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文檔簡介
第=page2323頁,共=sectionpages2323頁第=page2424頁,共=sectionpages11頁高三化學一輪熱點專題復習-含硅化合物的轉化練習題一、單選題(共13小題)化學與生活、環(huán)境密切相關,下列有關說法正確的是A.麒麟990?5G手機芯片主要成分是二氧化硅,一種新型無機非金屬材料
B.PM2.5是指懸浮在空氣中的粒子直徑小于或等于2.5微米的可吸入顆粒物
C.傳統(tǒng)煙花在制作時常添加含有鉑、鐵、鈉、鍶、鋇等金屬元素的發(fā)光劑,使其燃放時呈現美麗的顏色
D.新裝修的室內常用活性炭來進行空氣的凈化殺菌,屬于物理變化“類推”這種思維方法在化學學習與研究中有時會產生錯誤結論,因此類推的結論最終要經過實踐的檢驗才能確定正確與否。下列幾種類推說法敘述正確的是A.金屬鈉可以和鹽酸反應產生氫氣,金屬鋁也可以和鹽酸反應產生氫氣
B.CO2可溶于水形成碳酸,是碳酸的酸酐,SiO2也可溶于水形成硅酸,是硅酸的酸酐
C.SO3可與BaCl2溶液反應生成BaSO4,S在給定條件下,下列選項所示的物質間轉化不能全部實現的是A.
B.SiO2(s)NaOH(aq)Na22020年5月新修訂的《北京市生活垃圾管理條例》將正式實施,垃圾分類并回收利用,可以減少污染,保護環(huán)境,節(jié)約自然資源,而環(huán)境保護與化學知識息息相關,下列有關說法正確的是(
)A.廢舊電池中含有鎳、鎘等重金屬,不可用填埋法處理,屬于有害垃圾
B.各種玻璃制品的主要成分是硅酸鹽,不可回收利用,屬于其他(干)垃圾
C.廢棄的聚乙烯塑料屬于可回收垃圾,不易降解,能使溴水褪色
D.含棉、麻、絲、毛及合成纖維的廢舊衣物燃燒處理時都只生成CO2在給定條件下,下列選項所示的物質間的轉化均能實現的是(????)A.
B.
C.
D.《厲害了,我的國》展示了中國探索太空,開發(fā)深海,建設世界第一流的高鐵、橋梁、碼頭,5G技術聯通世界等取得的舉世矚目的成就。它們與化學有著密切聯系。下列說法不正確的是(????)A.為打造生態(tài)文明建設,我國大力發(fā)展核電、光電、風電、水電,電能屬于二次能源
B.“神舟十一號”宇宙飛船返回艙外表面使用的高溫結構陶瓷的主要成分是硅酸鹽
C.我國提出網絡強國戰(zhàn)略,光纜線路總長超過三千萬公里,光纜的主要成分是二氧化硅
D.C919大型客機使用了大量先進復合材料、鋁鋰合金等,鋁鋰合金可減輕機身自重根據“玉兔二號”提供的一個暗綠色閃光的石塊信息進行分析,發(fā)現石塊主要由約45%的斜長石(CaAl2Si2O8)、7%的輝石XYAl2?2nSi2O6(XA.既是硅酸鹽材料,又是金屬材料
B.斜長石(CaAl2Si2O8)不穩(wěn)定易水解
C.若輝石中n=1、Y為V鋁土礦的主要成分中含有氧化鋁、氧化鐵和二氧化硅(假設雜質不參與反應且不溶于水),工業(yè)上可經過下列工藝冶煉金屬鋁。(分離操作略)
下列說法錯誤的是(????)A.①、②分別過濾后得到的濾渣主要是
SiO2、Fe(OH)3
B.b
溶液中大量存在的離子有
Na+、OH?、AlO2?、Cl?
C.③中需要通入過量的
NH某同學要在奧運五連環(huán)中填入物質,使相連物質間能發(fā)生反應,不相連物質間不能發(fā)生反應。你認為五連環(huán)中有空缺的一環(huán)應填入的物質是(????)A.稀硫酸 B.氧氣 C.二氧化碳 D.氯化鈉甲、乙、丙、丁、戊五種物質是中學化學常見的物質,其中甲、乙均為單質,它們的轉化關系如圖所示(某些條件和部分產物已略去)。下列說法正確的是(????)
A.若甲可以與NaOH溶液反應放出H2,則丙一定是兩性氧化物
B.若甲為短周期中最活潑的金屬,且戊為堿,則丙生成戊一定是氧化還原反應
C.若丙、丁混合產生大量白煙,則乙可能會使高錳酸鉀溶液褪色
D.若甲、丙、戊都含有同一種元素,則三種物質中,該元素的化合價由低到高的順序可能為甲<丙<實驗室模擬工業(yè)上以鋁土礦(含Al2O3、Fe2O3、A.固體a的化學式為SiO2
B.固體b的化學式為Fe(OH)3
C.Ⅲ中通入足量CO2氣體發(fā)生反應的離子方程式為2AlO2?+CO圖中反應①是制備SiH4的一種方法,其副產物MgCl2A.A2B的化學式為Mg2Si
B.該流程中可以循環(huán)使用的物質是NH3和NH4Cl
C.分別將高純硅是現代信息、半導體和光伏發(fā)電等產業(yè)都需要的基礎材料。工業(yè)上提純硅有多種路線,其中一種工藝流程示意圖及主要反應如圖,下列說法正確的是(????)A.自然界中存在大量的單質硅
B.SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量的SiCl4(沸點67.6℃),通過蒸餾(或分餾)可提純SiHCl3
二、填空題(共6小題)摩擦劑是牙膏的主體成分,SiO2是一種常見的摩擦劑。
(1)Si在元素周期表中的位置是______。
(2)根據用途推測SiO2在水中的溶解性:______(填“易溶”或“難溶”)。
(3)制備SiO2的方法如圖:
①寫出反應Ⅰ的離子方程式______。
②比較酸性強弱:H2SO4______H2SiO3(填“>”或“<”)。
(4)為滿足不同需求,牙膏中還會添加一些特殊物質,如含氟牙膏中添加氟化亞錫(SnF2)。錫的原子結構示意圖如圖。
下列說法正確的是______(填序號)。
a.Sn工業(yè)制玻璃時,發(fā)生的主要化學方程式為:Na2CO3+SiO2→高溫Na2SiO3+CO2↑。完成下列填空:
(1)硅元素在周期表中的位置為______,硅原子核外具有______種不同能量的電子,寫出最外層電子的電子排布式:______。
(2)寫出CO2的電子式______,其中含有的化學鍵是______(填“極性鍵”或“非極性鍵”),屬于______分子(“極性”或“非極性”)。
(3)在上述反應中,反應物和生成物的晶體類型共有______種;熔點SiO2______CO2(填“>”、“<”或“=”),原因是______。
(4)上述物質中的非金屬元素原子半徑由大到小順序為______(用元素符號表示),下列能判斷它們的非金屬性強弱的依據是______(選填編號)。
a.氣態(tài)氫化物的熔沸點
b.最高價氧化物對應水化物的酸性
c.氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性
d.三種元素兩兩形成的化合物中電子對偏向
氮化硅熔點高、硬度大、化學性質穩(wěn)定,是一種性能優(yōu)異的無機非金屬材料。如圖是利用石英砂(主要成分為SiO2)生產高純硅和氮化硅(Si3N4)的一種流程:
回答下列問題:
(1)畫出硅的原子結構示意圖______,氮化硅中氮元素的化合價______。
(2)下列不能與SiO2反應的物質是______(填字母)。
a.NaOH溶液
b.氫氟酸
c.H2SO4
d.Na2CO3
(3)SiHCl3→高純硅的化學方程式為______。反應②中的氧化劑和還原劑的物質的量之比為1:3,寫出該反應的化學方程式______。
硅在地殼中的含量較高,硅及其化合物的開發(fā)由來已久。高純硅是現代信息、半導體和光伏發(fā)電等產業(yè)都需要的基礎材料。工業(yè)上提純硅有多種路線,其中一種工藝流程示意圖及主要反應如下。
(1)工業(yè)上用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱到1600℃~1800℃生成粗硅的化學方程式為______。
(2)在流化床反應的產物中,SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,粗硅生成SiHCl3的化學反應方程式______物質SiSiCSiHCSiSiHClSi熔點/℃1410?70.4?126.5?122?118?114.2?185沸點/℃235557.631.88.2?30.4?84.9?111.9(4)還原爐中發(fā)生的化學反應為:______。
(5)上述工藝生產中循環(huán)使用的物質除Si、SiHCl3外,還有______金屬釔是稀土元素中含量最豐富的元素之一,主要存在于硅鈹釔礦等礦石中。我國蘊藏著豐富的硅鈹釔礦(Y2FeBe2Si2O10),以此礦石為原料生產氧化釔(Y2O3)的主要流程如圖。
請回答下列問題:
(1)硅鈹釔礦石中Y的化合價是+3價,Fe的化合價是______,寫出用氧化物形式表示硅鈹釔礦石組成的化學式:______。Be與A1性質相似,寫出Be的氧化物與氫氧化鈉“共熔”時的化學方程式:______。
(2)“共熔”時,可選擇的容器是______(填“石英”、“氧化鋁耐高溫”或“生鐵”)坩堝。“濾液Ⅰ”中溶質的主要成分除過量的NaOH外,還有______。(填化學式)
(3)除雜。“濾渣Ⅰ”的主要成分為Y(OH)3、Fe2O3,酸浸使Y(OH)3,Fe2O3轉化為Y3+,Fe3+,再用氨水調節(jié)pH<6.0,使Fe3+沉淀完全,檢驗Fe3+沉淀完全的操作方法是______。
(4)沉釔。往“濾液Ⅱ”中先加氨水調節(jié)pH=8.22019年華為推出全球首款5G芯片麒麟990,芯片的主要材料由硅制作,硅的純度高達99.9999999%.工業(yè)上粗硅提純的主體工藝流程如圖。
(一)“粗硅”與“干燥HCl”在300℃時反應生成1molSiHCl3氣體和氫氣,放出225kJ熱量。
(1)該反應的△S______0.(填“>”、“<”、“=”)
(2)寫出該反應的熱化學方程式______。
(二)將SiCl4氫化為SiHCl3的方法有三種,對應的反應依次為:
Ⅰ.SiCl4(g)+H2(g)?SiHCl3(g)+HCl(g)△H1>0
Ⅱ.3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)?4SiHCl3(g)△H2<0
Ⅲ.2SiCl4(g)+H2(g)+Si(s)+HCl(g)?3SiHCl3(g)△H3
(3)寫出反應Ⅱ的化學平衡常數表達式______。
(4)不同溫度下,反應ⅡSiCl4轉化率如圖1所示,下列敘述不正確的是______。
a.B點:v正>v逆
b.正反應速率:A點>E答案和解析1.【答案】B
【解析】【分析】
本題考查化學與生產、生活的關系,側重材料及應用、環(huán)境保護等熱點問題的考查,試題有利于學生的分析、理解能力及靈活應用基礎知識的能力的提高,難度不大。
【解答】
A.芯片主要成分是硅,故A錯誤;
B.PM2.5是指懸浮在空氣中的粒子直徑小于或等于2.5微米的可吸入顆粒物,故B正確;
C.鉑、鐵燃燒火焰無顏色,故C錯誤;
D.活性炭無殺菌作用,故D錯誤。
2.【答案】A
【解析】【分析】
本題考查了“類推”這種思維方法在化學學習中的應用,試題難度不大,注意元素及其化合物知識的積累。
【解答】
A.金屬鈉可以和鹽酸反應產生氫氣,金屬鋁也可以和鹽酸反應產生氫氣,A正確;
B.SiO2不溶于水,B錯誤;
C.SO2不可與BaCl2溶液反應生成BaSO3,C3.【答案】D
【解析】【分析】
本題考查了物質性質、物質轉化、反應產物的分析判斷等,掌握基礎是解題關鍵,題目難度不大。
【解答】
A.碳酸氫鈉受熱分解生成碳酸鈉,碳酸鈉和氫氧化鈣反應生成氫氧化鈉和碳酸鈣,NaHCO3(s)→△Na2CO3澄清石灰水NaOH(aq)可以實現轉化,故A不選;
B.硅和氫氧化鈉溶液反應生成硅酸鈉,硅酸鈉與二氧化碳、水反應生成硅酸和碳酸鈉,SiO2(s)4.【答案】A
【解析】【分析】
本題考查了化學與生產生活關系,側重考查生活中常見的環(huán)境污染問題,明確聚乙烯塑料、蛋白質、纖維素成分,熟悉垃圾成分及處理方法是解題關鍵,題目難度不大。
【解答】
A.廢舊電池中含有鎳、鎘等重金屬,能夠引起土壤、水體污染,不可用填埋法處理,故A正確;
B.各種玻璃制品的主要成分是硅酸鹽,可回收利用,屬于可回收垃圾,故B錯誤;
C.聚乙烯中不含碳碳雙鍵,不能使溴水褪色,故C錯誤;
D.絲、毛成分為蛋白質,含有氮、碳、氧、氫等元素,灼燒除了生成二氧化碳和水,還會生成含氮物質,故D錯誤;
故選:A。
5.【答案】B
【解析】解:A.高溫時,Fe與H2O(g)反應生成四氧化三鐵和氫氣,不生成Fe2O3,不能實現物質間的轉化,故A錯誤;
B.Br2與SO2、水反應生成HBr,HBr是強酸,能與金屬氧化物反應,所以HBr能與氧化鋁反應生成AlBr3溶液,能實現物質間的轉化,故B正確;
C.CuCl2溶液與葡萄糖不反應,在加熱條件下,葡萄糖溶液能與新制的氫氧化銅懸濁液反應生成Cu2O,不能實現物質間的轉化,故C錯誤;
D.Si與HCl溶液不反應,Si與氯氣在高溫下反應生成SiCl4,不能實現物質間的轉化,故D錯誤;
故選:B。
A.高溫時,Fe與H2O(g)反應生成四氧化三鐵和氫氣;
B.Br6.【答案】B
【解析】【分析】
本題考查了材料的分類、能源的劃分、物質的用途,熟悉常見材料類型、能源分類依據,把握硅及其化合物性質用途是解題關鍵,題目難度不大。
【解答】
A.我國近年來大量減少化石燃料的燃燒,大力發(fā)展核電、光電、風電、水電,電能屬于二次能源,故A正確;
B.高溫結構陶瓷屬于新型無機非金屬材料,主要成分不是硅酸鹽材料,故B錯誤;
C.光纜的主要成分是二氧化硅,故C正確;
D.金屬材料包括純金屬以及它們的合金,鋁鋰合金屬于金屬材料,故D正確。
故選B。
7.【答案】C
【解析】解:A.由化學式可知,斜長石、輝石、橄欖石的主要成分中都含硅元素,屬于硅酸鹽材料;金屬材料是指金屬元素或以金屬元素為主構成的具有金屬特性的材料的統(tǒng)稱,主要包括純金屬或合金,則三石不屬于金屬材料,故A錯誤;
B.由化學式可知,斜長石是性質穩(wěn)定、不易水解的硅酸鹽,故B錯誤;
C.若輝石中n=1,Y為V3+,由化學式可知,輝石中不含有鋁元素,設X元素的化合價為+a,由化合價代數和為0可得:a+3+4×2—2×6=0,解得a=1,則X可能為Na+,故C正確;
D.橄欖石屬于硅酸鹽,可以用鹽的形式表示,也可以用氧化物的形式表示,當用氧化物形式表示時,若橄欖石中M只表示Mg,氧化物形式為2MgO?SiO2,則橄欖石的氧化物形式不一定為MgO?FeO?SiO2,故D錯誤;
故選:C。
A.硅酸鹽屬于非金屬材料;
B.各種硅酸鹽材料在常溫條件下穩(wěn)定,不易分解;8.【答案】C
【解析】【分析】
本題考查了鋁土礦中提取Al的工藝流程,注意除雜試劑的選擇和物質的分離方法,同時涉及了鋁的化合物的性質,題目難度中等。
【解答】
鋁土礦加鹽酸生成Al3+和Fe3+,二氧化硅不溶于鹽酸,所以要過濾,分離出二氧化硅和雜質;濾液中加過量NaOH,Al3+轉化為AlO2?、Fe3+轉化為Fe(OH)3沉淀,過濾除去Fe(OH)3沉淀,向濾液中通過量的二氧化碳,會生成Al(OH)3沉淀,Al(OH)3分解生成Al2O3,最后電解熔融的Al2O3生成Al,
A、①、②分別過濾后得到的濾渣主要是SiO2、Fe(OH)3,故A正確;
B、b溶液是偏鋁酸鈉、氯化鈉和氫氧化鈉的混合溶液,所以溶液中大量存在的離子有Na+、OH?、AlO2?、9.【答案】C
【解析】解:由信息可知,相連環(huán)物質間能發(fā)生反應,不相連環(huán)物質間不能發(fā)生反應,Fe+2HCl=FeCl2+H2↑,HCl+NaOH=NaCl+H2O,二氧化碳為酸性氧化物和氫氧化鈉溶液反應生成鹽和水,二氧化碳高溫下和碳反應生成一氧化碳,CO2+2NaOH=Na2CO3+H2O,CO10.【答案】D
【解析】【分析】
本題考查無機物的推斷,為高頻考點,側重考查學生的分析能力以及元素化合物知識的綜合理解和運用,熟悉物質的性質及轉化關系圖中的反應是解答本題的關鍵,注意選項D為解答的難點,符合甲、丙、戊中同種元素的化合價升高為非金屬元素或變價金屬元素,題目難度較大。
【解答】
A.甲為單質,若甲可以與NaOH溶液反應放出H2,則甲為Al或Si,所以丙可能是氧化鋁,也可能是二氧化硅,不一定是兩性氧化物,故A錯誤;
B.若甲為短周期中最活潑的金屬,且戊為堿,則甲為Na,乙為氧氣,所以丙可以為氧化鈉或過氧化鈉,當丙為氧化鈉時,丙生成戊不是氧化還原反應,故B錯誤;
C.丙、丁混合產生白煙,則丙、丁可為HCl和NH3或HNO3和NH3等,甲、乙均為單質,則乙可能是氯氣、氫氣或氮氣,都不能使高錳酸鉀溶液褪色,故C錯誤;
D.若甲、丙、戊含有同一種元素,例如當甲為S、乙為氧氣、丙為二氧化硫、丁為HClO等具有強氧化性的物質、戊為硫酸時,則含S元素的物質中S的化合價由低到高的順序為甲<丙<戊,故11.【答案】C
【解析】【分析】
本題以物質的制備流程為載體考查離子方程式正誤判斷、物質分離的方法以及物質成分的判斷等,試題難度一般。
【解答】
A.鋁土礦加入鹽酸后,氧化鋁、氧化鐵溶解,二氧化硅不反應,因此固體a為二氧化硅,故A正確;
B.II中加入過量的氫氧化鈉溶液產生的紅褐色沉淀為氫氧化鐵,故B正確;
C.Ⅲ中通入足量CO2氣體發(fā)生反應的離子方程式為:AlO2?+CO2+2H2O=HCO3?+Al(OH)3↓12.【答案】C
【解析】解:A、A2B的化學式為Mg2Si,故A正確;
B、如在溶液中,則可生成氫氧化鎂沉淀,由流程可知MgCl2?6NH3分別加熱、與鹽酸反應,可生成氨氣、氯化銨,可用于反應①而循環(huán)使用,故B正確;
C、分別將MgCl2溶液和Mg(OH)2懸濁液加熱,灼燒,都是氧化鎂,最終得到的固體相同,故C錯誤;
D、電子層越小半徑越小,電子層數相同核電荷數越大半徑越小,所以三種原子半徑由小到大的順序H<Cl<Mg,故D正確;
故選:C。
由反應①可知A2B應為Mg13.【答案】B
【解析】【分析】
本題以流程題為載體考查高純硅的制備,題目難度中等,掌握硅及硅的化合物的性質是解答本題的關鍵,側重考查學生分析與解決問題的能力。
【解答】
A.硅屬于親氧元素,在自然界中不能以游離態(tài)存在,主要以硅酸鹽和二氧化硅形式存在,故A錯誤;
B.SiHCl3和SiCl4的沸點有較大差距,所以可以通過蒸餾提純SiHCl3,故B正確;
C.二氧化硅和硅都能與氫氟酸反應,故C錯誤;
D.二氧化硅高溫下與C反應生成CO氣體,即步驟①的化學方程式為:Si14.【答案】第三周期ⅣA族
難溶
SiO32?+2H【解析】解:(1)Si是14號元素,核外3個電子層,最外層4個電子,Si是14號元素,在元素周期表中的位置是第三周期ⅣA族,
故答案為:第三周期ⅣA族;
(2)SiO2為常見的摩擦劑,其在牙膏中以固體形式存在,因此SiO2在水中難溶,
故答案為:難溶;
(3)①硅酸鈉與硫酸反應生成硅酸沉淀和硫酸鈉,離子方程式為:SiO32?+2H+=H2SiO3↓,
故答案為:SiO32?+2H+=H2SiO3↓;
②依據強酸制備弱酸規(guī)律判斷,硫酸的酸性大于硅酸,
故答案為:>;
(4)a.Sn為主族元素,主族元素的最高正化合價等于其族序數,Sn為第ⅣA族元素,因此Sn的最高正化合價為+4價,故a正確;
b.同一主族元素原子從上到下原子半徑逐漸增大,因此Sn的原子半徑大于Si,故b正確;
c.Sn為金屬元素,可以導電,Sn不是半導體,Si為非金屬元素,可以導電,Si是半導體,故c錯誤;
故答案為:ab。
(1)Si是1415.【答案】第三周期第IVA族
5
3s23p2
極性鍵
非極性
3
>
前者為共價晶體,后者為分子晶體,其熔點分別與共價鍵和范德華力有關,一般情況下破壞共價鍵所需的能量比范德華力大,因此熔點SiO2>CO2
Si>C>O
cd【解析】解:(1)硅的核電荷數14,核外電子層數三個,最外層電子數4個,位于周期表的第三周期第IVA族,電子排布式為:1s22S22p63s23p2,硅原子核外具有5種能量不同的電子,最外層電子的電子排布式:3s23p2,
故答案為:第三周期第IVA族;5;3s23p2;
(2)二氧化碳是共價化合物,分子中碳原子和兩個氧原子分別形成兩對共用電子對,CO2的電子式為:,其中含有的化學鍵是極性鍵,分子結構為直線型,屬于非極性分子,
故答案為:;極性;非極性;
(3)Na2CO3+SiO2??高溫??Na2SiO3+CO2↑,反應中碳酸鈉和硅酸鈉為離子晶體,二氧化硅為共價晶體,二氧化碳為分子晶體,反應物和生成物的晶體類型共有3種,二氧化硅為共價晶體,二氧化碳形成的晶體為分子晶體,其熔點分別與共價鍵和范德華力有關,一般情況下破壞共價鍵所需的能量比范德華力大,因此熔點SiO2>CO2,
故答案為:3;>;二氧化硅為共價晶體,二氧化碳形成的晶體為分子晶體,其熔點分別與共價鍵和范德華力有關,一般情況下破壞共價鍵所需的能量比范德華力大,因此熔點SiO2>CO2;
(4)電子層多半徑大,電子層一樣,核電荷數越多半徑小,非金屬元素原子半徑由大到小順序為Si>C>O;
a.氣態(tài)氫化物的熔沸點屬于物理性質,和得電子能力無關,故錯誤;
b.最高價氧化物對應水化物的酸性強則元素的非金屬性強,但是氧元素不存在最高價含氧酸,故錯誤;
c.氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性強,說明非金屬性越強,故正確;
d.三種元素兩兩形成的化合物中電子對偏向哪一方,則該方的得電子的能力強,故正確,
故答案為:Si>C>O;cd;
(5)常溫下,相同物質的量濃度的Na2SiO3和16.【答案】
?3
c
SiHCl3+H2?【解析】解;(1)硅為14號元素,核內14個質子,核外14個電子,原子結構示意圖為;氮化硅中氮的電負性大于硅,氮顯?3價,依據化合物中各元素化合價代數和為0可知,氮化硅中氮為?3價、硅為+4價,
故答案為:;?3;
(2)二氧化硅常溫下能夠與氫氟酸和氫氧化鈉溶液反應,加熱條件下與碳酸鈉反應,與硫酸不反應,
故答案為:c;
(3)由SiHCl3制取高純硅是三氯甲硅烷與氫氣發(fā)生氧化還原反應,反應的化學方程式為:SiHCl3+H2??高溫??Si+3HCl;依據流程圖可知二氧化硅與碳、氮氣高溫反應生成氮化硅,氧化劑為氮氣,還原劑為C,氧化劑和還原劑的物質的量之比為1:3,則生成產物為一氧化碳和氮化硅,依據原子個數守恒和氧化還原反應得失電子守恒可知反應方程式為:3SiO2+6C+2N2??高溫??6CO+Si3N4,
故答案為:SiHCl3+H2??高溫??Si+3HCl;3SiO2+6C+2N2??高溫??6CO+Si3N417.【答案】SiO2+2C??高溫??Si+2CO↑
Si+3HCl???△???SiHCl3+H【解析】解:(1)二氧化硅與碳反應生成硅與CO,反應方程式為:SiO2+2C
??高溫??Si+2CO↑,
故答案為:SiO2+2C
??高溫??Si+2CO↑;
(2)硅與HCl反應生成SiH3Cl與氫氣,反應方程式為:Si+3HCl???△???SiHCl3+H2,
故答案為:Si+3HCl???△???SiHCl3+H2;
(3)SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,它們沸點相差比較大,提純SiHCl3的主要工藝操作經過沉降、冷凝后,再進行蒸餾進行分離提純;SiHCl3極易水解,其完
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