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第一章原子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)第一節(jié)原子結(jié)構(gòu)第三課時構(gòu)造原理與電子排布式鉀19K+19第1層第2層第3層K層L層M層2881N層第4層+19第1層第2層第3層K層L層M層289想一想
鉀的原子結(jié)構(gòu)示意圖???核外電子的運(yùn)動狀態(tài)和排布規(guī)律核外電子的運(yùn)動狀態(tài)核外電子的排布規(guī)律表示方法原子光譜能量量子化能層能級原子結(jié)構(gòu)示意圖知識回顧結(jié)合H、He的原子結(jié)構(gòu)示意圖可知,電子首先填入能量最低的1s能級,直至將該能級填滿。能層KLMN最多電子數(shù)281832能級1s2s2p3s3p3d4s4p4d4f填充電子數(shù)2.對于Li和Be,當(dāng)1s能級填滿之后,電子優(yōu)先填入能量較低的2s能級,直至填滿。23.對于B至Ne元素,在1s、2s能級填滿后,電子填入2p能級,直至2p能級填滿。64.對于Na至Ar元素,電子首先填入3s能級。填滿后,繼續(xù)填入3p能級,直至3p能級填滿。26小結(jié):
核外電子在能級中的排布順序:1s→2s→2p→3s→3p思考與討論:請根據(jù)已學(xué)1~18號元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖。結(jié)合已有的能級知識,分析核外電子在能級中的排布規(guī)律。2(1)含義:以
事實(shí)為基礎(chǔ),從氫開始,隨核電荷數(shù)遞增,新增電子填入
的順序稱為構(gòu)造原理。光譜學(xué)能級三、構(gòu)造原理與電子排布式P81.構(gòu)造原理(2)構(gòu)造原理示意圖各圓圈間連接線的方向即電子填入能級的順序(原則:低能量能級---高能量能級)即電子所排的能級順序:1s、2s、2p、3s、3p、4s、
、4p、5s、
、5p、6s、
、
、6p、7s、
、
、7p……。3d4d5d4f5f6d各能級的能量高低順序:ns<(n-2)f<(n-1)d<np2.能級交錯現(xiàn)象:三、構(gòu)造原理與電子排布式P8從第三能層開始部分能級不完全遵循能層順序,內(nèi)層能級能量比外層能級高,稱之為能級交錯現(xiàn)象.如E(4s)<E(3d)、E(5s)<E(4d)記住1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p7s5f6d7p......構(gòu)造原理Na:1s22s22p63s1
該能級上的電子數(shù)能級符號能層序數(shù)3.電子排布式將
上所容納的電子數(shù)標(biāo)在該能級符號
,并按照能層從左到右的順序排列的式子叫電子排布式。能級右上角提醒:電子排布雖然存在能級交錯,但表示時需要將相同能層的能級寫在一塊1s22s22p63s23p63dx4sx4px4dx┅5sx┅5px
……即:按構(gòu)造原理順序填充電子,但書寫時同層能級合并在一起。思考與討論:結(jié)合原子結(jié)構(gòu)示意圖,寫出K原子可能的能級排布?+19289+192881?1s22s22p63s23p64s1根據(jù)結(jié)構(gòu)原理,能量3d>4s,應(yīng)該先排滿4s能級,再排3d能級1s22s22p63s23p63d1練1:請根據(jù)構(gòu)造原理,寫出1~20號元素原子的電子排布式10Ne1s22s22p69F1s22s22p58O1s22s22p47N1s22s22p36C1s22s22p25B1s22s22p14Be1s22s23Li1s22s12He1s21H1s118Ar1s22s22p63s23p617Cl1s22s22p63s23p516S1s22s22p63s23p415P1s22s22p63s23p314Si1s22s22p63s23p213Al1s22s22p63s23p112Mg
1s22s22p63s211Na1s22s22p63s120Ca1s22s22p63s23p64s219K1s22s22p63s23p64s1原子結(jié)構(gòu)示意圖?+192881+1128
1+321+826核外電子的填充順序與書寫順序的區(qū)別?填充:書寫:低能級→高能級內(nèi)層→外層構(gòu)造原理呈現(xiàn)的核外電子的填充順序是基于光譜學(xué)數(shù)據(jù)事實(shí),不是任何理論推導(dǎo)的結(jié)果。構(gòu)造原理是一個假想的理論模型,某些原子核外電子的分布可能與理論模型不符也是合理的。(遵循構(gòu)造原理)【注意2】【注意1】[Ne]表示的是Ne的核外電子排布,也稱為原子實(shí)。Na:1s22s22p63s14.簡化電子排布式為了避免電子排布式書寫過繁,可以把內(nèi)層電子達(dá)到稀有氣體結(jié)構(gòu)的部分寫成“原子實(shí)”,用[]括起來,其余電子補(bǔ)充在外。Ca:
1s22s22p63s23p64s2或[Ar]4s2原子實(shí)表示的電子稱為內(nèi)層電子,通常不參與成鍵。原子實(shí)外的電子稱為價(jià)層電子,決定元素的化學(xué)性質(zhì)。價(jià)電子
化學(xué)反應(yīng)中可能變化的電子再如:可簡化為[Ne]3s1練1:請根據(jù)構(gòu)造原理,寫出1~20號元素原子的電子排布式1s11s2[He]2s1[He]2s2[He]2s22p1[He]2s22p2[He]2s22p3[He]2s22p4[He]2s22p5[He]2s22p6[Ne]3s1[Ne]3s23p1[Ne]3s23p2[Ne]3s23p3[Ne]3s23p4[Ne]3s23p5[Ne]3s23p6[Ne]3s2[Ar]4s2[Ar]4s1簡化電子排布式?10Ne1s22s22p69F1s22s22p58O1s22s22p47N1s22s22p36C1s22s22p25B1s22s22p14Be1s22s23Li1s22s12He1s21H1s118Ar1s22s22p63s23p617Cl1s22s22p63s23p516S1s22s22p63s23p415P1s22s22p63s23p314Si1s22s22p63s23p213Al1s22s22p63s23p112Mg
1s22s22p63s211Na1s22s22p63s120Ca1s22s22p63s23p64s219K1s22s22p63s23p64s1熟悉稀有氣體氦、氖、氬、氪、氙、氡
118Og原子的電子排布式
2He1s210Ne1s22s22p618Ar1s22s22p63s23p636Kr1s22s22p63s23p63d104s24p654Xe1s22s22p63s23p63d104s24p64d105s25p686Rn
1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25p65d106s26p6118Og1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25p65d105f146s26p66d107s27p6最外層均為8e—穩(wěn)定結(jié)構(gòu)(氦為2e—)練2:請根據(jù)構(gòu)造原理,寫出21~36號元素原子的電子排布式(暫時不寫24Cr、29Cu)30Zn29Cu28Ni27Co26Fe25Mn24Cr23V22Ti21Sc1s22s22p63s23p63d14s21s22s22p63s23p63d24s21s22s22p63s23p63d34s21s22s22p63s23p63d54s21s22s22p63s23p63d64s21s22s22p63s23p63d74s21s22s22p63s23p63d84s21s22s22p63s23p63d104s2簡化電子排布式?原子結(jié)構(gòu)示意圖?+212892+2228102+262814222Ti26Fe[Ar]3d14s2[Ar]3d24s2[Ar]3d34s2[Ar]3d54s2[Ar]3d64s2[Ar]3d74s2[Ar]3d84s2[Ar]3d104s2練2:請根據(jù)構(gòu)造原理,寫出21~36號元素原子的電子排布式(暫時不寫24Cr、29Cu)36Kr35Br33As32Ge31Ga34Se1s22s22p63s23p63d104s24p11s22s22p63s23p63d104s24p21s22s22p63s23p63d104s24p31s22s22p63s23p63d104s24p41s22s22p63s23p63d104s24p51s22s22p63s23p63d104s24p6[Ar]3d104s24p1[Ar]3d104s24p2[Ar]3d104s24p3[Ar]3d104s24p4[Ar]3d104s24p5[Ar]3d104s24p6+3128183簡化電子排布式?原子結(jié)構(gòu)示意圖?35Br+3528187[思考]結(jié)合構(gòu)造原理,試寫出24Cr、29Cu電子排布式
24Cr1s22s22p63s23p63d44s229Cu1s22s22p63s23p63d94s2
24Cr1s22s22p63s23p63d54s129Cu1s22s22p63s23p63d104s1正確的電子排布式寫法它們的電子排布符合構(gòu)造原理嗎?不符合構(gòu)造原理1s22s22p63s23p63d104s24p64d10
5s25p6當(dāng)p、d、f能級處于全充滿、半充滿或全空狀態(tài)時,能量相對較低,原子結(jié)構(gòu)較穩(wěn)定。特殊原子的核外電子排布式全充滿半充滿全空
24Cr1s22s22p63s23p63d54s129Cu
1s22s22p63s23p63d104s13d44s2半充滿3d94s2全充滿
47Ag79Au1s22s22p63s23p63d104s24p65s24d95s14d10[Xe]546s24f145d96s15d10[Ar][Ar][Kr]36試寫出下列原子的價(jià)層電子排布:①13Al:_______;②34Se:_______;③29Cu:_______;④26Fe:_______;為突出化合價(jià)與電子排布的關(guān)系,將在化學(xué)反應(yīng)中可能發(fā)生電子變動的能級稱為價(jià)電子層(簡稱價(jià)層)。如:28Ni的簡化電子排布式為__________,價(jià)層電子排布為______,[Ar]3d84s23d84s23s23p14s24p4:表示價(jià)電子的式子稱為價(jià)電子排布式。特點(diǎn):①主族元素的價(jià)電子就是最外層電子數(shù);②過渡金屬元素的價(jià)電子主要包括:最外層電子和次外層d能級上的電子。3d64s23d104s15.價(jià)電子排布式思考與交流請寫出稀有氣體氦、氖、氬、氪、氙、氡、Og的原子最外層電子排布式,并寫出除氦外其他元素原子的價(jià)電子排布通式。
2He1s210Ne2s22p618Ar3s23p636Kr4s24p654Xe5s25p686Rn
6s26p6
ns2np6118Og7s27p6(3)原子得到電子形成陰離子,則得到的電子填充在最外一個能層的某一個能級上。6.離子的電子排布式(1)判斷該原子變成離子時會得到或失去的電子數(shù)。(2)原子失去電子時,總是從能量高的能層失去電子,即失去電子的順序是由外向里。一般來說,主族元素只失去它們的最外層電子,而副族元素可能還會進(jìn)一步向里失去內(nèi)層電子。Cl-:1s22s22p63s23p6Cl:1s22s22p63s23p5如(得到的電子填充在最外面的3p能級上)Na+1s22s22p6Na1s22s22p63s1如(失去最外層的3s能級上的電子)練習(xí):試寫出Fe、Fe2+、Fe3+的電子排布式。1s22s22p63s23p63d64s2Fe2+或者[Ar]3d6(失去最外層的4s能級上的2個電子)Fe3+或者[Ar]3d5(失去最外層的4s能級上的2個電子和內(nèi)層3d上的1個電子)26Fe:1s22s22p63s23p63d61s22s22p63s23p63d5或者[Ar]3d64s2原子核外電子排布構(gòu)造原理電子排布式核外電子的填充順序?qū)嵸|(zhì):各能級的能量高低順序能級交錯現(xiàn)象概念書寫方法能層能級符號:KLMNOPQ能量:K→Q依次升高符號:s、p、d、f、g能級數(shù)=能層序數(shù)課堂小結(jié)課堂小結(jié)1、構(gòu)造原理1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p......24Cr
29Cu
47Ag79Au特殊原子的核外電子排布式(1)基態(tài)原子的電子排布(2)簡化電子排布式(3)
價(jià)電子排布式(4)離子的電子排布式Na:1s22s22p63s1Na:[Ne]3s1Na:3s1Na+1s22s22p6注意:熟練書寫1~36號元素的電子排布式。2、電子排布式
1s2s2p3s3p3d
4s
4p4d4f
5s
5p5d
5f
6s
6p...1.已知元素X的基態(tài)原子最外層電子排布為nsn-1npn+2,則X元素的原子序數(shù)為A.9 B.10 C.17 D.18C課時檢測2.在下列所示基態(tài)原子核外電子排布式的微粒中,氧化性最強(qiáng)的是A.1s22s22p2
B.1s22s22p5C.1s22s22p63s1
D.1s22s22p6BA是C,B是F,C是Na,D是Ne,所以氧化性最強(qiáng)的是F。3.構(gòu)造原理揭示的電子排布能級順序,實(shí)質(zhì)是各能級能量高低。若以E(nl)表示某能級的能量,以下各式中正確的是A.E(5s)>E(4f)>E(4s)>E(3d)B.E(3d)>E(4s)>E(3p)>E(3s)C.E(4s)<E(3s)<E(2s)<E(1s)D.E(5s)>E(4s)>E(4f)>E(3d)B4.表示一個原子在M能層上有10個電子,可以寫成A.3p6
B.3d10
C.3s23p63d24s2
D.3s23p64s2C5.某微粒的核外電子排布式為1s22s22p63s23p6,下列關(guān)于該微粒的說法正確的是A.它的質(zhì)子數(shù)一定是18B.它的原子和37Cl可能互為同位素C.它的單質(zhì)一定是強(qiáng)還原劑D.可以確定該微粒為ArB6.以下電子排布式是基態(tài)原子的電子排布的是①1s12s1
②1s22s12p1
③1s22s22p63s2
④1s22s22p63s23p1A.①② B.①③
C.②③
D.③④D7.X、Y兩元素可形成X2Y3型化合物,則X、Y原子處于基態(tài)時的最外層電子排布式可能是A.X:3s23p1
Y:3s23p5B.X:2s22p3
Y:2s22p4C.X:3s23p2
Y:3s23p4D.X:3s2
Y:2s22p3B8.(1)N的基態(tài)原子核外電子排布式為
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