標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 17170-1997是一項(xiàng)中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測試方法》。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了如何測定非摻雜半絕緣砷化鎵（GaAs）單晶材料中深能級(jí)缺陷EL2的濃度，采用的方法是紅外吸收光譜技術(shù)。以下是該標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的具體解析：

  1. 適用范圍：本標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估非摻雜條件下，即材料中不故意添加其他元素以改變其電學(xué)性質(zhì)的半絕緣砷化鎵單晶。半絕緣特性意味著材料在某些條件下表現(xiàn)出高電阻率，這對(duì)于特定的電子器件如高頻器件和光電子器件尤為重要。EL2是一種典型的深能級(jí)缺陷，它的存在會(huì)影響材料的電學(xué)與光學(xué)性能。

  2. 測試原理：利用紅外吸收光譜技術(shù)，因?yàn)樯钅芗?jí)缺陷會(huì)吸收特定波長的紅外光。當(dāng)紅外光通過樣品時(shí)，EL2缺陷會(huì)吸收特定能量的光子，導(dǎo)致光譜中的吸收峰或變化，通過分析這些吸收特征，可以定量測定EL2缺陷的濃度。

  3. 測試方法：標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)說明了樣品制備、測量條件、數(shù)據(jù)采集與處理的具體步驟。包括但不限于樣品的切割、拋光以確保表面平整，以及在適宜的溫度和光照條件下進(jìn)行測量，以保證結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。

  4. 數(shù)據(jù)處理與分析：根據(jù)測量得到的紅外吸收光譜，通過特定的計(jì)算模型或參照已知的EL2吸收峰位置和強(qiáng)度，來確定EL2缺陷的濃度。這可能涉及光譜的基線校正、峰值識(shí)別及積分面積的計(jì)算等。

  5. 精度與誤差：標(biāo)準(zhǔn)中還會(huì)給出測試方法的精度要求和可能的誤差來源分析，確保不同實(shí)驗(yàn)室間測試結(jié)果的可比性。這包括儀器精度、環(huán)境因素對(duì)測量的影響以及數(shù)據(jù)處理中的不確定度分析。

  6. 質(zhì)量控制：為保證測試結(jié)果的可靠性，標(biāo)準(zhǔn)還可能包含關(guān)于儀器校準(zhǔn)、空白實(shí)驗(yàn)、重復(fù)性與再現(xiàn)性試驗(yàn)的規(guī)定，以及對(duì)測試過程中異常情況的處理指導(dǎo)。


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  • 1997-12-22 頒布
  • 1998-08-01 實(shí)施
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TCS29.045五21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)cB/T17170－1997非摻雜半絕緣砷化家單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測試方法TestmethodfordeeplevelEL2concentrationofundopedsemi-insulatingmonocrystallgalliumarsenidebymeasurementinfraredlabsorptionmethod1997-12-22發(fā)布1998-08-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)非摻雜半絕緣砷化鑲單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測試方法GB/T17170-1997中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：10X45電話：63787337、637874471998年6月第一版2005年1月電子版制作書號(hào)：155066·1-14931版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

GB/T17170-1997前目前沒有查閱到“半絕緣砷化鏢深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測試方法”的國際標(biāo)準(zhǔn)和國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)。“半絕緣砷化鏢EL2濃度紅外吸收測試方法”曾制定了電子部行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)—SJ3249.4—89。原標(biāo)準(zhǔn)測量時(shí)，要求試樣厚度范圍為2mm～4mm,試樣表面要求進(jìn)行雙面拋光。由于半導(dǎo)體工藝過程所使用的半絕緣砷化鯨品片厚度為0.5mm左右，故原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試樣厚度已不能滿足實(shí)際需要。本標(biāo)準(zhǔn)的制定，擴(kuò)充了原電子部標(biāo)準(zhǔn)SJ3249.4—89的內(nèi)容，增加了半絕緣砷化鏢薄片EL2濃度測量，解決了薄片試樣微區(qū)分析的測量技術(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)的制定具有很好的實(shí)用性。本標(biāo)準(zhǔn)從1998年8月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部第四十六研究所負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李光平、汝瓊娜、李靜、段曙光、何秀坤。本標(biāo)準(zhǔn)于1997年12月首次發(fā)布。本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施之日起，原電子部行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ3249.4—89作廢。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)非摻雜半絕緣砷化鑲單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測試方法GB/T17170-1997TestmethodfordeeplevelEL2concentrationofundopedsemi-insulatingmonocrystalgalliumarsenidebymeasurementinfraredabsorptionmethod1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非摻雜半絕緣砷化家單晶及其晶片深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于10'·cm的非摻雜半絕緣砷化家單晶及其晶片深能級(jí)EL2濃度的澳本標(biāo)準(zhǔn)不適用于摻鉻半絕緣砷化家試樣深能級(jí)EL2濃度測定、方法原理非摻雜半絕緣砷化家中EL2濃度深電子陷餅的紅外吸收系數(shù)“與EL2濃度具有對(duì)應(yīng)關(guān)系，測量1.0972gm處的紅外吸收系數(shù)并由經(jīng)驗(yàn)校準(zhǔn)公式可計(jì)算出EL2濃度(紅外吸收系數(shù)與EL2旅度的關(guān)系詳見附錄A）。3瀏量儀器3.1分光光度計(jì):能在0.8rm～2.5rm范圍掃描且零線吸光度起伏不大于士0.002.3.2樣品架：具有可調(diào)功能，對(duì)于厚度為2mm～4mm的試樣，使用光欄孔徑為1mm×6mm的樣品架;對(duì)于厚度為0.4mm～0.6mm的試樣，使用光欄孔徑為（0.3～0.5)mm×6mm的可調(diào)樣品架。3.3厚度測量儀：精度為10rmm.4試樣制備厚度為2mm～4mm的試樣，研磨后雙面拋光，使兩表面呈光學(xué)鏡面。4.2厚度為0.4mm～0.6mm的試樣,用解理法將試樣平行解理成一窄條，窄條寬度為被測試樣所需厚度;厚度為2mm～4mm試樣，長度大于6mm(見圖1)。解理面應(yīng)呈鏡面，滿足測量要求。(a）厚度為0.4mm～0.

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