存儲(chǔ)芯片行業(yè)之東芯股份研究

存儲(chǔ)芯片行業(yè)之東芯股份研究一、存儲(chǔ)為長(zhǎng)期高成長(zhǎng)賽道，利基市場(chǎng)需求高增1.1存儲(chǔ)是長(zhǎng)期高成長(zhǎng)賽道，利基型存儲(chǔ)空間廣闊存儲(chǔ)芯片是長(zhǎng)期高成長(zhǎng)的賽道。只要有數(shù)據(jù)就離不開存儲(chǔ)，新型終端或應(yīng)用的誕生及爆發(fā)，拉動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求不斷增長(zhǎng)。復(fù)盤歷史，存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)過(guò)多輪新終端或應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的成長(zhǎng)周期，如90年代PC的滲透，2000年代功能機(jī)的滲透及iPod等推出，2010年代智能機(jī)的滲透及云計(jì)算的爆發(fā)，未來(lái)存儲(chǔ)器需求將在5G、AI以及汽車智能化的驅(qū)動(dòng)下步入下一輪成長(zhǎng)周期。存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模維持長(zhǎng)期增長(zhǎng)，在半導(dǎo)體市場(chǎng)的占比波動(dòng)上行。全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)于波動(dòng)中保持上升趨勢(shì)，市場(chǎng)規(guī)模從2005年的546億美元增至2020年的1229億美元，復(fù)合增速達(dá)5.6%，ICInsights預(yù)計(jì)2021年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)22%，2023年將超過(guò)2000億美元。存儲(chǔ)芯片在整個(gè)半導(dǎo)體中的占比2002年在10%出頭，到上一輪景氣度高點(diǎn)2018年，達(dá)到33.1%，整體處于波動(dòng)上行的狀態(tài)。2019年和2020年，由于存儲(chǔ)器周期下行，該比例有所下降，2020年該比例約為27%。從結(jié)構(gòu)上看，DRAM和NANDFlash為存儲(chǔ)芯片的核心品類。根據(jù)IDC，DRAM和NANDFlash兩者自2005年以來(lái)一直占據(jù)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的大部分份額，兩者合計(jì)占比達(dá)75%，2020年該份額上升至96%。5G手機(jī)、服務(wù)器、PC等下游需求驅(qū)動(dòng)，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)?？焖贁U(kuò)張。2020年DRAM下游市場(chǎng)中，計(jì)算、無(wú)線通訊、消費(fèi)和工業(yè)分別占45.9%、36.5%、9.6%、4.5%，而NANDFlash下游市場(chǎng)中，計(jì)算、無(wú)線通訊、消費(fèi)和工業(yè)分別占54.8%、34.1%、6.1%、2.6%。智能手機(jī)5G升級(jí)，帶動(dòng)智能手機(jī)單機(jī)容量提升，云計(jì)算和AI發(fā)展，推動(dòng)存儲(chǔ)需求不斷上行。另外，2020年至今新冠疫情帶來(lái)的工作、生活方式的轉(zhuǎn)變，遠(yuǎn)程服務(wù)的諸多應(yīng)用持續(xù)帶動(dòng)服務(wù)器需求，而平板、筆記本電腦等也因遠(yuǎn)程辦公、教學(xué)需求，出貨量大幅增長(zhǎng)。下游市場(chǎng)發(fā)展將帶動(dòng)DRAM和NANDFlash快速發(fā)展。從產(chǎn)品分類看，存儲(chǔ)芯片可分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）兩大類，RAM可進(jìn)一步分為DRAM、DRAM、MRAM、RRAM等，ROM可進(jìn)一步分為Flash、EEPROM等，其中Flash包括NANDFlash和NORFlash。從市場(chǎng)規(guī)?？矗鎯?chǔ)芯片包括DRAM、NANDFlash和NORFlash三大類，其余存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模較小。根據(jù)IDC統(tǒng)計(jì)，2020年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，DRAM是存儲(chǔ)芯片最大細(xì)分市場(chǎng)，占整體市場(chǎng)的53%，NANDFlash占43%，NORFlash占2%，其余占2%。東芯股份的產(chǎn)品主要為SLCNAND、NORFlash和利基型DRAM，合計(jì)市場(chǎng)空間可達(dá)139億美金，占整體存儲(chǔ)市場(chǎng)的9.3%。具體地，NANDFlash按結(jié)構(gòu)可分為2D和3D，按存儲(chǔ)密度可分為SLC、MLC、TLC、QLC等（SLC：即每單元可存儲(chǔ)1比特?cái)?shù)據(jù)，性能優(yōu)、壽命長(zhǎng)、擦寫次數(shù)多、容量?。?，公司的產(chǎn)品主要為2DSLCNAND，屬于中小容量利基型，對(duì)應(yīng)2021年的市場(chǎng)空間約21億美金。NORFlash可分為SPI和PPI兩種接口，公司兩種產(chǎn)品均有布局，對(duì)應(yīng)2021年的市場(chǎng)空間約34億美金。DRAM可分為主流DRAM和利基型DRAM，公司主要布局利基型DRAM，對(duì)應(yīng)2021年的市場(chǎng)空間約84億美金。1.1.1SLCNAND：物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、汽車等新興需求支撐，市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)定增長(zhǎng)SLCNAND擁有中低容量，應(yīng)用于5G通信設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備。NANDFlash具有存儲(chǔ)容量大、寫入/擦除速度快等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子資料存儲(chǔ)、通訊設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域，2020年其市場(chǎng)規(guī)模接近600億美元。從競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，中大容量NAND市場(chǎng)已經(jīng)高度集中，三星電子、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)/鎧俠等合計(jì)占據(jù)90%以上的市場(chǎng)份額，新廠商入局較難。相對(duì)資金投入巨大的中高容量存儲(chǔ)，SLCNAND為中小容量，目前主要應(yīng)用于對(duì)可靠性要求要高的領(lǐng)域，如5G通信設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備等，競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)分散，尚未形成壟斷。物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、智能汽車等新興需求支撐，市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)定增長(zhǎng)。根據(jù)Gartner，2019年SLCNAND全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到16.71億美元，2019年受行業(yè)周期影響略有下降，2020年開始保持增勢(shì)，達(dá)到21億美元。未來(lái)，在原有剛性需求和新興應(yīng)用（物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、智能汽車）不斷出現(xiàn)的支撐下，預(yù)計(jì)SLCNAND市場(chǎng)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2024年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到23.24億美元，2019-2024年復(fù)合增速達(dá)6%。（1）物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域：隨著傳統(tǒng)家居向智能家居方向發(fā)展，搭載物聯(lián)網(wǎng)模塊的智能家居也將成為未來(lái)消費(fèi)電子市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。同時(shí)傳統(tǒng)通訊領(lǐng)域隨著5G、WiFi6等技術(shù)的運(yùn)用，類似PON、路由器、機(jī)頂盒等通訊設(shè)備同步在升級(jí)換代，對(duì)SLCNAND的市場(chǎng)需求形成支撐。（2）5G通訊：5G通訊設(shè)備需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)芯片作為各類數(shù)據(jù)站點(diǎn)。以5G宏基站為例，其部署環(huán)境復(fù)雜惡劣，且需要全天候工作，中小容量SLCNAND在性能穩(wěn)定性上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。2020-2025年，中國(guó)5G基站建設(shè)迎來(lái)高峰期，預(yù)計(jì)共計(jì)新增5G基站380萬(wàn)站。5G基站大規(guī)模建設(shè)及其衍生的5G應(yīng)用迅速拓展，帶來(lái)SLCNAND需求的快速增長(zhǎng)。（3）汽車電子：在汽車系統(tǒng)中，復(fù)雜的汽車應(yīng)用需要高容量的閃存，成本考量愈發(fā)重要。SLCNAND相比NORFlash單位成本具有優(yōu)勢(shì)，同時(shí)滿足車規(guī)芯片要求的耐高溫、耐沖擊、抗電磁干擾等特性，在ADAS系統(tǒng)、儀表盤、車載娛樂(lè)、行車記錄儀等系統(tǒng)有廣泛應(yīng)用。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，2019年全球ADAS系統(tǒng)的NANDFlash存儲(chǔ)消費(fèi)2.2億GB，同比增長(zhǎng)300%，預(yù)計(jì)至2024年，全球ADAS系統(tǒng)的NANDFlash存儲(chǔ)消費(fèi)將達(dá)41.5億GB，2019-2024年復(fù)合增速達(dá)79.8%。1.1.2NORFlash：可穿戴、顯示、5G基站、汽車等新興需求拉動(dòng)，NORFlash市場(chǎng)蓬勃發(fā)展NORFlash是代碼存儲(chǔ)型芯片，在小規(guī)模存儲(chǔ)領(lǐng)域?qū)Ρ萐LCNAND有一定優(yōu)勢(shì)。NORFlash的特點(diǎn)是高讀取速度和低待機(jī)功耗，主要用來(lái)存儲(chǔ)代碼及部分?jǐn)?shù)據(jù)，應(yīng)用于手機(jī)、PC、DVD、TV、USBKey、機(jī)頂盒、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等代碼閃存領(lǐng)域。NANDFlash的特點(diǎn)是大容量存儲(chǔ)、高寫入/擦除速度、相當(dāng)擦寫次數(shù)低成本，應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，例如智能手機(jī)、平板電腦、U盤、固態(tài)硬盤等領(lǐng)域。而SLCNAND屬于NANDFlash的當(dāng)中的利基型產(chǎn)品，適合小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中，NORFlash由于其代碼存儲(chǔ)、芯片內(nèi)運(yùn)行、低成本、高性能等優(yōu)勢(shì)，占領(lǐng)了相當(dāng)一部分SLCNAND的應(yīng)用市場(chǎng)，兩者應(yīng)用部分重疊。可穿戴、AMOLED/TDDI、5G基站和汽車電子等需求拉動(dòng)，NORFlash蓬勃發(fā)展。2006-2016年NORFlash市場(chǎng)隨著功能機(jī)數(shù)量減少而逐年萎縮，但近年來(lái)隨著可穿戴設(shè)備、AMOLED/TDDI、5G基站和汽車電子等需求增長(zhǎng)，NORFlash行業(yè)自2016年以來(lái)恢復(fù)增長(zhǎng)。根據(jù)CINNOResearch，2020年全球NORFlash市場(chǎng)規(guī)模為31億美元，預(yù)計(jì)2021年達(dá)到34億美元。1.1.3DRAM：利基型DRAM應(yīng)用廣泛，市場(chǎng)規(guī)模保持較快增長(zhǎng)利基型DRAM應(yīng)用廣泛，市場(chǎng)規(guī)模保持較快增長(zhǎng)。DRAM廣泛用于智能手機(jī)、服務(wù)器、PC、筆電、汽車等領(lǐng)域，根據(jù)ICInsights，在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)675億美元，占比53%，是存儲(chǔ)芯片最大的細(xì)分品類。中小容量DRAM屬于利基型產(chǎn)品，終端產(chǎn)品包括數(shù)字機(jī)頂盒、PON等通訊設(shè)備、功能手機(jī)、行車記錄儀、安防監(jiān)控、智能家居等，應(yīng)用較為分散。根據(jù)Trendforce統(tǒng)計(jì)，2020年全球利基型DRAM市場(chǎng)規(guī)模約84億美元，同比增長(zhǎng)31.5%。未來(lái)，隨著下游各類應(yīng)用的穩(wěn)定發(fā)展，利基型DRAM市場(chǎng)規(guī)模將保持增長(zhǎng)趨勢(shì)。1.2利基型存儲(chǔ)格局分散，中國(guó)廠商迎來(lái)替代機(jī)遇利基型存儲(chǔ)格局分散，海外大廠正逐步退出，中國(guó)廠商迎來(lái)替代機(jī)遇。海外大廠，如三星電子、美光、西部數(shù)據(jù)、Cypress（被英飛凌收購(gòu)）等，都保留了一部分利基型存儲(chǔ)的業(yè)務(wù)，包括2DNAND、NORFlash、DRAM（指DDR3以及前代產(chǎn)品），但業(yè)務(wù)重心均在大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品，正在逐步退出利基市場(chǎng)。利基型存儲(chǔ)主要廠商分布在中國(guó)大陸及中國(guó)臺(tái)灣，規(guī)模較大的廠商包括華邦電子（中國(guó)臺(tái)灣）、旺宏電子（中國(guó)臺(tái)灣）、兆易創(chuàng)新、北京君正、普冉股份、東芯股份等，近年來(lái)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，逐步替代頭部廠商空出的市場(chǎng)。分產(chǎn)品看：（1）SLCNAND方面：除NAND大廠外，中國(guó)臺(tái)灣華邦電子、旺宏電子均有布局，中國(guó)大陸有兆易創(chuàng)新、北京君正和東芯股份，目前東芯股份為大陸SLCNAND龍頭，工藝制程達(dá)到19nm，處于國(guó)際領(lǐng)先地位；兆易創(chuàng)新和北京君正的NAND規(guī)模尚小。目前SLCNAND代工資源包括中芯國(guó)際、臺(tái)灣力晶等。（2）NORFlash方面：領(lǐng)先廠商包括華邦電子、旺宏、兆易創(chuàng)新、Cypress、美光等，普冉股份、東芯股份也形成了一定規(guī)模，此外國(guó)內(nèi)還有恒爍半導(dǎo)體、珠海博雅、芯天下等廠商。國(guó)內(nèi)NORFlash廠商產(chǎn)品各有優(yōu)勢(shì)，如兆易創(chuàng)新強(qiáng)在產(chǎn)品豐富度、大容量、中高端應(yīng)用，普冉股份強(qiáng)在工藝特色（SONOS工藝）、低成本，東芯股份強(qiáng)在工藝制程、低成本。目前NORFlash的代工資源包括武漢新芯、中芯國(guó)際、華力微、臺(tái)灣力晶等。（3）DRAM方面：國(guó)際大廠包括三星電子、美光、SK海力士，均將重心放在（LP）DDR4、（LP）DDR5、GDDR6等產(chǎn)品上，逐步退出DDR3及前代等利基市場(chǎng)。利基DRAM方面，規(guī)模較大的為華邦電子、旺宏；兆易創(chuàng)新依托合肥長(zhǎng)鑫的代工資源，19nmDRAM正在快速放量，即將推出17nm產(chǎn)品，目前聚焦于利基市場(chǎng)；北京君正采用臺(tái)灣力晶、南亞的25nm工藝平臺(tái)，聚焦于車規(guī)、工業(yè)、醫(yī)療等中高端市場(chǎng)，也屬于利基市場(chǎng)。此外，紫光國(guó)芯、東芯股份等均有DRAM產(chǎn)品，最新工藝制程均為25nm，其中紫光國(guó)芯已有DDR4產(chǎn)品，東芯股份正在研發(fā)LPDDR4X。二、東芯股份：本土SLCNAND龍頭，聚焦利基型存儲(chǔ)2.1本土SLCNAND龍頭，哈勃、大基金、上汽集團(tuán)入股聚焦中小容量存儲(chǔ)芯片，本土SLCNAND龍頭。公司聚焦中小容量通用型存儲(chǔ)芯片，是國(guó)內(nèi)少數(shù)可同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM等存儲(chǔ)芯片完整解決方案的廠商，其中SLCNAND銷售規(guī)模居國(guó)內(nèi)第一，為國(guó)內(nèi)龍頭。經(jīng)過(guò)多年的經(jīng)驗(yàn)積累和技術(shù)升級(jí)，公司打造了以低功耗、高可靠性為特點(diǎn)的多品類存儲(chǔ)芯片，產(chǎn)品不僅在

高通、博通、聯(lián)發(fā)科、中興微、瑞芯微、東芯股份、恒玄科技、紫光展銳等知名平臺(tái)獲得認(rèn)證，同時(shí)已進(jìn)入三星電子、?？低?、歌爾股份、傳音控股、惠爾豐等國(guó)內(nèi)外知名客戶的供應(yīng)鏈體系，被廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備、移動(dòng)終端等終端產(chǎn)品。收購(gòu)韓國(guó)Fidelix并整合其核心技術(shù)，獲得華為哈勃、上汽集團(tuán)、國(guó)家大基金二期等投資。公司前身東芯有限于2014年成立，后在中芯國(guó)際的工藝平臺(tái)上開始SLCNAND的研發(fā)。2015年6月，東芯有限以受讓韓國(guó)Fidelix公司核心經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)安承漢等15.88%股份并增資的方式，合計(jì)持有Fidelix25.28%的股份，成為其控股股東、實(shí)際控制人，并獲得其NAND、NOR、DRAM及MCP（多芯片封裝存儲(chǔ)器）等技術(shù)。2019年，東芯有限整體變更為股份公司，并引入中電基金、海通創(chuàng)投等股東，2020年進(jìn)一步引入華為哈勃、國(guó)開科創(chuàng)、青浦投資等知名投資機(jī)構(gòu)。2021年公司進(jìn)行IPO前戰(zhàn)略配售，獲得上汽集團(tuán)、國(guó)家大基金二期等戰(zhàn)略入股，12月公司于科創(chuàng)板成功上市。Fidelix公司專注于利基型存儲(chǔ)的研發(fā)，主要產(chǎn)品為DRAM和MCP，也可研發(fā)NAND和NORFlash，客戶包括三星、LG、瑞薩、飛索半導(dǎo)體、京瓷電子等。Fidelix創(chuàng)始人安承漢曾就職于SK海力士DRAM事業(yè)部，擁有超過(guò)30年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，后成為東芯股份的核心研發(fā)人員之一。公司收購(gòu)Fidelix后，東芯負(fù)責(zé)SLCNAND和NOR的研發(fā)，并推進(jìn)對(duì)Fidelix相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的整合，而Fidelix品牌獨(dú)立運(yùn)營(yíng)，繼續(xù)從事DRAM和MCP的研發(fā)和升級(jí)?？毓晒蓶|為東方恒信，股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。目前，公司的控股股東為東方恒信，其直接持有東芯半導(dǎo)體43.18%的股份，公司實(shí)際控制人為董事長(zhǎng)蔣學(xué)明、董秘蔣雨舟。其他重要股東有聚源聚芯（8.46%）、齊亮（8.46%）、東芯科創(chuàng)（6.78%）、中金鋒泰（5.87%）、哈勃科技（4.00%）、上汽集團(tuán)、國(guó)家大基金二期、中電基金等。公司擁有一家分公司東芯深圳分公司、三家全資子公司東芯香港、東芯南京及Nemostech，其中Nemostech為公司的海外研發(fā)技術(shù)中心，主要從事NAND的研發(fā)。2.2SLCNAND漸成拳頭產(chǎn)品，產(chǎn)品打入頭部客戶供應(yīng)鏈公司聚焦利基型存儲(chǔ)，在三大產(chǎn)品線上不斷開發(fā)新品。（1）NAND：公司的SLCNAND分SPI和PPI兩種接口，SPINAND容量覆蓋512Mb~4Gb，PPINAND容量覆蓋1Gb~8Gb，未來(lái)公司將陸續(xù)推出1XnmNAND、車規(guī)級(jí)NAND、DTRNAND（雙倍傳輸速度）。（2）NOR：目前主要為SPINOR，容量覆蓋32Mb~512Mb，未來(lái)將推出更大容量的NOR及車規(guī)級(jí)NOR。（3）DRAM：目前擁有LPDRAM、DDR3、PSRAM、SDRAM等產(chǎn)品，其中DDR3容量覆蓋1Gb~4Gb，LPDDR1/2容量覆蓋128Mb~2Gb，未來(lái)將推出LPDDR4X。（1）SLCNAND：產(chǎn)品容量、接口、電壓豐富，應(yīng)用于5G通訊模塊、安防、可穿戴、移動(dòng)終端等。公司聚焦平面型SLCNAND，采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)容量覆蓋1Gb~8Gb，可選擇SPI或PPI接口，搭配3.3V/1.8V電壓，可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)及快速改寫。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于如5G通訊模塊和高集成度終端系統(tǒng)運(yùn)行模塊，也可用于安防、可穿戴、移動(dòng)終端等，已獲得聯(lián)發(fā)科、瑞芯微、中興微、博通等行業(yè)內(nèi)主流平臺(tái)廠商的驗(yàn)證認(rèn)可，被主要應(yīng)用于5G通訊、企業(yè)級(jí)網(wǎng)關(guān)、網(wǎng)絡(luò)智能監(jiān)控、數(shù)字錄像機(jī)、數(shù)字機(jī)頂盒和智能手環(huán)等終端產(chǎn)品，終端客戶包括中興通訊、烽火通信、?？低?、大華股份、創(chuàng)維數(shù)字、航天信息等。核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，可靠性向車規(guī)級(jí)邁進(jìn)。公司的SPINAND采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的單顆集成技術(shù)，將存儲(chǔ)陣列、ECC模塊與接口模塊集成在同一芯片內(nèi)，節(jié)約芯片面積，降低產(chǎn)品成本，在耐久性、數(shù)據(jù)保持特性等方面表現(xiàn)穩(wěn)定，可靠性從工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)向車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)邁進(jìn)。（2）NORFlash：目前聚焦中小容量NORFlash，用于手機(jī)、CCM、TWS耳機(jī)等。公司SPINOR存儲(chǔ)容量覆蓋2Mb~256Mb，支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式，主要用于存儲(chǔ)代碼程序，如功能手機(jī)中用于存放通信數(shù)據(jù)交換時(shí)的啟動(dòng)程序、智能手機(jī)攝像頭模組中用于存放校正圖像分辨率的指令代碼、TWS耳機(jī)的藍(lán)牙模組中存放啟動(dòng)時(shí)的引導(dǎo)程序，終端客戶包括三星電子、LG、傳音控股、歌爾股份等。（3）DRAM：產(chǎn)品迭代至DDR3和LPDDR1/2，可用于通訊設(shè)備、移動(dòng)終端、可穿戴等。公司研發(fā)的DDR3系列具有高帶寬、低延時(shí)等特點(diǎn)，在通訊設(shè)備、移動(dòng)終端等應(yīng)用廣泛。同時(shí)，公司針對(duì)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的低功耗需求，自主研發(fā)LPDDR系列，適合在智能終端、可穿戴設(shè)備等使用。目前公司的客戶包括LG、瑞薩、索喜、惠爾豐、偉創(chuàng)力等。MCP合封自研DRAM與外購(gòu)NAND，通過(guò)主流4G模塊平臺(tái)認(rèn)證。公司MCP產(chǎn)品集成閃存芯片（外購(gòu)自SK海力士）與DRAM（自研，力晶代工），已在紫光展銳、翱捷科技、聯(lián)發(fā)科的4G模塊平臺(tái)通過(guò)認(rèn)證，應(yīng)用于功能手機(jī)、MIFI、網(wǎng)絡(luò)電話、POS機(jī)等產(chǎn)品，獲得TCL科技、日海智能、捷普等客戶的認(rèn)可。2.3產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化，盈利能力顯著提升收入規(guī)模快速擴(kuò)大，盈利能力顯著提升。收入方面，終端市場(chǎng)旺盛需求、國(guó)產(chǎn)替代持續(xù)推進(jìn)，疊加產(chǎn)品線不斷完善，客戶結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，公司產(chǎn)品出貨量年增長(zhǎng)率在30%以上，2021年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.39億元，同比增長(zhǎng)45.3%，近三年復(fù)合增速達(dá)30.7%。利潤(rùn)方面，在2020年扭虧后，2021年公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)2.62億元，同比增長(zhǎng)1240.8%，凈利率約23%，實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤(rùn)2.55億元，同比增長(zhǎng)1352.5%。SLCNAND漸成拳頭產(chǎn)品，收入占比逐年提升。公司可提供NAND、NOR、DRAM等存儲(chǔ)芯片完整解決方案，此外通過(guò)自研DRAM及外購(gòu)SK海力士的NAND，也可提供MCP產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)多年的產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)開拓，公司SLCNAND銷售占比逐步提升，2021年上半年銷售占比達(dá)到51.3%，NOR、DRAM和MCP的銷售占比分別為18.8%、6.9%和20.8%，呈逐年下降趨勢(shì)。需求強(qiáng)勁疊加產(chǎn)能緊缺，主力產(chǎn)品均價(jià)提升。NAND價(jià)格方面，2019年NAND出現(xiàn)行業(yè)周期性波動(dòng)，市場(chǎng)價(jià)格大幅下降，疊加終端應(yīng)用通訊設(shè)備的主控搭配從PPINAND轉(zhuǎn)變?yōu)镾PINAND，使公司價(jià)格略低的低容量1GSPINAND銷量明顯增加，拉低NAND均價(jià)。2020年受中大容量NAND占比的提高和市場(chǎng)需求回暖，NAND均價(jià)上升。2021年上半年，市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，晶圓產(chǎn)能緊張，NAND均價(jià)繼續(xù)上升。NORFlash、DRAM和MCP的均價(jià)相對(duì)穩(wěn)定。供需緊張疊加產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，綜合毛利率上升。2018-2021年上半年，公司綜合毛利率分別為22.24%、14.91%、22.04%、33.96%。2019年毛利率較2018年下降7.33%，主要系受市場(chǎng)供需關(guān)系影響，各產(chǎn)品線價(jià)格出現(xiàn)不同程度的下降，主力產(chǎn)品NAND價(jià)格下降明顯。2019-2021年上半年，各產(chǎn)品線毛利率均呈上升趨勢(shì)，其中NAND毛利率上升明顯，因市場(chǎng)需求回暖、產(chǎn)能緊張帶來(lái)提價(jià)、大容量高毛利產(chǎn)品占比提升。隨著綜合毛利率提升，公司凈利率也顯著提升，2021Q1-Q3凈利率達(dá)到20.6%，2021全年有望達(dá)到23%。隨著銷售規(guī)模的擴(kuò)大，期間費(fèi)用率呈下降趨勢(shì)。銷售費(fèi)用：2018-2021年上半年公司銷售費(fèi)用分別為1670萬(wàn)元、1987萬(wàn)元、2037萬(wàn)元和1180萬(wàn)元，占營(yíng)收的比例分別為3.27%、3.87%、2.60%和2.59%，銷售費(fèi)用隨公司收入規(guī)模增長(zhǎng)而增長(zhǎng)，但占比有所下降。管理費(fèi)用：2018-2021年上半年公司管理費(fèi)用分別為4002萬(wàn)元、4454萬(wàn)元、4550萬(wàn)元和2284萬(wàn)元，略有上升；管理費(fèi)用率受規(guī)模效應(yīng)影響有所下降，分別為7.85%、8.67%、5.80%和5.02%。財(cái)務(wù)費(fèi)用：2018-2021年上半年分別為519萬(wàn)元、-15萬(wàn)元、3063萬(wàn)元和-71萬(wàn)元。2020年受人民幣升值影響，匯兌損失較大，財(cái)務(wù)費(fèi)用率達(dá)到3.91%，其余各年度財(cái)務(wù)費(fèi)用較少。研發(fā)人員多為資深人員，研發(fā)投入占比隨銷售規(guī)模擴(kuò)大而下降。研發(fā)人員方面，截至2021年上半年，公司擁有研發(fā)人員75人，占總數(shù)的42.61%，其中10年以上資歷的共63人。研發(fā)投入方面，2018-2021年上半年公司研發(fā)投入分別為5020萬(wàn)元、4849萬(wàn)元、4754萬(wàn)元和3121萬(wàn)元，研發(fā)投入占比分別為9.84%、9.44%、6.06%和6.86%。2018-2019年研發(fā)投入占比與行業(yè)水平相當(dāng)，2020年以來(lái)，隨著公司收入規(guī)模的快速擴(kuò)大，研發(fā)投入占比有所下降。2.4工藝制程引領(lǐng)國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，追趕國(guó)際領(lǐng)先水平自2015年以來(lái)，公司依靠中芯國(guó)際和臺(tái)灣力晶的工藝平臺(tái)，將產(chǎn)品工藝逐步提升至行業(yè)領(lǐng)先水平。其中，SLCNAND從38nm演進(jìn)至19nm，NORFlash從90nm演進(jìn)至48nm，DRAM從63nm演進(jìn)至25nm。目前，公司的SLCNAND和NORFlash工藝處于國(guó)際領(lǐng)先水平，DRAM工藝接近國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。SLCNAND方面，新產(chǎn)品向更高制程和大容量迭代，將帶來(lái)顯著的性能和成本優(yōu)勢(shì)。2015年收購(gòu)Fidelix后，公司整合其工藝技術(shù)，開始在中芯國(guó)際

38nm的工藝平臺(tái)上進(jìn)行SLCSPINAND的研發(fā)，2015年10月正式流片1Gb容量產(chǎn)品。2016年公司嘗試研發(fā)大容量MLCNAND，但鑒于良率、工藝問(wèn)題，轉(zhuǎn)回聚焦SLCNAND。2017年，公司順利量產(chǎn)基于38nm工藝制程的SLCNAND（容量2Gb），采用SPI接口。隨后，公司分別在2018年和2019年量產(chǎn)24nmNAND（PPI接口，容量2~8Gb，國(guó)內(nèi)首顆工業(yè)級(jí)SLCNAND）和28nmNAND（SPI接口，容量2Gb）。目前，公司正在研發(fā)19nmSPINAND，19nm工藝相較于老產(chǎn)品將顯著提升產(chǎn)品性能，并大幅降低成本。我們認(rèn)為新產(chǎn)品將進(jìn)一步提升公司S