GB/T 20724-2006薄晶體厚度的會聚束電子衍射測定方法

ICS71.040.99N53中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T20724—2006薄晶體厚度的會聚束電子衍射測定方法Methodofthicknessmeasurementforthincrystalbyconvergentbeamelectrondiffraction2006-12-25發(fā)布2007-08-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)薄晶體厚度的會聚束電子衍射測定方法GB/T20724-2006中中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045.en電話：010)51299090.685220062007年6月第一版書號：155066·1-29497版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010)68522006

GB/T20724一2006前本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口.本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京科技大學(xué)。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:柳得檐。本標(biāo)準(zhǔn)為首次制定

GB/T20724-2006薄晶體厚度的會聚束電子衍射測定方法范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用透射電子顯微鏡測定薄品體試樣厚度的會聚束電子衍射方法。本方法適用于測定線度為10-°m～0.1×10-3m、厚度在幾十至幾百納米范圍的薄晶體厚度規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn).然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T18907—2002透射電子顯微鏡選區(qū)電子衍射分析方法術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)31會聚束電子衍射convergentbeamelectrondiffraction（CBED)一種電子衍射方法,由電子槍發(fā)射的高能電子束被會聚成直徑很小而孔徑角較大(通常大于10-弧度)的照明束照射試樣,所得到的衍射圖由具有一定尺寸的衍射圓盤與直射圓盤組成，在衍射盤內(nèi)出現(xiàn)衍射條紋襯度。3.2薄晶體試樣ethincrystalspecimen能夠置放在透射電子顯微鏡試樣臺上并對高能照明電子束透明的品體試樣33萃取復(fù)型試樣lextractionreplicaspecimen應(yīng)用化學(xué)或電化學(xué)方法將固態(tài)試樣表面形貌或顯微組織復(fù)制在復(fù)型材料上,同時把試樣中的第二相顆粒萃取在該復(fù)型上的一種試樣3.4Kossel-Millenstedt衍射圖Kossel-Millenstedtpattern衍射盤與直射盤沒有重疊，而且盤內(nèi)呈現(xiàn)衍射襯度的一種會聚束電子衍射圖3.5雙束近似twobeamapproximation進(jìn)行電子衍射實(shí)驗(yàn)時,使晶體試樣僅有一列品面(hi)滿足布拉格反射條件的一種近似條件原理在透射電子顯微鏡中的薄晶體試樣被會聚電子束照射時,產(chǎn)生會聚束電子衍射圖。利用雙束近似條件下衍射盤內(nèi)的Kossel-Mollenstedt條紋可精確測定薄品體試樣微區(qū)的厚