腦電圖分析要素

腦電圖分析要素腦電圖分析要素腦電圖分析要素資料僅供參考文件編號：2022年4月腦電圖分析要素版本號：A修改號：1頁次：1.0審核：批準(zhǔn):發(fā)布日期：腦電圖分析要素EEG的分析主要從：頻率、波幅、波形、時相和位相關(guān)系、異常波出現(xiàn)的方式、分布的廣度及對各種刺激的反應(yīng)性等方面進(jìn)行。頻率(frequency)：頻率是指某種波在一秒鐘內(nèi)重復(fù)的次數(shù)，通常用波/秒（c/sec、CPS）或者Hz表示。對散在的慢波可測定其波長，以其所占的時間來表示。腦電波的波率分為4個頻率帶：δ頻率帶：sec以下(通常0.5~sec))，10-20μν,出現(xiàn)于額區(qū)，不以紡錘樣出現(xiàn)，不得多于8-10%，其他各區(qū)少于5%。θ頻率帶：4~sec，20-40μν，不超過50μν，雙側(cè)對稱，顳區(qū)多見，不以紡錘樣出現(xiàn)。α頻率帶：8~13/sec，50-100μν，大腦各區(qū)均有α活動和節(jié)律，枕區(qū)最高，顳區(qū)最低。β頻率帶：13/sec以上（通常14~40/sec），20-50μν，主要見于中央?yún)^(qū)和及其前部，以額區(qū)和顳區(qū)最明顯。波幅(amplitude)：波幅代表一個波的高度，用微伏（μV）來表示。通過測定一個波從波峰作一垂線至基線的距離，并與在相同增益和濾波條件下所記錄的標(biāo)準(zhǔn)信號高度比較來確定的。在臨床EEG，以低、中、高波幅來描述。一般認(rèn)為25μV以下是低波幅，25-75μV為中波幅，75μV以上為高波幅。波形(waveform)：根據(jù)腦波沿基線偏轉(zhuǎn)的次數(shù)和時相分為：單相波(monophasicwave)：腦波自基線向上方或下方的一次偏轉(zhuǎn)。雙相波(diphasicwave)：腦波沿基線上下方各有一次偏轉(zhuǎn)，形成正－負(fù)或負(fù)－正雙相波。三相波(triphasicwaves)腦波沿基線上下有三次偏轉(zhuǎn)，形成負(fù)－正－負(fù)三相波。根據(jù)腦波形態(tài)不同劃分為：正弦樣波：波峰圓鈍，類似正弦形。弓形波：波形上下方一方圓鈍而另一方尖銳，形成梳狀。棘波(spikewaves)：形似棘狀，所占時間小于70ms。尖波(sharpwaves)：尖波呈尖峰樣，時間70-200ms之間。棘或尖慢復(fù)合波（spike&sharpwavecomplex)：由一個棘波/尖波和一個慢波組成。多棘波（polyspikes)：2個或2個以上的棘波連續(xù)出現(xiàn)。多棘慢復(fù)合波（polyspikewavecomplex）：由2個或2個以上的棘波和1個慢波組成。腦波的位相：指腦電波形與時間的關(guān)系。以基線為準(zhǔn)，波峰向上為負(fù)相波，波峰向下為正相波。同一時間點(diǎn)兩個不同部位的腦波位相一致（位相差等于零）為同位相信號，否則為非同位相信號。90度位相差時，兩個波相差1/4周期，180度位相差時則出現(xiàn)位相倒置(phase-reversal)。雙極導(dǎo)聯(lián)描記時的位相倒置，對于異常腦波的起源區(qū)域具有定位意義。腦波出現(xiàn)方式：散在出現(xiàn)：單個出現(xiàn)，無規(guī)則。節(jié)律出現(xiàn)：通常將三個或三個以上波形、頻率相同，波幅相似連續(xù)出現(xiàn)的電活動稱為節(jié)律(rhythm)。周期出現(xiàn)：突出于背景的腦波或波群，以相對固定的間隔反復(fù)出現(xiàn)。陣發(fā)出現(xiàn)：突然出現(xiàn)的，明顯突出于背景活動的一組腦波活動。按出現(xiàn)時限區(qū)分：短程（小于1秒）、中程（大于1秒，小于3秒）、長程（大于3秒）。腦波出現(xiàn)部位：同一時間內(nèi)出現(xiàn)在腦的各個區(qū)域、兩側(cè)半球基本對稱。彌散性：腦電活動出現(xiàn)在雙側(cè)半球的各個腦區(qū)，但波形、波幅和頻率有不固定、非持續(xù)性的不對稱及不同步現(xiàn)象。對稱性：兩側(cè)大腦半球各對應(yīng)區(qū)域腦電活動的波形、波幅和頻率基本相同。非對稱性：兩側(cè)大腦半球相應(yīng)區(qū)域腦電活動的波形、波幅和頻率明顯不相同。一側(cè)性：異常電活動出現(xiàn)于一側(cè)大腦半球，或者一側(cè)半球?yàn)橹?。局限性：異常電活動出現(xiàn)于局部區(qū)域，附近區(qū)域可因電活動傳播受到累及。偽差的識別：腦電圖中的非腦源性電活動有時與異常腦電活動非常相似嚴(yán)重時干擾EEG記錄和分析，導(dǎo)致診斷錯誤。偽差表現(xiàn)多樣，根據(jù)產(chǎn)生原因分為：外部原因儀器原因生理學(xué)原因注意區(qū)分偽差與癲癎樣放電在出現(xiàn)部位、影響范圍、出現(xiàn)方式、波形特點(diǎn)、波形的演變方式等方面的差異。描記程序中的誘發(fā)試驗(yàn)程序：誘發(fā)試驗(yàn)是腦電圖描記中的特殊程序，