硅片檢測(cè)設(shè)備課件

太陽(yáng)電池用硅片外觀檢測(cè)裝置ＴＤ２００2010年11月株式會(huì)社安永CE事業(yè)部営業(yè)部門太陽(yáng)電池用硅片2010年11月特征太陽(yáng)能電池用硅片外觀檢測(cè)綜合提案硅片表面缺陷檢查（硅片上面/下面）硅片尺寸?形狀測(cè)定不可視內(nèi)部裂痕檢查（0°/90°2階段檢查）硅片4邊edge詳細(xì)缺陷檢查硅片edge側(cè)面厚度測(cè)定３Ｄ檢測(cè)（厚度,TTV,線痕

,段差,棱線,翹曲）高速檢查

1.0sec/wafer對(duì)應(yīng)單晶以及多晶硅片

對(duì)應(yīng)金剛線加工硅片特征太陽(yáng)能電池用硅片外觀檢測(cè)綜合提案檢查系統(tǒng)構(gòu)成圖Edge檢查

–左Edge檢查-

右不可視裂痕檢查（NVCD）0°上表面檢查Edge檢查

–

后Edge檢查–前不可視裂痕檢查（NVCD）

90°下表面檢查硅片90°轉(zhuǎn)向3D激光檢查To傳送分選部檢查系統(tǒng)構(gòu)成圖Edge檢查–左Edge檢查-右不可視裂動(dòng)作錄像動(dòng)作錄像基本配置硅片類型單晶／多晶硅片（對(duì)應(yīng)金剛線加工硅片）硅片尺寸□125mm／□156mm硅片角部形狀無(wú)去角／R面／C面（～Max22.8mm）硅片厚度*140um～處理能力3,600片/hour(1.0sec/片)上料部標(biāo)準(zhǔn)式樣：對(duì)應(yīng)硅片清洗籮筐（上料部數(shù)：2處）

*可對(duì)應(yīng)摞片式、以及客戶專用式樣。下料/分選部標(biāo)準(zhǔn)式樣：摞片分裝（t200um硅片時(shí)，130片/段）良品可分裝段數(shù)：8（4段×2處）

不良品分裝數(shù)：7（1段×7處）

*良品最多可分16段,不良品最多可分10段裝置大小4,290(W)×1,060（D）×1,800（H）mm裝置重量約1,500kg電源AC3相200V

50/60Hz

20A（4KVA）空氣0.39MPa

50L/min以上

基本配置硅片類型單晶／多晶硅片（對(duì)應(yīng)金剛線加工硅片）硅片尺寸檢查項(xiàng)目一覽檢查項(xiàng)目檢查精度／可測(cè)大小檢查位置檢測(cè)裝置式樣

外形大小（全長(zhǎng)／全寬）100um以內(nèi)（3σ）上下表面檢查部2000pix線掃描攝像頭視野:約170mm檢查分辨率：約85um/pix

直徑大小200um以內(nèi)（3σ）

去邊長(zhǎng)度300um以內(nèi)（3σ）

角度0.1°以內(nèi)（3σ）

表面裂痕／缺口□200um以上

表面污垢□1mm以上

針孔(氣孔)□100um以上不可視裂痕NVCD檢查部（0°,90°）4000pix線掃描攝像頭視野:約184mm檢查分辨率

:約46um/pix

內(nèi)部裂痕100um×1mm以上

異物□100um以上

崩邊30um×1mm以上Edge檢查部2000pix線掃描攝像頭視野:30mm檢查分辨率(畫素)

:約15um/pix

edge側(cè)面缺口□100um以上

edge側(cè)面厚度10um以內(nèi)（3σ）

硅片厚度（Max,Min,Ave）2um以內(nèi)（3σ）3D激光檢查部激光變位器6set（上3/下3）測(cè)定位置:±0.25mm光徑:約50um分解能:0.2um走查線位:上下3線

TTV（9點(diǎn)／5點(diǎn)）3um以內(nèi)（3σ）

線痕/段差／棱線5um以內(nèi)（3σ）

翹曲

檢查項(xiàng)目一覽檢查項(xiàng)目檢查精度／可測(cè)大小檢查位置檢測(cè)裝置式樣上面檢查部下面檢查部上面/下面表面檢查部

上面檢查部下面檢查部上面/下面表面檢查部表面缺陷檢查污濁,傷痕,指紋等

硅片尺寸測(cè)定全長(zhǎng)/全寬,直徑,去角,角度上面/下面表面檢查部

表面缺陷檢查硅片尺寸測(cè)定上面/下面表面檢查部檢測(cè)例１）污濁不良（單晶）檢測(cè)在約W0.4mm范圍內(nèi)存在的微小污濁上面/下面表面檢查部

檢測(cè)例１）污濁不良（單晶）檢測(cè)在約W0.4mm范圍內(nèi)存在的微檢測(cè)例２）污濁不良（多晶）檢測(cè)出約１.2×0.6mm的污濁，五其他部位的過度檢測(cè)上面/下面表面檢查部

檢測(cè)例２）污濁不良（多晶）檢測(cè)出約１.2×0.6mm的污濁，不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）不可視裂痕NVCD檢查部（0°,90°）與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測(cè)出來Crack-AmplifierTechnology*

*PatentPending他社方式安永TD200不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測(cè)出來Cr檢測(cè)例）細(xì)微的內(nèi)部裂痕TD200可以在硅片

0°以及

90°放置時(shí)檢測(cè)可對(duì)由于方向不同而造成的檢測(cè)困難的裂痕做出精確的檢測(cè)

硅片0°檢查時(shí)的畫像

硅片90°檢查時(shí)的畫像不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）檢測(cè)例）細(xì)微的內(nèi)部裂痕硅片0°硅片90°不可視裂痕NEdge檢查部Edge檢查部＜edge檢查部概圖＞Edge檢查部＜edge檢查部概圖＞Edge檢查部硅片側(cè)面edge部位容易發(fā)生歸類于重度不良的。TD200擁有對(duì)硅片4邊edge部位進(jìn)行集中檢查的機(jī)能。Edge檢查部＜edge檢查范圍＞

edge部表/里面?崩邊、缺口檢查

edge部側(cè)面

?崩邊、缺口檢查

?edge側(cè)面厚度測(cè)定檢查分辨率15um/pix

Edge側(cè)面11.5mm硅片側(cè)面edge部位容易發(fā)生歸類于重度不良的。Edge檢查部檢查例１）檢查edge部缺口缺口大?。膃dge開始0.6mm長(zhǎng)度2.9mm側(cè)面畫像中也可確認(rèn)到缺口。Edge檢查部edge表面Edge里面?zhèn)让鏅z查例１）檢查edge部缺口缺口大?。〦dge檢查部edge側(cè)面畫像也可確認(rèn)到不良Edge檢查部檢查例２）檢查edge部缺口側(cè)面畫像也可確認(rèn)到不良Edge檢查部檢查例２）檢查edge部可以從edge側(cè)面畫像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edge檢查部檢查例３）檢查edge側(cè)面細(xì)微缺口可以從edge側(cè)面畫像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edg可在edge檢查中獲取的側(cè)面畫像中測(cè)定edge部的厚度（去角部除外）Edge側(cè)面畫像Edge檢查部檢查例４）測(cè)定edge側(cè)面厚度可在edge檢查中獲取的側(cè)面畫像中測(cè)定edge部的厚度Edg激光變位器6set（上3/下3）

3D激光檢查部激光變位器6set（上3/下3）3D激光檢查部厚度（Max,Min,Ave）TTV線痕段差棱線翹曲3D激光檢查部厚度（Max,Min,Ave）3D激光檢查部檢查例１）厚度小不良上面測(cè)定結(jié)果下面測(cè)定結(jié)果厚度演算結(jié)果下限規(guī)格在150μm以下的作不良判定3D激光檢查部檢查例１）厚度小不良上面測(cè)定結(jié)果厚度演算結(jié)果3D激光檢查部段層不良線痕不良檢查例２）段層、線痕不良3D激光檢查部段層不良線痕不良檢查例２）段層、線痕不良3D激光檢查部＜標(biāo)準(zhǔn)式樣＞對(duì)應(yīng)硅片清洗籮筐

（2套/自動(dòng)交換）*可對(duì)應(yīng)摞片式、以及客戶專用式樣上料部（硅片供給部）＜標(biāo)準(zhǔn)式樣＞上料部（硅片供給部）卸料分選部＜標(biāo)準(zhǔn)式樣＞良品分裝段數(shù):8（4段×2處）不良品分裝段數(shù):7（1段×7處）130片/段（t200um厚硅片）*良品最多可分16段,不良品最多可分10段

全9ポート／4or2or1段機(jī)構(gòu)Wafer卸料分選部＜標(biāo)準(zhǔn)式樣＞全9ポート／4or2or1段機(jī)構(gòu)WafThankyouforyourparticipationsBestwishestoallofyouThankyouforyourparticipati太陽(yáng)電池用硅片外觀檢測(cè)裝置ＴＤ２００2010年11月株式會(huì)社安永CE事業(yè)部営業(yè)部門太陽(yáng)電池用硅片2010年11月特征太陽(yáng)能電池用硅片外觀檢測(cè)綜合提案硅片表面缺陷檢查（硅片上面/下面）硅片尺寸?形狀測(cè)定不可視內(nèi)部裂痕檢查（0°/90°2階段檢查）硅片4邊edge詳細(xì)缺陷檢查硅片edge側(cè)面厚度測(cè)定３Ｄ檢測(cè)（厚度,TTV,線痕

,段差,棱線,翹曲）高速檢查

1.0sec/wafer對(duì)應(yīng)單晶以及多晶硅片

對(duì)應(yīng)金剛線加工硅片特征太陽(yáng)能電池用硅片外觀檢測(cè)綜合提案檢查系統(tǒng)構(gòu)成圖Edge檢查

–左Edge檢查-

右不可視裂痕檢查（NVCD）0°上表面檢查Edge檢查

–

后Edge檢查–前不可視裂痕檢查（NVCD）

90°下表面檢查硅片90°轉(zhuǎn)向3D激光檢查To傳送分選部檢查系統(tǒng)構(gòu)成圖Edge檢查–左Edge檢查-右不可視裂動(dòng)作錄像動(dòng)作錄像基本配置硅片類型單晶／多晶硅片（對(duì)應(yīng)金剛線加工硅片）硅片尺寸□125mm／□156mm硅片角部形狀無(wú)去角／R面／C面（～Max22.8mm）硅片厚度*140um～處理能力3,600片/hour(1.0sec/片)上料部標(biāo)準(zhǔn)式樣：對(duì)應(yīng)硅片清洗籮筐（上料部數(shù)：2處）

*可對(duì)應(yīng)摞片式、以及客戶專用式樣。下料/分選部標(biāo)準(zhǔn)式樣：摞片分裝（t200um硅片時(shí)，130片/段）良品可分裝段數(shù)：8（4段×2處）

不良品分裝數(shù)：7（1段×7處）

*良品最多可分16段,不良品最多可分10段裝置大小4,290(W)×1,060（D）×1,800（H）mm裝置重量約1,500kg電源AC3相200V

50/60Hz

20A（4KVA）空氣0.39MPa

50L/min以上

基本配置硅片類型單晶／多晶硅片（對(duì)應(yīng)金剛線加工硅片）硅片尺寸檢查項(xiàng)目一覽檢查項(xiàng)目檢查精度／可測(cè)大小檢查位置檢測(cè)裝置式樣

外形大?。ㄈL(zhǎng)／全寬）100um以內(nèi)（3σ）上下表面檢查部2000pix線掃描攝像頭視野:約170mm檢查分辨率：約85um/pix

直徑大小200um以內(nèi)（3σ）

去邊長(zhǎng)度300um以內(nèi)（3σ）

角度0.1°以內(nèi)（3σ）

表面裂痕／缺口□200um以上

表面污垢□1mm以上

針孔(氣孔)□100um以上不可視裂痕NVCD檢查部（0°,90°）4000pix線掃描攝像頭視野:約184mm檢查分辨率

:約46um/pix

內(nèi)部裂痕100um×1mm以上

異物□100um以上

崩邊30um×1mm以上Edge檢查部2000pix線掃描攝像頭視野:30mm檢查分辨率(畫素)

:約15um/pix

edge側(cè)面缺口□100um以上

edge側(cè)面厚度10um以內(nèi)（3σ）

硅片厚度（Max,Min,Ave）2um以內(nèi)（3σ）3D激光檢查部激光變位器6set（上3/下3）測(cè)定位置:±0.25mm光徑:約50um分解能:0.2um走查線位:上下3線

TTV（9點(diǎn)／5點(diǎn)）3um以內(nèi)（3σ）

線痕/段差／棱線5um以內(nèi)（3σ）

翹曲

檢查項(xiàng)目一覽檢查項(xiàng)目檢查精度／可測(cè)大小檢查位置檢測(cè)裝置式樣上面檢查部下面檢查部上面/下面表面檢查部

上面檢查部下面檢查部上面/下面表面檢查部表面缺陷檢查污濁,傷痕,指紋等

硅片尺寸測(cè)定全長(zhǎng)/全寬,直徑,去角,角度上面/下面表面檢查部

表面缺陷檢查硅片尺寸測(cè)定上面/下面表面檢查部檢測(cè)例１）污濁不良（單晶）檢測(cè)在約W0.4mm范圍內(nèi)存在的微小污濁上面/下面表面檢查部

檢測(cè)例１）污濁不良（單晶）檢測(cè)在約W0.4mm范圍內(nèi)存在的微檢測(cè)例２）污濁不良（多晶）檢測(cè)出約１.2×0.6mm的污濁，五其他部位的過度檢測(cè)上面/下面表面檢查部

檢測(cè)例２）污濁不良（多晶）檢測(cè)出約１.2×0.6mm的污濁，不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）不可視裂痕NVCD檢查部（0°,90°）與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測(cè)出來Crack-AmplifierTechnology*

*PatentPending他社方式安永TD200不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測(cè)出來Cr檢測(cè)例）細(xì)微的內(nèi)部裂痕TD200可以在硅片

0°以及

90°放置時(shí)檢測(cè)可對(duì)由于方向不同而造成的檢測(cè)困難的裂痕做出精確的檢測(cè)

硅片0°檢查時(shí)的畫像

硅片90°檢查時(shí)的畫像不可視裂痕

NVCD檢查部（0°,90°）檢測(cè)例）細(xì)微的內(nèi)部裂痕硅片0°硅片90°不可視裂痕NEdge檢查部Edge檢查部＜edge檢查部概圖＞Edge檢查部＜edge檢查部概圖＞Edge檢查部硅片側(cè)面edge部位容易發(fā)生歸類于重度不良的。TD200擁有對(duì)硅片4邊edge部位進(jìn)行集中檢查的機(jī)能。Edge檢查部＜edge檢查范圍＞

edge部表/里面?崩邊、缺口檢查

edge部側(cè)面

?崩邊、缺口檢查

?edge側(cè)面厚度測(cè)定檢查分辨率15um/pix

Edge側(cè)面11.5mm硅片側(cè)面edge部位容易發(fā)生歸類于重度不良的。Edge檢查部檢查例１）檢查edge部缺口缺口大小）從edge開始0.6mm長(zhǎng)度2.9mm側(cè)面畫像中也可確認(rèn)到缺口。Edge檢查部edge表面Edge里面?zhèn)让鏅z查例１）檢查edge部缺口缺口大?。〦dge檢查部edge側(cè)面畫像也可確認(rèn)到不良Edge檢查部檢查例２）檢查edge部缺口側(cè)面畫像也可確認(rèn)到不良Edge檢查部檢查例２）檢查edge部可以從edge側(cè)面畫像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edge檢查部檢查例３）檢查edge側(cè)面細(xì)微缺口可以從edge側(cè)面畫像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷Edg可在edge檢