GB/T 17170-1997非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法

TCS29.045五21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)cB/T17170－1997非摻雜半絕緣砷化家單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法TestmethodfordeeplevelEL2concentrationofundopedsemi-insulatingmonocrystallgalliumarsenidebymeasurementinfraredlabsorptionmethod1997-12-22發(fā)布1998-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)非摻雜半絕緣砷化鑲單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法GB/T17170-1997中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門(mén)外三里河北街16號(hào)郵政編碼：10X45電話(huà)：63787337、637874471998年6月第一版2005年1月電子版制作書(shū)號(hào)：155066·1-14931版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究舉報(bào)電話(huà)：（010）68533533

GB/T17170-1997前目前沒(méi)有查閱到“半絕緣砷化鏢深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法”的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)。“半絕緣砷化鏢EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法”曾制定了電子部行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)—SJ3249.4—89。原標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量時(shí)，要求試樣厚度范圍為2mm～4mm,試樣表面要求進(jìn)行雙面拋光。由于半導(dǎo)體工藝過(guò)程所使用的半絕緣砷化鯨品片厚度為0.5mm左右，故原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試樣厚度已不能滿(mǎn)足實(shí)際需要。本標(biāo)準(zhǔn)的制定，擴(kuò)充了原電子部標(biāo)準(zhǔn)SJ3249.4—89的內(nèi)容，增加了半絕緣砷化鏢薄片EL2濃度測(cè)量，解決了薄片試樣微區(qū)分析的測(cè)量技術(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)的制定具有很好的實(shí)用性。本標(biāo)準(zhǔn)從1998年8月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部第四十六研究所負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李光平、汝瓊娜、李靜、段曙光、何秀坤。本標(biāo)準(zhǔn)于1997年12月首次發(fā)布。本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施之日起，原電子部行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SJ3249.4—89作廢。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)非摻雜半絕緣砷化鑲單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法GB/T17170-1997TestmethodfordeeplevelEL2concentrationofundopedsemi-insulatingmonocrystalgalliumarsenidebymeasurementinfraredabsorptionmethod1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非摻雜半絕緣砷化家單晶及其晶片深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于10'·cm的非摻雜半絕緣砷化家單晶及其晶片深能級(jí)EL2濃度的澳本標(biāo)準(zhǔn)不適用于摻鉻半絕緣砷化家試樣深能級(jí)EL2濃度測(cè)定、方法原理非摻雜半絕緣砷化家中EL2濃度深電子陷餅的紅外吸收系數(shù)“與EL2濃度具有對(duì)應(yīng)關(guān)系，測(cè)量1.0972gm處的紅外吸收系數(shù)并由經(jīng)驗(yàn)校準(zhǔn)公式可計(jì)算出EL2濃度(紅外吸收系數(shù)與EL2旅度的關(guān)系詳見(jiàn)附錄A）。3瀏量?jī)x器3.1分光光度計(jì):能在0.8rm～2.5rm范圍掃描且零線(xiàn)吸光度起伏不大于士0.002.3.2樣品架：具有可調(diào)功能，對(duì)于厚度為2mm～4mm的試樣，使用光欄孔徑為1mm×6mm的樣品架;對(duì)于厚度為0.4mm～0.6mm的試樣，使用光欄孔徑為（0.3～0.5)mm×6mm的可調(diào)樣品架。3.3厚度測(cè)量?jī)x：精度為10rmm.4試樣制備厚度為2mm～4mm的試樣，研磨后雙面拋光，使兩表面呈光學(xué)鏡面。4.2厚度為0.4mm～0.6mm的試樣,用解理法將試樣平行解理成一窄條，窄條寬度為被測(cè)試樣所需厚度;厚度為2mm～4mm試樣，長(zhǎng)度大于6mm(見(jiàn)圖1)。解理面應(yīng)呈鏡面，滿(mǎn)足測(cè)量要求。(a）厚度為0.4mm～0.