面附近的N區(qū)留下一些正離子正負(fù)離子形成空間電荷區(qū)——PN結(jié)PN內(nèi)電場(chǎng)+++內(nèi)電場(chǎng)阻止P區(qū)及N區(qū)的多數(shù)載流子繼續(xù)擴(kuò)散有利于P區(qū)及N區(qū)的少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)——漂移一開(kāi)始是多數(shù)載流子的擴(kuò)散占主導(dǎo)，最后擴(kuò)散與漂移形成動(dòng)態(tài)平衡PN內(nèi)電場(chǎng)+++PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通：耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。PN結(jié)加反向電壓截止：耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

1.2半導(dǎo)體二極管（Diode）NPDPN表示符號(hào)PN+++二極管的組成將PN結(jié)封裝，引出兩個(gè)電極，就構(gòu)成了二極管。小功率二極管大功率二極管穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管§1.2.1二極管的基本結(jié)構(gòu)NPD陽(yáng)極陰極（2）U

>死區(qū)電壓，U↑→I↑↑1、

當(dāng)U

>0時(shí)PN（1）當(dāng)U<死區(qū)電壓時(shí)，外電場(chǎng)不足以削弱內(nèi)電場(chǎng)，I0I（mA）正向死區(qū)電壓

Si0.5VGe0.1V反向U（V）§1.2.2二極管的特性曲線PNI（mA）正向?qū)妷篣D

Si0.7VGe0.3V反向U（V）（1）當(dāng)|U|<U(BR)（反向擊穿電壓）時(shí)，二極管只存在少數(shù)載流子漂移，從而形成較小的反向飽和電流

2、

U

<

0PNI（mA）正向死區(qū)電壓

Si0.5VGe0.1V反向U（BR）U（V）（2）若|U|>U(BR)，少數(shù)載流子的高速運(yùn)動(dòng)將其他被束縛的價(jià)電子撞擊出來(lái)，如此形成連鎖反應(yīng)，使得二極管中載流子劇增，形成很大的反向電流——反向擊穿

PNPN內(nèi)電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向I（mA）正向死區(qū)電壓

Si0.5VGe0.1V反向U（BR）U（V）

當(dāng)PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱(chēng)為PN結(jié)的反向擊穿。熱擊穿——不可逆

雪崩擊穿

齊納擊穿

電擊穿——可逆PN結(jié)的反向擊穿1、一般可將二極管視為理想元件（死區(qū)電壓、導(dǎo)通電壓均認(rèn)為是零，反向電流為零）

I（mA）正向反向U（BR）U（V）

死區(qū)電壓I（mA）正向U（BR）U（V）反向§1.2.5含二極管電路的計(jì)算（1）正向?qū)〞r(shí)，二極管元件上的正向?qū)▔航悼烧J(rèn)為是零，正向電阻為零（將其視為短路）（2）反向截止時(shí)，二極管反向電阻無(wú)窮大，反向電流為零（開(kāi)路）PNPN2、含二極管電路的分析方法（1）對(duì)于含一個(gè)二極管的電路，先將二極管從電路中分離出來(lái)，求出其陽(yáng)、陰兩極的開(kāi)路電壓，如果該電壓大于零，則二極管導(dǎo)通，否則截止。解：將D開(kāi)路，求其兩端開(kāi)路電壓U，若U>0，則D導(dǎo)通；反之D截止。故D導(dǎo)通，Uo=0V

+4V例1已知D為理想二極管，求Uo=？

+4V故D截止，Uo=

-2V例2

若E=4V，求Uo=？

+4V+4V例3

若將E改為ui，求uo解：+例4已知，畫(huà)的波形。

解：RDE5（2）如果電路中含多個(gè)二極管，則應(yīng)斷開(kāi)所有二極管，求出各管所承受的電壓，其中承受正向電壓最大者優(yōu)先導(dǎo)通，遂將其短路，接著再分析其他二極管。

穩(wěn)壓管是一種特殊的二極管，其伏安特性與普通二極管的差異：（1）反向特性曲線較陡（2）反向擊穿是可逆的（工作于反向擊穿區(qū)）UI/mAIZmaxIZminΔIZΔUZ–UZ一、穩(wěn)壓管簡(jiǎn)介二、主要參數(shù)1、穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管穩(wěn)定工作時(shí)管子兩端的電壓值UI/mAIZmaxIZminΔIZΔUZ–UZUZ++UZ§1.4晶體三極管

為了具備電流放大作用，三極管按如下工藝制造：1）基區(qū)很薄且摻雜濃度很低；2）發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)相差很大；3）發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)高，而集電區(qū)尺寸比發(fā)射區(qū)大，發(fā)射區(qū)與集電區(qū)是同型半導(dǎo)體，但兩者并不對(duì)稱(chēng)，使用時(shí)E和C兩極不能互換。電流分配放大原理三極管放大的外部條件：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏從電位的角度看：NPN發(fā)射結(jié)正偏UB>UE集電結(jié)反偏UC>UB｛｛發(fā)射結(jié)正偏UB<UE集電結(jié)反偏UC<UBPNP

一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)多子濃度高多子濃度很低，且很薄面積大晶體管有三個(gè)極、三個(gè)區(qū)、兩個(gè)PN結(jié)。小功率管中功率管大功率管為什么有孔？二、晶體管的放大原理

擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流IB，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流IC。少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合因集電區(qū)面積大，在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)基區(qū)空穴的擴(kuò)散電流分配：

IE＝IB＋I(xiàn)C

IE－擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流

IB－復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的電流

IC－漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流穿透電流集電結(jié)反向電流直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)為什么基極開(kāi)路集電極回路會(huì)有穿透電流？晶體管的三個(gè)工作區(qū)域

晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流iB，即可將輸出回路等效為電流iB

控制的電流源iC

。結(jié)論實(shí)驗(yàn)表明IC比IB大數(shù)十至數(shù)百倍，IB雖然很小，但對(duì)IC有控制作用，IC隨IB的改變而改變，即基極電流較小的變化可以引起集電極電流較大的變化，表明基極電流對(duì)集電極具有小量控制大量的作用，這就是三極管的電流放大作用。結(jié)論☆三極管工作在放大區(qū)時(shí)，具有電流放大作用，常用來(lái)構(gòu)成各種放大電路。在上篇模擬電子技術(shù)中的三極管作為放大元件，起放大作用，因此都必須工作在放大區(qū)?！钊龢O管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)時(shí)，相當(dāng)于斷開(kāi)和接通的開(kāi)關(guān)，起開(kāi)關(guān)作用。常用來(lái)構(gòu)成各種開(kāi)關(guān)控制和數(shù)字電路。下篇的數(shù)字電路中的三極管作為開(kāi)關(guān)元件，起開(kāi)關(guān)作用，都要求工作在截止或飽和區(qū)。四、溫度對(duì)晶體管特性的影響晶體管也存在死區(qū)電壓硅管的死區(qū)電壓約為0.5V，鍺管為0.1V正常工作時(shí)鍺管的發(fā)射結(jié)電壓約為0.3V硅管的發(fā)射結(jié)電壓約為0.7V死區(qū)電壓208060400.20.40.6

二、輸出特性曲線

1025201551、放大區(qū)曲線族中近似平行于橫軸的部分條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏放大區(qū)1025201552、截止區(qū)曲線族中IB=0以下的部分截止區(qū)1025201553、飽和區(qū)條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏102520155飽和區(qū)4、溫度對(duì)三極管參數(shù)的影響（1）β（2）ICBO（3）uBE例1已知三極管工作于放大區(qū)，測(cè)得三極管各極的電位分別如下，試判斷各三極管的類(lèi)型、材料、電極。A、①=2V②=2.6V③=6VB、①=–4V②=–1.2V③=–1.5VA、①=2V②=2.6V③=6V解：①E，②B，③CNPN硅管B、①=–4V②=–1.2V③=–1.5V①C，②E，③BPNP鍺管【例】放大電路中測(cè)得某三極管3個(gè)電極電位U1、U2、U3分別為8V、11.8V、12V，試判斷此三極管是NPN還是PNP型？是鍺管還是硅管？確定三個(gè)電極e、b、c。解:硅管：UBE=0.7V；鍺管：UBE=0.2V而U3-U2=12-11.8=0.2V說(shuō)明是鍺管。鍺管通常是PNP管。CBE【例1.2】測(cè)得放大電路中某三極管的兩個(gè)電極電流如圖。（1）求另一電極電流，并標(biāo)出極性。（2）判斷是NPN還是PNP管。（3）標(biāo)出e、b、c三個(gè)電極（4）估算值。解：（1）根據(jù)IE=IC+IB，且IC、IB同向與IE反向，已知兩個(gè)電極中必有一個(gè)是e，且電流大的是e。所以，6.1mA的電極是發(fā)射極e。是PNP管。電極如圖。BCE【例1.3】在無(wú)信號(hào)輸入，各晶體管三個(gè)電極對(duì)地電位如圖，判斷各管工作狀態(tài)，哪些損壞？解：判斷工作狀態(tài)的依據(jù)是兩結(jié)的偏置情況。當(dāng)發(fā)射結(jié)壓降遠(yuǎn)大于正常導(dǎo)通壓降（0.7或0.3）時(shí)，管子損壞。放大放大放大飽和飽和截止損壞臨界飽和第一章內(nèi)容小結(jié)半導(dǎo)體基本知識(shí)二極管三極管場(chǎng)效應(yīng)管PN結(jié)（單向?qū)щ娦裕?yīng)用電路結(jié)構(gòu)放大原理工作區(qū)域內(nèi)部結(jié)構(gòu)導(dǎo)電機(jī)理概念應(yīng)用分析第二章基本放大電路本章是學(xué)習(xí)電子技術(shù)的基礎(chǔ)，因此是學(xué)習(xí)的重點(diǎn)之一。其主要內(nèi)容有：放大的基本概念、放大電路的組成、放大電路的主要性能指標(biāo)、放大電路的分析方法（靜態(tài)分析和動(dòng)態(tài)分析）、晶體管放大電路的三種基本組態(tài)（共射、共集、共基），以及多級(jí)放大電路。內(nèi)容簡(jiǎn)介實(shí)現(xiàn)放大的條件1.晶體管必須偏置在放大區(qū)。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。2.正確設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)，使整個(gè)波形處于放大區(qū)。3.輸入回路將變化的電壓轉(zhuǎn)化成變化的基極電流。4.輸出回路將變化的集電極電流轉(zhuǎn)化成變化的集電極電壓，經(jīng)電容濾波只輸出交流信號(hào)。二、設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)的必要性

輸出電壓必然失真！

設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，首先要解決失真問(wèn)題，但Q點(diǎn)幾乎影響著所有的動(dòng)態(tài)參數(shù)！

為什么放大的對(duì)象是動(dòng)態(tài)信號(hào)，卻要晶體管在信號(hào)為零時(shí)有合適的直流電流和極間電壓？三、基本共射放大電路的波形分析飽和失真底部失真截止失真頂部失真輸出和輸入反相！動(dòng)態(tài)信號(hào)馱載在靜態(tài)之上與iC變化方向相反

要想不失真，就要在信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)保證晶體管始終工作在放大區(qū)！四、放大電路的組成原則靜態(tài)工作點(diǎn)合適：合適的直流電源、合適的電路參數(shù)。動(dòng)態(tài)信號(hào)能夠作用于晶體管的輸入回路，在負(fù)載上能夠獲得放大了的動(dòng)態(tài)信號(hào)。對(duì)實(shí)用放大電路的要求：共地、直流電源種類(lèi)盡可能少、負(fù)載上無(wú)直流分量。兩種實(shí)用放大電路：（1）直接耦合放大電路問(wèn)題：1.兩種電源2.信號(hào)源與放大電路不“共地”共地，且要使信號(hào)馱載在靜態(tài)之上靜態(tài)時(shí)，動(dòng)態(tài)時(shí)，VCC和uI同時(shí)作用于晶體管的輸入回路。將兩個(gè)電源合二為一有直流分量有交流損失－＋UBEQ兩種實(shí)用放大電路：（2）阻容耦合放大電路

耦合電容的容量應(yīng)足夠大，即對(duì)于交流信號(hào)近似為短路。其作用是“隔離直流、通過(guò)交流”。靜態(tài)時(shí)，C1、C2上電壓？動(dòng)態(tài)時(shí)，C1、C2為耦合電容?。璘BEQ－＋UCEQuBE＝uI＋UBEQ，信號(hào)馱載在靜態(tài)之上。負(fù)載上只有交流信號(hào)?！?.3放大電路的分析方法一、放大電路的直流通路和交流通路二、圖解法三、等效電路法一、放大電路的直流通路和交流通路1.直流通路：①

Us=0，保留Rs；②電容開(kāi)路；③電感相當(dāng)于短路（線圈電阻近似為0）。2.交流通路：①大容量電容相當(dāng)于短路；②直流電源相當(dāng)于短路（內(nèi)阻為0）。

通常，放大電路中直流電源的作用和交流信號(hào)的作用共存，這使得電路的分析復(fù)雜化。為簡(jiǎn)化分析，將它們分開(kāi)作用，引入直流通路和交流通路的概念?；竟采浞糯箅娐返闹绷魍泛徒涣魍?/p>

列晶體管輸入、輸出回路方程，將UBEQ作為已知條件，令I(lǐng)CQ＝βIBQ，可估算出靜態(tài)工作點(diǎn)。

VBB越大，UBEQ取不同的值所引起的IBQ的誤差越小。當(dāng)VCC>>UBEQ時(shí)，已知：VCC＝12V，Rb＝600kΩ，Rc＝3kΩ，

β＝100。Q＝？直流通路阻容耦合單管共射放大電路的直流通路和交流通路3.失真分析截止失真消除方法：增大VBB，即向上平移輸入回路負(fù)載線。截止失真是在輸入回路首先產(chǎn)生失真！減小Rb能消除截止失真嗎？飽和失真消除方法：增大Rb，減小Rc，減小β，減小VBB，增大VCC。Rb↑或β↓或VBB↓Rc↓或VCC↑：飽和失真是輸出回路產(chǎn)生失真。最大不失真輸出電壓Uom

：比較UCEQ與（VCC－UCEQ

），取其小者，除以。這可不是好辦法！三、動(dòng)態(tài)分析（微變等效電路法）當(dāng)輸入交流信號(hào)變化范圍很小時(shí)，可認(rèn)為三極管工作于線性區(qū)，此時(shí)三極管可用一個(gè)線性模型等效，稱(chēng)此線性模型為三極管的微變等效電路。bceT++--ΔiBΔiCΔuBEΔuCEiBuBE0UBEQQIBQΔuBEΔiBbe+-ΔiBΔuBErbe0uCEiCIBQQUCEQICQΔiBΔiCc+-ΔiCΔuCEeβibic共射放大電路的微變等效電路BCETRCC1ui+C2uo+-++--+UCCRbuC1uC2uBEiBiCuCE--+usRsRL=

交流通路

+三極管微變等效電路uoBCETRCui+C2+-Rbibic--+usRsRL交流通路微變等效電路+uS+-Rbbeibrbeceβibic-RSRcRLuOui放大電路的微變等效電路用于計(jì)算放大電路的動(dòng)態(tài)參數(shù)：Au、Ri、RO.放大電路的微變等效電路BCETRCC1ui+-C2uo+-++--+UCCRb分壓偏置式放大電路解決共射放大電路Q(chēng)點(diǎn)不穩(wěn)定的方法選擇溫度穩(wěn)定性高的三極管元件采用新的電路結(jié)構(gòu)----分壓偏置式放大電路BTRCC1ui+-C2uo+-++++UCCRb1Rb2RLReCe基極采用分壓偏置引入負(fù)反饋分壓偏置式放大電路的工作原理（1）在電路設(shè)計(jì)中使IR1》IB，常取(5～10)IB，則：即基極電位基本不隨溫度變化。（2）Re在電路中引起如下控制過(guò)程：溫度IC(IE)VE(=IERe)UBE(=VB-VE)IBIC=βIB即IC的變化受到抑制，Q點(diǎn)穩(wěn)定Re的大小對(duì)反饋有何影響？IR1IBVBICIEIR2二、靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的典型電路Ce為旁路電容，在交流通路中可視為短路

穩(wěn)定原理

為了穩(wěn)定Q點(diǎn)，通常I1>>IB，即I1≈I2；因此基本不隨溫度變化。設(shè)UBEQ＝UBE＋ΔUBE，若UBQ－UBE>>ΔUBE，則IEQ穩(wěn)定。Re的作用T(℃)↑→IC↑→UE↑→UBE↓（UB基本不變）→IB↓→IC↓Re起直流負(fù)反饋?zhàn)饔?，其值越大，反饋越?qiáng)，Q點(diǎn)越穩(wěn)定。關(guān)于反饋的一些概念：將輸出量通過(guò)一定的方式引回輸入回路影響輸入量的措施稱(chēng)為反饋。直流通路中的反饋稱(chēng)為直流反饋。反饋的結(jié)果使輸出量的變化減小的稱(chēng)為負(fù)反饋，反之稱(chēng)為正反饋。Re有上限值嗎？IC通過(guò)Re轉(zhuǎn)換為ΔUE影響UBE溫度升高IC增大，反饋的結(jié)果使之減小直流通路uoBTRCC1ui+-C2+-++++UCCRb1Rb2RLReCe分壓偏置式放大電路分壓偏置式放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算IBQVBICQIEQBTRC+UCCRb1Rb2ReUCEQ因?yàn)镮R》IB，則：所以：微變等效電路uoBTRCC1ui+-C2+-++++UCCRb1Rb2RLReCe分壓偏置式放大電路分壓偏置式放大電路的動(dòng)態(tài)參數(shù)計(jì)算++-Rb2beibrbeceβibic-RLRcRb1uOui（1）電壓放大倍數(shù)Au（2）輸入電阻Ri（3）輸出電阻Ro結(jié)論：分壓偏置放大電路的動(dòng)態(tài)參數(shù)與共射放大電路一致。那么它的作用是什么?分壓偏置式放大電路（1）電壓放大倍數(shù)Au（2）輸入電阻Ri（3）輸出電阻Ro電容Ce對(duì)分壓偏置式放大電路動(dòng)態(tài)參數(shù)的影響Au減小++-Rb2beibrbecβibic-RLRcRb1uOuiReRi增大Ro不變ii有無(wú)旁路電容的比較【例】如圖，已知：UCC=12V，RB1=20KΩ，RB2=10KΩ，RC=2KΩ，

RL=6KΩ，RE=2KΩ

β=40。RS=1KΩ

①放大器的輸入電阻和輸出電阻。②求電壓放大倍數(shù)。解：①先求靜態(tài)工作點(diǎn)分壓偏置式放大電路舉例輸入電阻為：輸出電阻為：②對(duì)輸入電壓的放大倍數(shù)因?yàn)椋寒?huà)微變等效電路如圖：注意RE的處理分壓偏置式放大電路舉例三種接法放大電路性能比較電路名稱(chēng)電壓放大倍數(shù)Au輸入電阻Ri輸出

電阻Ro使用場(chǎng)合共射放大電路共集放大電路共基放大電路較大較大較大較大最大較小較小最小Au≈1用于電壓放大用于輸入、輸出級(jí)用于高頻電路§2.6多級(jí)放大電路多級(jí)放大電路的組成與耦合方式MultistageAmplifiers理想放大器的條件：AU=Ri=Ro=∞∞0因?yàn)槿魏我粋€(gè)單管放大電路都不可能同時(shí)滿足上述要求，故必須利用各單管電路的特點(diǎn)構(gòu)成多級(jí)放大電路。RiRo輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)RLRS+-us+-uoui作用：獲取信號(hào)要求：Ri大電路：共集、MOS管電路作用：電壓放大要求：AU大電路：共射、共源電路作用：帶負(fù)載能力強(qiáng)要求：Ro小電路：共集、共漏、功率放大電路多級(jí)放大電路的組成與耦合方式多級(jí)放大電路的耦合方式阻容耦合直接耦合變壓器耦合BCETRCC1ui+-C2uo+-+++UCCRb阻容耦合方式BCETRCC1ui+-C2uo+-+++UCCRb直接耦合方式2、零點(diǎn)漂移問(wèn)題零點(diǎn)漂移現(xiàn)象放大電路示波器輸入信號(hào)為零輸出信號(hào)不為零產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因零點(diǎn)漂移的本質(zhì)是Q點(diǎn)漂移溫度變化是導(dǎo)致Q點(diǎn)漂移的主要原因零點(diǎn)漂移也稱(chēng)為溫漂零漂引起的后果Q點(diǎn)嚴(yán)重偏離，不能正常工作。輸入信號(hào)可能會(huì)淹沒(méi)于零漂之中。衡量零漂的方法

將放大器輸出端的零漂ΔUO折算到輸入端電壓ΔUO/|AU|進(jìn)行比較例如:放大器A|AU|=1000,零漂ΔUO=100mV則折算到輸入端零漂為:ΔUO/|AU|=0.1mV放大器B|AU|=5000,零漂ΔUO=200mV則折算到輸入端零漂為:ΔUO/|AU|=0.04mV則A比B零漂嚴(yán)重阻容耦合放大電路有零漂嗎？二、直接耦合放大電路特點(diǎn)克服零漂的措施從外部消除溫度的影響,如采用恒溫系統(tǒng).從電路內(nèi)部采取措施選用高質(zhì)量硅管利用熱敏元件進(jìn)行溫度補(bǔ)償采用新的電路結(jié)構(gòu)---差動(dòng)放大器(DifferentialAmplifer,diff-amp)二、直接耦合放大電路特點(diǎn)反饋和負(fù)反饋放大電路工廠用戶銷(xiāo)售員信息員實(shí)際問(wèn)題舉例集成運(yùn)放的應(yīng)用理想集成運(yùn)放及其分析方法1.