標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 26072-2010 太陽能電池用鍺單晶》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)定用于太陽能電池的鍺單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等方面的要求。該標(biāo)準(zhǔn)適用于以區(qū)熔法生產(chǎn)的太陽能電池用鍺單晶材料。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),對(duì)于鍺單晶的質(zhì)量控制主要包括以下幾個(gè)方面:
- 外觀質(zhì)量:要求鍺單晶表面光滑無裂紋,不允許存在影響使用的缺陷。
- 電阻率:定義了鍺單晶在特定溫度下的電阻率范圍,這是衡量其導(dǎo)電性能的重要指標(biāo)之一。
- 位錯(cuò)密度:限制了每平方厘米內(nèi)允許的最大位錯(cuò)數(shù)量,因?yàn)楦呙芏鹊奈诲e(cuò)會(huì)降低材料性能。
- 少數(shù)載流子壽命:指定了少數(shù)載流子(電子或空穴)在材料中能夠自由移動(dòng)的時(shí)間長(zhǎng)度,這直接影響到光電轉(zhuǎn)換效率。
- 尺寸偏差:明確了鍺單晶直徑及其長(zhǎng)度的具體公差范圍。
- 純度:設(shè)定了雜質(zhì)元素含量的最大限值,確保材料具有良好的物理化學(xué)性質(zhì)。
- 試驗(yàn)方法:提供了測(cè)定上述各項(xiàng)參數(shù)的方法指南,包括但不限于四探針法測(cè)電阻率、X射線衍射儀檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)等。
- 檢驗(yàn)規(guī)則:說明了產(chǎn)品出廠前需進(jìn)行的抽樣檢查流程及合格判定標(biāo)準(zhǔn)。
- 包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸與儲(chǔ)存:對(duì)如何妥善處理鍺單晶成品提出了具體建議,比如使用防震包裝材料、明確標(biāo)注生產(chǎn)日期及批號(hào)信息等。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2011-01-10 頒布
- 2011-10-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS29045
H82.
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T26072—2010
太陽能電池用鍺單晶
Germaniumsinglecrystalforsolarcell
2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
中華人民共和國(guó)
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
太陽能電池用鍺單晶
GB/T26072—2010
*
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行
北京復(fù)興門外三里河北街號(hào)
16
郵政編碼
:100045
網(wǎng)址
:
服務(wù)熱線
/p>
年月第一版
20117
*
書號(hào)
:155066·1-42615
版權(quán)專有侵權(quán)必究
GB/T26072—2010
前言
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標(biāo)準(zhǔn)由云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司負(fù)責(zé)起草
。
本標(biāo)準(zhǔn)由南京中鍺科技股份有限公司云南中科鑫圓晶體材料有限公司北京國(guó)晶輝紅外光學(xué)科技
、、
有限公司廈門乾照光電有限公司參加起草
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人惠峰普世坤包文東鄭洪張莉萍孫小華蘇小平王向武
:、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T26072—2010
太陽能電池用鍺單晶
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用鍺單晶棒的術(shù)語產(chǎn)品分類技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志包
、、、、、
裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單內(nèi)容
、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于垂直梯度凝固法和直拉法制備的太陽能電池用鍺單晶滾圓棒
(VGF)(CZ)。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法
GB/T1550
半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
GB/T1555
非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法
GB/T4326
鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法
GB/T5252
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法
GB/T14844
鍺單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法
GB/T26074
3術(shù)語
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T14264。
4要求
41分類
.
鍺單晶棒按導(dǎo)電類型分為型和型兩種類型
np。
42牌號(hào)
.
鍺單晶棒的牌號(hào)表示按的規(guī)定
GB/T14844。
43外形尺寸
.
鍺單晶棒的外形尺寸應(yīng)符合表的規(guī)定如客戶對(duì)外形尺寸有特殊要求供需雙方另行商定
1,,。
表1單位為毫米
直徑??
76.2100
直徑及偏差
76.2±0.210
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