標準解讀
《GB/T 18210-2000 晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量》這一標準規(guī)范了晶體硅光伏方陣在實際工作環(huán)境下I-V特性(電流-電壓特性)的測量方法和要求。然而,您提供的對比對象不完整,我無法直接指出與某一特定標準相比的具體變更內(nèi)容。但可以一般性地說明,當一個標準更新或與另一個標準相對比時,變更可能涉及以下幾個方面:
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測量技術(shù)與設(shè)備更新:新標準可能會引入更先進的測量技術(shù)和設(shè)備要求,以提高測量精度和效率,比如采用更精密的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、改進的傳感器技術(shù)等。
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測試程序與方法優(yōu)化:可能會對方陣的預處理條件、測試環(huán)境的控制標準、測試步驟的詳細說明進行調(diào)整,以確保測試結(jié)果的可重復性和準確性。
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數(shù)據(jù)分析與處理:新標準可能會提供新的數(shù)據(jù)分析方法,包括統(tǒng)計處理、誤差分析的指導原則,以及如何正確解釋I-V曲線的細節(jié)變化。
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安全與環(huán)保要求:隨著行業(yè)對安全和環(huán)境保護意識的增強,新標準可能會增加關(guān)于測試操作中的安全措施和環(huán)境保護要求。
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適用范圍調(diào)整:可能對方陣的類型、尺寸、工作環(huán)境等適用范圍做出更明確或擴展的定義,以覆蓋更多類型的晶體硅光伏產(chǎn)品。
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術(shù)語與定義更新:為了與國際標準或行業(yè)最新發(fā)展保持一致,標準中的專業(yè)術(shù)語和定義可能會被修訂或新增。
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合規(guī)性與認證要求:可能會對測試報告的格式、內(nèi)容要求及認證流程做出明確規(guī)定,以增強結(jié)果的國際認可度和可比性。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2000-10-17 頒布
- 2001-05-01 實施
文檔簡介
ICS27.160K83中華人民共和國國家標準GB/T.18210-2000idtIrc61829:1995°晶體硅光伏(PV)方陣I-V特性的現(xiàn)場測量Crystallinesiliconphotovoltaic(PV)arrayOn-sitemeasurementof/-Vcharacteristics2000-10-17發(fā)布2001-05-01實施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
GB/T18210-2000目次前言IEC前言范圍和目的引用標準33測量方法(方法A和B)投設(shè)備45程序6準確度附錄A(提示的附錄)術(shù)語
GB/T18210-2000本標準等同采用IEC61829:1995《品體硅光伏(PV)方陣T-V特性的現(xiàn)場測量》。本標準是太陽光伏能源系統(tǒng)中一項基礎(chǔ)標準.所使用的名詞術(shù)語與有關(guān)標準協(xié)調(diào)一致在與IEC/TC82秘書處交換意見之后,本標準對IEC61829:1995中錯誤作如下修正:1.“輻照度"和“輻照度G"統(tǒng)一用符號"G"表示;2.用術(shù)語“標準光伏器件“代替“標準器件“和“標準PV器件"。術(shù)語“標準光伏器件“的定義列于附永中。3.對不同場合測得的開路電壓Voc加以編號:4:"T"和"了”統(tǒng)一為"T,”。5.在5.1a)測量組件背表面中心溫度時,增加一個限定條件靠近電池處、本標準的附錄A是提示的附錄。本標準由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。本標準由全國太陽光伏能源系統(tǒng)標準化技術(shù)委員會歸口本標準起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部電子第十八研究所、秦皇島市華美光電設(shè)備總公司本標準主要起草人:由志德、李濤勇。
GB/T18210-2000IEC前言1)IEC(國際電工委員會)是由各國家電工委員會(IEC國家委員會)組成的世界性標準化組織IC的目的是促進電工電子領(lǐng)域標準化問題的國際合作。為此目的.除其他活動外,IEC發(fā)布國際標準國際標準的制定由技術(shù)委員會承擔,對所涉及內(nèi)容關(guān)切的任何IEC國家委員會均可參加國際標準的制定工作。與IC有聯(lián)系的任何國際,政府和非官方組織也可以參加國際標準的制定。IEC與國際標準化組織(ISO)根據(jù)兩組織間協(xié)商確定的條件保持密切的合作關(guān)系,2)IEC在技術(shù)問題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議,是由對這些問題特別關(guān)切的國家委員會參加的技術(shù)委員會制定的.對所涉及的問題盡可能地代表了國際上的一致意見。3)這些決議或協(xié)議以標準、技術(shù)報告或?qū)t形式發(fā)布·以推薦的形式供國際上使用·并在此意義上,為各國家委員會認可。4)為了促進國際上的統(tǒng)一,各IEC國家委員會有責任使其國家和地區(qū)標準盡可能采用IEC標準。IEC標準與相應國家或地區(qū)標準之間的任何差異應在國家或地區(qū)標準中指明,國際標準IEC61829由IEC第82技術(shù)委員會(太陽光伏能源系統(tǒng))制定。本標準文本以下列文件為依據(jù):DIS(國際標準草案)表決報告82(C0)3682(C0)61表決批準本標準的詳細資料可在上表列出的表決報告中查閱附錄A為提示的附錄.
中華人民共和國國家標準晶體硅光伏(PV)方陣GB/T18210-2000I-V特性的現(xiàn)場測量idtIEC61829:1995Crystallinesiliconphotovoltaic(PV)arrayOn-sitemeasurementof/-Vcharacteristics范范圍和目的本標準描述品體硅光伏方陣特性的現(xiàn)場測量及將測得的數(shù)據(jù)外推到標準測試條件(STC)或其他選定的溫度和輻照度條件下的程序。光伏方陣在實際現(xiàn)場條件下的7V特性測量及其驗收測試條件(ATC)下的外推值·能夠提供(參見附錄A和IECQQC001002):a)功率額定值的數(shù)據(jù):b)驗證已安裝的方陣功率性能是否符合設(shè)計規(guī)范:)檢測現(xiàn)場組件特性與實驗室或工廠測量之間的差異;d)檢測組件和方陣相對于現(xiàn)場初期數(shù)據(jù)的性能衰降。對于某一個組件.現(xiàn)場測量經(jīng)外推到標準測試條件(STC)的數(shù)據(jù).可以直接與先前在實驗室和工廠得到的結(jié)果相比較。條件是兩者測量中使用的標準光伏器件具有相同的光譜響應和相同的空間分布響應。參見GB/T6495(或IEC60904)的相應標準。由于現(xiàn)場方陣測量的數(shù)據(jù)包括了二極管、電纜以及失配損失。因此,它們不可直接同各組件數(shù)據(jù)之和相比較。如如果一個光伏方陣是由不同仰角、方位角、工藝、電氣結(jié)構(gòu)的若干個子方陣組成.這里描述的程序?qū)⒅贿m用于每一個光伏子方陣引用標準下列標準所包含的條文,通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。本標準出版時·所示版本均為有效。所有標準都會被修訂,使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。IEC和ISO成員國要備有現(xiàn)行有效的國際標準的目錄。GB/T6495.1—1996光伏器件第1部分:光伏電流—電壓特性的測量(idtIEC60904-1:1987)GB/T6495.2—1996光伏器件第2部分:標準太陽電池的要求(idtIEC60904-2:1989)GB/T6495.3—1996光伏器件第3部分:地面用光伏器件的測量原理及標準光譜輻照度數(shù)據(jù)(idtIEC60904-3.1989)GB/T6495.4-1996晶體硅光伏器件的7-V實測特性的溫度和輻照度修正方法(idtIEC60891:1987TEC60904-2:
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