標準解讀

《GB/T 14115-1993 半導體集成電路采樣/保持放大器測試方法的基本原理》作為一項技術(shù)標準，為半導體集成電路中的采樣/保持放大器(S/H Amplifier)提供了測試方法的指導原則。然而，您提供的對比文獻或標準名稱不完整，這使得直接對比具體變更內(nèi)容變得不可能。不過，基于此類標準更新的一般趨勢和行業(yè)實踐，可以推測一些可能的變更方向，盡管這些并非針對某個特定對比標準的直接解讀。

通常，技術(shù)標準隨時間更新會涉及以下幾個方面：

  1. 技術(shù)進步的反映：新版本的標準可能會納入新技術(shù)、新材料或新測試方法的發(fā)展成果，以確保測試的準確性和適用性。對于采樣/保持放大器而言，這可能包括對更高采樣率、更寬頻帶、更低噪聲或更小失真等性能指標的測試要求。

  2. 測試精度與效率提升：隨著測量設(shè)備和分析技術(shù)的進步，新標準可能會提出更加精確的測試參數(shù)定義，以及更高效的測試流程，以減少測試時間和成本，同時提高測試結(jié)果的可重復性和可靠性。

  3. 標準化術(shù)語和定義的統(tǒng)一：為了國際兼容性和行業(yè)內(nèi)的交流便利，標準更新時往往會調(diào)整或新增術(shù)語定義，使之與國際標準或行業(yè)內(nèi)最新共識保持一致。

  4. 環(huán)境和可靠性要求的增強：考慮到電子設(shè)備在不同應用環(huán)境下的表現(xiàn)，新標準可能會加強對工作溫度范圍、濕度、電磁兼容性(EMC)等方面的測試要求，以確保器件在惡劣條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

  5. 安全與合規(guī)性要求：遵循全球各地不斷演進的安全法規(guī)和環(huán)保要求，標準更新時可能會增加關(guān)于產(chǎn)品安全測試、材料限制（如RoHS指令）等方面的內(nèi)容。

由于沒有具體的對比標準提供，以上僅為一般性推測，實際的變更內(nèi)容需要依據(jù)完整的標準文檔進行詳細比對才能確定。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1993-01-21 頒布
  • 1993-08-01 實施
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GB/T 14115-1993半導體集成電路采樣/保持放大器測試方法的基本原理_第1頁
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文檔簡介

UDC621.382：621.375L56中華人民共和國國家標準GB/T14115—93半導體集成電路采樣/保持放大器測試方法的基本原理GeneralprinciplesofmeasuringmethodsofSample/Holdamplifiersforsemiconductorintegratedcircuits1993-01-21發(fā)布1993-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)發(fā)布

中華人民共和國國家標準半導體集成電路采樣/保持放大器GB/T14115-93測試方法的基本原理GeneralprinciplesofmeasuringmethodsofSample/Holdamplifiersforsemiconductorintegratedcireuits主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了半導體集成電路采樣/保持放大器(以下簡稱器件)電參數(shù)測試方法的基本原理。本標準適用于半導體集成電路采樣/保持放大器的電參數(shù)測試。引用標準GB3439半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理GB3442半導體集成電路運算(電壓)放大器測試方法的基本原理3總的要求3.1若無特殊說明,測試期間，環(huán)境或參考點溫度偏離規(guī)定值的范圍應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定：3.2測試期間，施于被測器件的電參量應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。3.3測試期間，應避免外界干擾對測試精度的影響,測試設(shè)備引起的測試誤差應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定3.4被測器件與測試系統(tǒng)連接或斷開時，不應超過器件的使用極限條件。3.5若有要求時，應按器件詳細規(guī)范規(guī)定的順序接通電源。3.6測試期間，被測器件應按器件詳細規(guī)范規(guī)定連接外圍電路和補償網(wǎng)絡(luò)。3.7如需外接保持電容C。時，保持電容器應符合測試要求。在測試電路安排上應盡量減小外電路對保持電容的饋通與泄漏。3.8若電參數(shù)值是由幾步測試的結(jié)果經(jīng)計算確定時,這些測試的時間間隔應盡可能短.4參數(shù)測試4.1線性誤差E4.1.1目的測試器件在采樣狀態(tài)時實際轉(zhuǎn)移特性曲線與最佳擬合直線間的最大相對偏差。4.1.2測試原

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