標準解讀

《GB/T 15870-1995 硬面光掩模用鉻薄膜》這一標準詳細規(guī)定了硬面光掩模行業(yè)中使用的鉻薄膜的各項技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求。然而，您提供的對比標準信息不完整，我無法直接指出與某一特定標準相比的具體變更內(nèi)容。但可以說明一般情況下，當一個標準更新或與另一個標準相對比時，可能涉及的變更點通常包括：

  1. 技術(shù)指標調(diào)整：新標準可能會對鉻薄膜的厚度、純度、均勻性、附著力等關(guān)鍵性能指標提出更嚴格或不同的要求，以適應技術(shù)進步或行業(yè)需求變化。

  2. 測試方法改進：隨著檢測技術(shù)和分析手段的發(fā)展，新標準可能會引入新的測試方法，以提高測量精度或便利性，例如采用更先進的光譜分析技術(shù)來評估薄膜質(zhì)量。

  3. 環(huán)保與安全要求：考慮到環(huán)境保護和生產(chǎn)安全的日益重視，新標準可能會增加對生產(chǎn)過程中污染物排放、有害物質(zhì)限制等方面的規(guī)定。

  4. 包裝、運輸和儲存規(guī)范更新：為確保產(chǎn)品在流通環(huán)節(jié)中的品質(zhì)穩(wěn)定，新標準可能會對包裝材料、標識要求、運輸條件及儲存環(huán)境提出新的或更為具體的要求。

  5. 術(shù)語和定義的統(tǒng)一：為了與國際標準或行業(yè)共識保持一致，新標準可能會對相關(guān)術(shù)語進行修訂或新增，以提升標準的通用性和互操作性。

  6. 質(zhì)量管理與認證體系：隨著質(zhì)量管理理念的演進，新標準可能會融入更系統(tǒng)的質(zhì)量控制要求，或者對接國際認可的質(zhì)量管理體系標準。

由于缺乏具體的對比標準，以上僅為一般性說明，實際的變更內(nèi)容需要依據(jù)完整的標準文檔進行詳細比對才能確定。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1995-12-22 頒布
  • 1996-08-01 實施
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中華人民共和國國家標準GB/T15870--1995硬面光掩模用鉻薄膜Chromethinfilmsforhardsurfacephotomasks1995-12-22發(fā)布1996-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T15870-1995本標準非等效采用SEMI標準Semip2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》。本標準第4章“要求”中4.6按Semip2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》制定，其余均按我國國情制定。本標準對國家標準GB7237—87(鉻版》中3.2的內(nèi)容進行補充。與GB7237中3.2的重要技術(shù)改變之處為：增加磁濺射方法制作的鉻膜有關(guān)技術(shù)指標。本標準由中華人民共和國電子工業(yè)部提出本標準由電子工業(yè)部標準化研究所歸口。本標準起草單位：長沙韶光微電子總公司、電子工業(yè)部標準化研究所。本標準主要起草人：吳保華、王亦林、趙雨生、談仁良

中華人民共和國國家標準GB/T15870-1995硬面光撞模用鉻薄膜1范圍本標準規(guī)定了硬面光掩模用鉻薄膜的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則等內(nèi)容本標準適用于硬面光掩模用鉻薄膜(以下簡稱鉻薄膜)2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標淮的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。GB191一90包裝儲運圖示標志GB2828—87逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB2829—87周期檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于生產(chǎn)過程穩(wěn)定性的檢查》GB7239—87鉻版鉻膜和膠膜厚度的測試方法GB7240—87格版鉻膜表面反射率的測試方法GB7241—87鉻版光密度的測試方法GB/T15871—1995硬面光掩?；錝J/T10584—94微電子學光掩蔽技術(shù)術(shù)語3定義本標準采用SJ/T10584中的定義。4要求4.11鉻薄膜光密度a）鉻薄膜的光密度為2.5士0.3(白光);b）特殊要求，由供需雙方商定。4.2鉻薄膜厚度a）真空蒸發(fā)成膜的低反射率(LRC)鉻膜厚度為145nm±15nm;b）磁控灘射成膜的低反射率(SLRC)鉻膜厚度為95nm±10nm;)特殊要求，由供需雙方商定。4.3鉻薄膜反射率a）高反射：R>40%;b）中等反射：15%<R<40%；c）低反

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