GB/T 24576-2009高分辨率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AlGaAs中Al成分的試驗方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜２４５７６—２００９

高分辨率犡射線衍射測量犌犪犃狊襯底

生長的犃犾犌犪犃狊中犃犾成分的試驗方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狋犺犲犃犾犳狉犪犮狋犻狅狀犻狀犃犾犌犪犃狊狅狀犌犪犃狊狊狌犫狊狋狉犪狋犲狊犫狔

犺犻犵犺狉犲狊狅犾狌狋犻狅狀犡狉犪狔犱犻犳犳狉犪犮狋犻狅狀

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜２４５７６—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容等同采用ＳＭＥＩＭ６３０３０６《準(zhǔn)則：采用高分辨率Ｘ光衍射法測量砷化鎵襯底上

ＡｌＧａＡｓ中Ａｌ百分含量的測試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)對ＳＭＥＩＭ６３０３０６進(jìn)行了編輯性修改。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄Ａ為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研

究所。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：章安輝、黃慶濤、何秀坤。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５７６—２００９

高分辨率犡射線衍射測量犌犪犃狊襯底

生長的犃犾犌犪犃狊中犃犾成分的試驗方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用高分辨Ｘ射線衍射測量ＧａＡｓ襯底上ＡｌＧａＡｓ外延層中Ａｌ含量的試驗方法。

本方法適用于在未摻雜ＧａＡｓ襯底＜００１＞方向上生長的ＡｌＧａＡｓ外延層中Ａｌ含量的測定，使用

本方法測量Ａｌ元素含量時，ＡｌＧａＡｓ外延層厚度應(yīng)大于３００ｎｍ。

２術(shù)語、定義和符號

２．１術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

２．１．１

布拉格角犅狉犪犵犵犪狀犵犾犲

Ｘ光從一組結(jié)晶學(xué)平面衍射的角度，在布拉格定律中定義為：

λ＝２犱ｓｉｎθ

其中，λ是Ｘ光的波長，犱是相鄰結(jié)晶學(xué)平面之間的距離，θ是Ｘ光衍射時光線與反射面之間的

角度。

２．１．２

搖擺曲線狉狅犮犽犻狀犵犮狌狉狏犲

掃描通過一個衍射峰時，衍射強(qiáng)度與ω的關(guān)系曲線，這個衍射峰在ＨＲＸＲＤ測量中也許只有幾個

弧秒的寬度。

２．１．３

散射面狊犮犪狋狋犲狉犻狀犵狆犾犪狀犲

包含入射光和衍射光的平面。

２．１．４

維加德定律犞犲犵犪狉犱’狊犔犪狑

描述三元合金Ａ狓Ｂ１－狓Ｃ晶格參數(shù)隨著狓成線性變化的定律，以ＡＢ或ＡＣ為基元，狓的變