《電力電子技術》試卷及答案

《電力電子技術》試卷答案一、填空（136）1、請在正確的空格內標出下面元件的簡稱：電力晶體管GTR可關斷晶閘管GTO功率場效應晶體管MOSFET絕緣柵雙極型晶體管IGBTIGBT是MOSFET和GTR的復合管2晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是 要有足夠的驅動功率、 觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高 和觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽極電壓同。3多個晶閘管相并聯(lián)時必須考慮均流的問題解決的方法是 串專用均流電抗。4、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為正弦波，輸出電流波為 方?。5型號為KS100-8的元件表示 雙向晶閘管晶閘管它的額定壓為 800V伏、額定有效電流為100A。6180同一橋臂120o上的元件之間進行的。7、當溫度降低時，晶閘管的觸發(fā)電流會增加、正反向漏電流會下降；當溫度升高時，晶閘管的觸發(fā)電流會下降電流會。8、在有環(huán)流逆變系統(tǒng)中，環(huán)流指的是只流經(jīng)?逆變電源 、 逆變橋而不流經(jīng)負載的電流。環(huán)流可在電路中加 電抗器 來限制。為了減小環(huán)流一般采控用控制α 于β的工作方式。9、常用的過電流保護措施有快速熔斷器?、串進線電抗、接入直流快速開關、控制快速移相使輸出電壓下降（寫出四種即可10、雙向晶閘管的觸發(fā)方式有 、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四種。二、判斷題,（110）（對√、錯×）1時會出現(xiàn)失控現(xiàn)象。（）2行時，其中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，那么另一組就工作在逆變狀態(tài)。（×）3、晶閘管串聯(lián)使用時，必須注意均流問題。（×）4、逆變角太大會造成逆變失敗。 （× ）5、并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路。（√）6、給晶閘管加上正向陽極電壓它就會導通。（×）7、有源逆變指的是把直流電能轉變成交流電能送給負載。（×）8U2。（×）9、在三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動頻率為300Hz。（×）10（√）三、選擇題（315）1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應相差A度。A180°，B60°，c360°，D、120°2α為 C 度時，三相半波可控整流電路，電阻性負載輸出電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A，0度，B，60度，C，30度，D，120度，3、晶閘管觸發(fā)電路中，若改變 B 的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生位移動，達到移相控制的目的。A、同步電壓，、控制電壓，C、脈沖變壓器變比4、可實現(xiàn)有源逆變的電路為 A 。A、三相半波可控整流電路， 、三相半控橋整流橋電路，C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路，D5βmin理 A 。A30o-35o， B10o-15o， 、0o-10o， D0o四、問答分析題,(每題7分21分)1、在晶閘管兩端并聯(lián)RCR的作用是什么？2、單結晶體管的特性曲線可以分為哪幾段？如果用一個二極管和兩法，設計試驗電路，并作出它的Ie-Ue1R、CRLC蕩過電壓，減小晶閘管的開通電流上升率，降低開通損耗。、2、單結晶體管特性曲線可分為：截止區(qū)、負阻區(qū)、飽和導通區(qū)。3、由下面單結晶體管的觸發(fā)電路圖畫出各點波形。五、計算題,(每題9分，18分)1220105α求此時的電流有效值，以及電源側的功率因數(shù)值。π/2； 32.1A； 0.707；21-01-31-21-010通過對電壓檢測，實施對兩組反并聯(lián)晶閘管門極予以控制。例如：輸10%時，讓VT1VT2180°，使它不輸出電壓，而讓VT3VT40