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第八章§8-1真空中的靜電場(chǎng)

電荷庫侖定律Fl21qgFl23-「124 0r12真空中的介電常數(shù) 0 8.851012C2/(Nm2)§8-2電場(chǎng)電場(chǎng)強(qiáng)度0「3雪31雪31i「i(分立)dqr31r(連續(xù))大前提:對(duì)點(diǎn)電荷而言 T(提問:為什么試探電荷要求q足夠小呢?答:因?yàn)閝會(huì)影響到源電荷的分布,從而影響到 E的大?。└剑?.電偶極子Pe q%(其中Pe為電偶極矩,%為電偶極子的臂(負(fù)一正))1 2Pev3 (考察點(diǎn)0xP在電偶極子的臂的延長(zhǎng)線上 )E處處為0 qE處處為0 qi0iqi0電通量E為0iqi0E處處為0(因?yàn)榫植侩姾捎姓蠺OC\o"1-5"\h\z2.均勻帶電圓環(huán)在軸線上的場(chǎng)強(qiáng) E圓心的距離)§8-3高斯定理qi\o"CurrentDocument"EEdS --S 0對(duì)于高斯定理

1 qb2 23/2(其中a為半徑,b為距0ab負(fù),局部電通量也有正有負(fù))§8-4 靜電場(chǎng)的環(huán)路定理電勢(shì)WAVA AEdl Aab q°(VAVb)q0

iq4 .r (分立)0iri1dq40r(連續(xù))141dq40r(連續(xù))14 0補(bǔ)充:電偶極子1E-4,Perr3 (普適式)3(Peer)erPe(普適式)環(huán)路定理:口LEdl0§8-5等勢(shì)面電場(chǎng)強(qiáng)度與電勢(shì)梯度的關(guān)系Egrad (“一”表示方向指向電勢(shì)降落的方向 )§8-6 帶電粒子在靜電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)FqEf Een(即導(dǎo)體表面單位面積所受到的力在數(shù)值上與導(dǎo)體表面處電場(chǎng)的能量密度相等,力的方向與導(dǎo)體帶電的符號(hào)無關(guān),總是在外法線方向,是一種張力 )電偶極子受到的力偶矩M Pe E(在不均勻電場(chǎng)中也可近似套用)電偶極子在外電場(chǎng)中的勢(shì)能W PeE(注意:是有一個(gè)負(fù)號(hào)的),一1cL相關(guān)記憶:n個(gè)電偶極子的相互作用能W- PiEi2i第九章導(dǎo)體和電介質(zhì)中的靜電場(chǎng)導(dǎo)體表面的場(chǎng)強(qiáng) E§9-1導(dǎo)體表面的場(chǎng)強(qiáng) E不是E 2—en(無限大平面的場(chǎng)強(qiáng)))20孤立帶電導(dǎo)體電荷分布特點(diǎn)是曲率半徑大,密度小

曲率半徑小,密度大

孤立帶電導(dǎo)體電荷分布特點(diǎn)是曲率半徑大,密度小

曲率半徑小,密度大受力:內(nèi)部f0;表面f垂直于導(dǎo)體表面靜電平衡條件的三個(gè)表述: 場(chǎng)強(qiáng):內(nèi)部E0;表面E垂直于導(dǎo)體表面電勢(shì):等勢(shì)體§9-2 空腔導(dǎo)體內(nèi)外的靜電場(chǎng)靜電屏蔽的實(shí)質(zhì):導(dǎo)體外(內(nèi))表面上的感應(yīng)電荷抵消了外(內(nèi))部帶電體在腔內(nèi)(外)空間激發(fā)的電場(chǎng)?!?-3 電容器的電容孤立導(dǎo)體球的電容C40R常見形狀電容:八oS平行板電容器C—d球形電容器CRaR球形電容器C0— 不(當(dāng)Rb>>Ra時(shí),變?yōu)楣铝?dǎo)體;當(dāng) Rb、Ra都很大,RbRad=Rb-Ra很小時(shí),變?yōu)槠叫邪咫娙萜鳎﹫A柱形電容器C圓柱形電容器C2olKRb/Ra)§9-4 電介質(zhì)及其極化無極分子一感應(yīng)電矩(電子位移極化為主)有極分子一介質(zhì)的極化(取向極化為主)高頻時(shí),都以電子位移極化為主P電極化強(qiáng)度p —v-(它是反映介質(zhì)特征的宏觀量各向同性電介質(zhì)PeoE(統(tǒng)計(jì)物理和固體物理建立了P與E的關(guān)系)極化電荷QPPSqp°FdS 一是不是很像高斯定理?SQP(即Pen為電荷面密度QPPdV

(即P為電荷體密度 )§9-5 電介質(zhì)中的靜電場(chǎng)EE0E'(e0、E'分別表示自由電荷與極化電荷所激發(fā)的場(chǎng)強(qiáng) )絕對(duì)介電常數(shù)r0 (1e)0§9-6 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理電位移電位移D0EP°DdSqog指自由電荷)SD、E、p三矢量之間的關(guān)系DoEP oE eoEE§9-7 *電場(chǎng)的邊值關(guān)系DroE(原理)法向(無面電荷時(shí))切向D連續(xù)(電場(chǎng)高斯定理決定)不連續(xù)E不連續(xù)連續(xù)(電場(chǎng)環(huán)路定理決定)電流密度 E(原理)法向(穩(wěn)恒電流)切向連續(xù)(恒定電流條件決定)不連續(xù)E不連續(xù)連續(xù)(電場(chǎng)環(huán)路定理決定)§9-8 電荷間的相互作用能 靜電場(chǎng)的能量點(diǎn)電荷間的相互作用能(互能),又稱電勢(shì)能W- qiVi2i(其中V(其中Vi表示在給定的點(diǎn)電荷系中,除第i個(gè)點(diǎn)電荷之外的所有其他點(diǎn)電荷在第 i個(gè)點(diǎn)電荷所在處激發(fā)的電勢(shì))電荷連續(xù)分布時(shí)的靜電能(互能+固有能)W2v1 電荷連續(xù)分布時(shí)的靜電能(互能+固有能)W2v1 cdV— dS2s靜電場(chǎng)的能量W edVV V1DEdV2(說明(說明1:真空中與介質(zhì)中電勢(shì)能都是將qo的自由電荷由無窮遠(yuǎn)處移至該位置所做功,別在于不同。說明2:互能是移動(dòng)點(diǎn)電荷過程中外力做的功,固有能是形成點(diǎn)電荷過程中外力做的功?!?-9鐵電體壓電體永電體第十章恒定電流和恒定電場(chǎng)dqdt§dqdt電流密度 V I dS二dSS§10-2恒定電流和恒定電場(chǎng)電動(dòng)勢(shì)恒定電流條件匚dS0恒定電場(chǎng)也服從場(chǎng)強(qiáng)環(huán)流定律 。Ls?電動(dòng)勢(shì)°Ekdl(ek表示非靜電性場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng))§10-3 歐姆定律焦耳-楞次定律微分形式 E 積分形式 R電阻率與溫度0電阻率與溫度0(1t)(稱為電阻的溫度系數(shù))熱功率密度pEE2§10-4一段含源電路的歐姆定律*基爾霍夫定律TOC\o"1-5"\h\z段含源電路的歐姆定律UABVAVB IR(匯IR指電阻電勢(shì)降落,匯e指電源電勢(shì)升高 )閉合回路的歐姆定律 I(RRi)(說明:一段均勻電路的歐姆定律給出了一段不含電源的電路兩端的電勢(shì)差和通過電路的電電流的關(guān)系,全電路歐姆定律則給出了閉合電路中的電流與電源電動(dòng)勢(shì)的關(guān)系。 )基爾霍夫第一定律 I0 基爾霍夫第一定律 I0 基爾霍夫第二定律IR§10-5 *金屬導(dǎo)電的經(jīng)典電子理論第十一章真空中的恒定磁場(chǎng)§11-1 磁感應(yīng)強(qiáng)度磁場(chǎng)的高斯定理Fmqv(單位:1T=104Gs)通過有限曲面S的磁通量BdSoBdS0S§11-2畢奧-薩伐爾定律dB0dB0Idlr4r3.一7...一2(真空磁導(dǎo)率 o4 10N/A)任意線電流所激發(fā)的總磁感應(yīng)強(qiáng)度LdBIdl(說明:當(dāng)要考慮線的粗細(xì)時(shí), Idl應(yīng)換成dV)*運(yùn)動(dòng)電荷的磁場(chǎng)B0°vE§11-3畢奧-薩伐爾定律的應(yīng)用載流圓線圈軸線上的磁場(chǎng)在圓心處,B0―此2R12Pe⑵在遠(yuǎn)離線圈處,弓I入磁矩pmIS(對(duì)比Peq「12Pe02pme3"(對(duì)比z玻爾的氫原子模型中軌道磁矩與軌道角動(dòng)量L之間的關(guān)系-^L2mee§11-4安培環(huán)路定理§11-4安培環(huán)路定理°Bdl0 IL 0§11-5安培環(huán)路定理的應(yīng)用§11-6帶電粒子在磁場(chǎng)中所受作用及其運(yùn)動(dòng)qvB§11-7帶電粒子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的應(yīng)用PePeE)垂直的)FqEqvBInSqv霍耳效應(yīng)只需把握 UqBqvEqd§11-8磁場(chǎng)對(duì)載流導(dǎo)線的作用安培力F LdF Jdl BM Pm B(對(duì)比M PeE)(說明:上式可用來定義磁感強(qiáng)度)載流回路處在外磁場(chǎng)中的相互作用能為 Wp PmB(對(duì)比W§11-9平行載流導(dǎo)線間的相互作用力 電流單位“安培”的定義§11-10磁力的功AI第十二章磁介質(zhì)中的磁場(chǎng)§12-1磁介質(zhì)順磁質(zhì)和抗磁質(zhì)的磁化BB0 B'磁導(dǎo)率 0r0(1m)§12-2磁化強(qiáng)度磁化電流Pm(反映介質(zhì)的磁效應(yīng)d1sMdlIS0Mdl 一是不是很像環(huán)路定理?TOC\o"1-5"\h\z(即Men為電流面密度,不太好理解,主要是因?yàn)殡娏髅婷芏确较蚴桥c MIS MdSSS(即 M為電流體密度 )§12-3磁介質(zhì)中的磁場(chǎng)磁場(chǎng)強(qiáng)度

磁場(chǎng)強(qiáng)度 H:HdlB、H、M三矢量之間的關(guān)系B0(HM) 0(1 m)HH§12-4 *磁場(chǎng)的邊值關(guān)系B0rH(原理)法向(無傳導(dǎo)電流分布時(shí))切向B連續(xù)(磁場(chǎng)高斯定理決定)不連續(xù)H不連續(xù)連續(xù)(磁場(chǎng)環(huán)路定理決定)§12-5鐵磁質(zhì)§12-6 *磁路定理m(對(duì)比I)NI磁動(dòng)勢(shì)Fm0Hdl(對(duì)比。m(對(duì)比I)NI磁動(dòng)勢(shì)Fm0Hdl(對(duì)比。Edl)磁導(dǎo)率(對(duì)比電導(dǎo)率 )B磁阻Rm L(對(duì)比R—)S S第十三章電磁感應(yīng)和暫態(tài)過程§13-1電磁感應(yīng)定律H(對(duì)比E)Fm」(對(duì)比I-)Rm Rd微分形式 i (注:感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)i方向的正負(fù)由右手螺旋法則確定。dt在某段時(shí)間內(nèi)通過導(dǎo)線任一截面的感生電荷量積分形式:'EkdldBdSdto§13-2 動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)要點(diǎn):非靜電性力是洛倫茲力,可推E.vB。k§13-3感生電動(dòng)勢(shì)有旋電場(chǎng)

EdlLEdlLdS(即E的繞行方向和—的方向成左手螺旋定則。)要點(diǎn):非靜電性場(chǎng)是由變化的磁場(chǎng)產(chǎn)生的渦旋電場(chǎng)。要點(diǎn):交變電流I交變磁場(chǎng)B B渦旋電場(chǎng)E渦電流I。t§13-5自感和互感自感L史dtd (其中 NN稱作磁鏈數(shù))dI21Ii12I2要點(diǎn):交變電流I交變磁場(chǎng)B B渦旋電場(chǎng)E渦電流I。t§13-5自感和互感自感L史dtd (其中 NN稱作磁鏈數(shù))dI21Ii12I2(注意與I的對(duì)應(yīng),即產(chǎn)生處的對(duì)應(yīng)的是被產(chǎn)生處的電流I)k.L1L2k稱為耦合因數(shù)。求解步驟: ①假想線圈通有電流I,先求B,再求出磁鏈數(shù) N;②利用公式L—N求解。I§13-6電感和電容電路的暫態(tài)過程電感電源接通 II01et, (In一一電源斷開II°e' R■L稱為時(shí)間常數(shù))Rt充電qC1eRC電容t放電q qmaxeRCtRC,.dqI二e一由I -q R(RC也叫時(shí)間常數(shù))dt _LIImaxeRC§13-7磁場(chǎng)的能量12表式一 Wm-LI0(表不自感為L(zhǎng)的回路,當(dāng)其中通有電流達(dá)到穩(wěn)定值 10時(shí),周圍空間磁場(chǎng)的能量)2_21B 1 1表式一Wm——V—BHV(均勻磁場(chǎng))磁場(chǎng)能量密度Wn-BH2 2 21一Wm—BHdV(一般磁場(chǎng))2_1 2 1 則一LI2 —BHdV(它也可用來求電感L的大?。? 2第十四章麥克斯韋方程組電磁場(chǎng)§14-1 位移電流,、…一一 dD位移電流密度 d3工(變化的電場(chǎng)也是一種電流)位移電流1dsdD位移電流1dsdD—(稱為電位移通量)dtdt全電流定律 Hdl11ddS—dS

t比較(前者為傳導(dǎo)電流,后者為位移電流)①熱效應(yīng):是焦耳熱vs不是焦耳熱;②存在形式:導(dǎo)體中vs導(dǎo)體和介質(zhì)(包括真空)中;③產(chǎn)生原因:自由電荷的定向移動(dòng)vs由變化的電場(chǎng)產(chǎn)生。補(bǔ)充 ①由于運(yùn)動(dòng)的點(diǎn)電荷要產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)和感應(yīng)磁場(chǎng),庫侖定律和畢奧 -薩伐爾定律不再適用。只有當(dāng)vc時(shí),近似成立。②微波爐是位移電流產(chǎn)生熱量的一個(gè)實(shí)際應(yīng)用?!?4-2麥克斯韋方程組積分形式(有限區(qū)域適用):微分形式(點(diǎn)適用):積分形式(有限區(qū)域適用):微分形式(點(diǎn)適用):①:DdSqS①:DdSqS②-BdS0S③HdldS-dSL S St一 B一④Edl——dSL St§14-3 電磁場(chǎng)的物質(zhì)性(了解一下)1電磁能量密度w-DEBH2 1-單位體積的場(chǎng)的質(zhì)量m」DEBH2c2單位體積的電磁場(chǎng)的動(dòng)量 p和能量密度間的關(guān)系§14-4 電磁場(chǎng)的統(tǒng)一性電磁場(chǎng)量的相對(duì)性第十五章機(jī)械振動(dòng)和電磁振蕩§15-1簡(jiǎn)諧振動(dòng)D (電場(chǎng)的性質(zhì))B0 (磁場(chǎng)的性質(zhì)),,D、,…H (變化電場(chǎng)和磁場(chǎng)的聯(lián)系)tl B ……E— (變化磁場(chǎng)和電場(chǎng)的聯(lián)系)t運(yùn)動(dòng)微分方程與2運(yùn)動(dòng)微分方程與2x0 (其中2dt2-F,對(duì)于彈簧mx其解為it0xAxost0指數(shù)表示為xAe說明:.相位的關(guān)系有同相、反相和相位的超前 (落后),主要看初相位0,大者超前;.利用旋轉(zhuǎn)矢量圖法可以方便解題;.幾種常見的簡(jiǎn)諧振動(dòng):?jiǎn)螖[T2復(fù)擺T2J (其中J為轉(zhuǎn)動(dòng)慣量);mgh§15-2摩擦阻尼.簡(jiǎn)諧振動(dòng)的能量阻尼振動(dòng)2(其中為阻力系數(shù),0無阻尼固有圓頻率,阻尼因子)運(yùn)動(dòng)微分方程d2xdt2dxdt其解為0時(shí):其解為it0xAxost0指數(shù)表示為xAe說明:.相位的關(guān)系有同相、反相和相位的超前 (落后),主要看初相位0,大者超前;.利用旋轉(zhuǎn)矢量圖法可以方便解題;.幾種常見的簡(jiǎn)諧振動(dòng):?jiǎn)螖[T2復(fù)擺T2J (其中J為轉(zhuǎn)動(dòng)慣量);mgh§15-2摩擦阻尼.簡(jiǎn)諧振動(dòng)的能量阻尼振動(dòng)2(其中為阻力系數(shù),0無阻尼固有圓頻率,阻尼因子)運(yùn)動(dòng)微分方程d2xdt2dxdt其解為0時(shí):Aoetcos過阻尼§15-3受迫振動(dòng)共振驅(qū)動(dòng)力F°cost 運(yùn)動(dòng)微分方程d2xdt2dxdt&osm其解為Aetcos(..2tAcos位移共振共振02 22速度共振d§15-4電磁振蕩共振……1感抗L谷抗 電抗C阻抗Z22 1R2 l——(單位: )C力電類比機(jī)械振動(dòng)J電磁振蕩J機(jī)械振動(dòng)J電磁振蕩J位移x(或A)電荷q(或Q0)阻力系數(shù)電阻R速度v電流i驅(qū)動(dòng)力F電動(dòng)勢(shì)臨界阻尼質(zhì)量m電感L限勁度系數(shù)k電容的倒數(shù)1/C第十六章機(jī)械波和電磁波§16-1 機(jī)械波的產(chǎn)生和傳播聲速公式UI—(為氣體的比熱容比,空氣為1.40)波在固體中,傳播速度 u—(橫波)u一(縱波)§16-2平面簡(jiǎn)諧波波動(dòng)方程yx,Acos2y2質(zhì)量m電感L限勁度系數(shù)k電容的倒數(shù)1/C第十六章機(jī)械波和電磁波§16-1 機(jī)械波的產(chǎn)生和傳播聲速公式UI—(為氣體的比熱容比,空氣為1.40)波在固體中,傳播速度 u—(橫波)u一(縱波)§16-2平面簡(jiǎn)諧波波動(dòng)方程yx,Acos2y2x±Jy

u2t2(平面波的波動(dòng)方程)§16-3波的能量波的強(qiáng)度(平均能流密度)波的能量WkWpA222Vsinxt—總能量WWkuWp波的強(qiáng)度Iwu2a2(W是平均能量密度,u等于波速大小提示:1T2在求一時(shí)要注意-sin2T01?!?6-4聲波聲壓振幅Pm聲強(qiáng)級(jí)IL1010g10L(分貝)I0(其中I01012W/m2)x tx0 (沿x軸方向前進(jìn)的平面簡(jiǎn)諧波的波動(dòng)表式 )u§16-5電磁波電磁波的波速場(chǎng)量E和H的關(guān)系電磁波的波速輻射強(qiáng)度(能流密度)SEH輻射強(qiáng)度(能流密度)SEH(又稱坡印廷矢量)^W 2 ^W 2 ^W動(dòng)量流密度—c w(關(guān)鍵:?jiǎn)挝惑w積電磁能量為w,由質(zhì)能關(guān)系式得單位體積電磁波質(zhì)量為 —)o\o"CurrentDocument"c c§16-6惠更斯原理波的衍射、反射和折射電磁波反射與折射解題要點(diǎn):TOC\o"1-5"\h\za)反射定律( );b)場(chǎng)量E和H的矢量關(guān)系(H J—ek E);c)E和H在切向連續(xù)(E2t Eit和H2tHit)?!?6-7波的疊加原理波的干涉駐波干涉3個(gè)必要條件:頻率相同;振動(dòng)方向相同;相位差恒定。駐波相鄰兩個(gè)波腹(波節(jié))之間的距離為 /2?!?6-8 多普勒效應(yīng)觀察者的觀測(cè)頻率 —(v為他所觀測(cè)到的波速, 為觀測(cè)到的波長(zhǎng))波源運(yùn)動(dòng)影響波長(zhǎng)vV波源運(yùn)動(dòng)影響波長(zhǎng)vVT,觀察者運(yùn)動(dòng)影響波速vvu,總效果如下:(其中u(其中u表示觀察者相對(duì)媒質(zhì)的速度,V表示波源相對(duì)媒質(zhì)的速度,都以觀察者和波源相互趨近為正,媒質(zhì)中的波速 v0)。第十七章波動(dòng)光學(xué)一、光的干涉§17-2雙縫干涉楊氏雙縫實(shí)驗(yàn) 光程差和波源相互趨近為正,媒質(zhì)中的波速 v0)。第十七章波動(dòng)光學(xué)一、光的干涉§17-2雙縫干涉楊氏雙縫實(shí)驗(yàn) 光程差xd/D各級(jí)明紋:x k-D— 各級(jí)暗紋:xd其它:菲涅耳雙棱鏡、菲涅耳雙鏡、洛埃德鏡§17-3光程與光程差光程nx(即折射率與幾何路程的乘積)2k1—k0,1,22d(半波損失)(注意:此處為光在真空中的波長(zhǎng)§17-4薄膜干涉一一等傾條紋

特點(diǎn):入射角i越大干涉級(jí)越低,r越大對(duì)應(yīng)的i也越大,且紋間距離不等(外密內(nèi)疏)。2e\-n22R2sin2i保持e不變§17-5 薄膜干涉一一等厚條紋2外%22R2sin2i保持i不變①垂直入射時(shí),i2er2,劈尖膜(紋間距離相等, 越小越疏松)2e—22e—22R兩明(暗)紋間距離為l ,特殊:空氣劈尖膜2n2sin上r2k§17-6 邁克耳孫干涉儀

①M(fèi)i與M2嚴(yán)格垂直時(shí),等傾干涉; Mi與M2不嚴(yán)格垂直時(shí),劈尖干涉;DG2是為補(bǔ)償光程差的,使得光都穿透玻璃三次;③光程差為 2d?!?7-7 干涉條紋的可見度可見度V1max1min(了解一下)ImaxImin二、光的衍射§17-9 單縫的夫瑯禾費(fèi)衍射(分布)菲涅耳波帶法 asin 2ka(暗)k1,2令k1時(shí), arcsin—,半角寬度 0—a aasin2k1—(明)k1,2

2說明: 明紋和暗紋條件和干涉時(shí)恰好相反,原因在于:衍射考慮的是多子波的相互作用 (邊緣處光程差為偶數(shù)個(gè)半波長(zhǎng)時(shí)恰抵消),而干涉只考慮兩個(gè)邊緣處的子波,偶數(shù)時(shí) (因同相)恰好是增強(qiáng)。(光強(qiáng))振幅矢量法令u -a^n說明:①中央明紋處0,II0,稱作主極大;§17-10sin1②uk(k③次級(jí)明紋tanu1,2)時(shí)為暗紋,asin說明:①中央明紋處0,II0,稱作主極大;§17-10sin1②uk(k③次級(jí)明紋tanu1,2)時(shí)為暗紋,asink(與分布時(shí)的規(guī)律吻合);求得sin1.43—,

a2.46-,3.47-aa④為光在當(dāng)前介質(zhì)

圓孔的夫瑯禾費(fèi)衍射時(shí)的波長(zhǎng)。光學(xué)儀器的分辨本領(lǐng)1.22一角半徑1

d1.22-,愛里斑半徑Rd1.22-f

d光學(xué)儀器的分辨本領(lǐng)最小分辨角1光學(xué)儀器的分辨本領(lǐng)最小分辨角R11.22—,其倒數(shù)稱為儀器的分辨本領(lǐng)(分辨率)R——d r望遠(yuǎn)鏡的分辨本領(lǐng):R——。1.22顯微鏡的最小分辨距離: y—,nsinu稱為數(shù)值孔徑。nsinu§17-11光柵衍射圖樣特點(diǎn):在黑暗的背景上呈現(xiàn)一系列分得很開的細(xì)窄亮線。①明紋absink(光柵方程)。其中a為縫寬,b為不透光部分寬度②暗紋absink/N(去掉k kN的情況)

即兩相鄰主明紋之間有N1條暗紋。③次明紋兩主明紋之間出現(xiàn)的次明紋數(shù)目為N2。absinkab說明:a.缺級(jí) 即ka_qk時(shí)(顯示了與單縫衍射的疊加效應(yīng));asink ab.斜入射時(shí),光柵方程的修正為 absinsink;c.角度, 正負(fù)號(hào)的規(guī)定:從光柵平面的法線算起,逆時(shí)針轉(zhuǎn)向光線時(shí)為正,反之為負(fù);譜線的半角寬度 。dab為光柵常量,N為透射光柵的總縫數(shù)Ndcos光柵的分辨本領(lǐng)(色分辨本領(lǐng))R——kN。光柵衍射的強(qiáng)度分布IP光柵衍射的強(qiáng)度分布IP.2 .2、.,sinusinNv,,,Io—2 2一 (其中uusinvasin bsin ,v )§17-12X射線的衍射布拉格公式 2dsink(亮點(diǎn))d為晶面間距, 為掠射角三、光的偏振§17-14起偏和檢偏馬呂斯定律馬呂斯定律I211cos2(是檢偏器偏振化方向和入射線偏振光的光矢量振動(dòng)方向之間的夾角 )§17-15反射和折射時(shí)光的偏振當(dāng)反射光和折射光相互垂直時(shí),即 taniB”(布儒斯特角),反射光為偏振光,振動(dòng)方向垂直于入射面。n1§17-16光的雙折射①尋常光O(振動(dòng)垂直于主平面)②非常光e(振動(dòng)平行于主平面)說明:光軸(不產(chǎn)生雙折射的方向軸),光線的主平面(由該光線與光軸構(gòu)成平面),入射面(由入射光線與入射點(diǎn)處法線構(gòu)成平面)正晶體:Vo ve,% %負(fù)

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