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加快國產(chǎn)化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用推廣行動計(jì)劃加快國產(chǎn)化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用推廣圍繞半導(dǎo)體照明、激光器、電力電子器件、高頻寬帶等具有市場潛力的領(lǐng)域,組織開展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用試點(diǎn)示范,加快市場滲透,提升國產(chǎn)化率,推動上中游產(chǎn)品在下游應(yīng)用的快速驗(yàn)證,形成以用興業(yè)的良性循環(huán)。發(fā)展目標(biāo)到2025年,我省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈鏈條完善,關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控,保持第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料市場領(lǐng)先地位。培育壯大產(chǎn)業(yè)帶動能力強(qiáng)的鏈主企業(yè),提升芯片和器件設(shè)計(jì)能力,擴(kuò)大應(yīng)用場景,實(shí)現(xiàn)協(xié)同發(fā)展,打造百億級國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。創(chuàng)新能力顯著增強(qiáng),引進(jìn)并培養(yǎng)一批高端人才,壯大人才隊(duì)伍,建成第三代半導(dǎo)體國家地方聯(lián)合工程研究中心、產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新中心、國家博士后科研工作站和院士工作站,搭建國際先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體公共研發(fā)、檢測和服務(wù)平臺,突破新材料、工藝裝備和芯片設(shè)計(jì)等核心關(guān)鍵技術(shù),推動全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力得到有效提升。產(chǎn)業(yè)鏈條持續(xù)完善,補(bǔ)齊產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),努力打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)的產(chǎn)業(yè)集群,提升產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展能力,形成結(jié)構(gòu)合理、生態(tài)良好的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系。市場主體培育壯大,大力發(fā)展掌握核心技術(shù)、具有國際競爭力和影響力的龍頭企業(yè),帶動發(fā)展掌握核心關(guān)鍵技術(shù)的特色企業(yè),夯實(shí)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展根基。產(chǎn)業(yè)規(guī)??焖偬嵘?,抓住新能源汽車、汽車電子、5G應(yīng)用、雙碳減排等新應(yīng)用的市場機(jī)會,迅速做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。到2025年,第三代半導(dǎo)體材料、芯片、器件、模塊、應(yīng)用等產(chǎn)值達(dá)到300億元。優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境,打造良好發(fā)展生態(tài)1、建設(shè)公共技術(shù)平臺整合省內(nèi)優(yōu)勢中堅(jiān)力量,謀劃建設(shè)第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)研究公共技術(shù)平臺,搭建國際先進(jìn)的涵蓋第三代半導(dǎo)體晶體生長技術(shù)、器件物理研究、微納器件設(shè)計(jì)與加工技術(shù)、芯片封裝與測試等核心技術(shù)實(shí)體研發(fā)創(chuàng)新中心,提升研發(fā)水平和效率。建設(shè)國際先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體研發(fā)、檢測和服務(wù)公共平臺,開展芯片和器件關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān),研發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新材料、新工藝、新器件。深入開展核心關(guān)鍵技術(shù)研究、應(yīng)用驗(yàn)證、測試等,引入高溫離子注入系統(tǒng)、化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)、等離子刻蝕機(jī)等關(guān)鍵工藝設(shè)備,以及大型分析檢測測試設(shè)備,為產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展提供服務(wù)支撐。2、搭建成果轉(zhuǎn)化平臺聚焦第三代半導(dǎo)體單晶材料生長技術(shù),器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù),封裝與測試技術(shù)等領(lǐng)域,加快推進(jìn)高校及研究院所科技成果與產(chǎn)業(yè)的對接,以共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室等形式落實(shí)成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化,并加速推動成果產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,實(shí)現(xiàn)我省在第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)領(lǐng)域的彎道超車。3、發(fā)展產(chǎn)業(yè)孵化平臺支持地市、高校聯(lián)合國內(nèi)外研發(fā)機(jī)構(gòu)和重點(diǎn)企業(yè),按照新型研發(fā)機(jī)構(gòu)模式成立第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究院,逐步建成國際先進(jìn)、國內(nèi)一流的第三代半導(dǎo)體科技孵化器,帶動產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展。堅(jiān)持全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展,提升產(chǎn)業(yè)整體競爭能力以技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展相對成熟的SiC、GaN材料為切入點(diǎn),迅速做大第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模。聚焦材料、外延、芯片、器件、封裝、設(shè)備和應(yīng)用等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)環(huán)節(jié),加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合,以合資、合作方式培育和吸引高水平企業(yè),促進(jìn)產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,推動第三代半導(dǎo)體在電力電子、微波電子和半導(dǎo)體照明等領(lǐng)域的應(yīng)用,打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地。1、提升材料制備和產(chǎn)業(yè)化能力加速推進(jìn)大尺寸SiC、GaN等單晶體材料生長及量產(chǎn)技術(shù),突破SiC、GaN材料大直徑、低應(yīng)力和低位錯(cuò)缺陷等關(guān)鍵技術(shù),全面提升4-8英寸GaN外延、SiC襯底單晶材料產(chǎn)業(yè)化能力。突破超硬晶體材料切割和拋光等關(guān)鍵核心技術(shù),提升4-8英寸SiC、GaN襯底材料精密加工能力。加大對薄膜材料外延生長技術(shù)的支持力度,補(bǔ)足第三代半導(dǎo)體外延材料生長環(huán)節(jié)。推動Ga2O3等新一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。2、提升器件設(shè)計(jì)和制造能力搭建第三代半導(dǎo)體研發(fā)、仿真設(shè)計(jì)平臺,大力扶持基于SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料的功率、射頻、以及微型發(fā)光器件及芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè),圍繞SiC功率器件的新能源汽車應(yīng)用和GaN功率器件的消費(fèi)類快充及工業(yè)類電源市場,促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作以及成果轉(zhuǎn)化,引導(dǎo)器件設(shè)計(jì)企業(yè)上規(guī)模、上水平。推進(jìn)基于GaN、SiC的垂直型肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微型發(fā)光二極管(Micro-LED)、高端傳感器、以及激光器等器件和模塊的研發(fā)制造,支持科研院所微納加工平臺建設(shè)。大力推動晶圓生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目,優(yōu)先發(fā)展特色工藝制程器件制造,在關(guān)鍵電力電子器件方面形成系列產(chǎn)品,綜合性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。3、提升封測技術(shù)和供給能力重點(diǎn)開發(fā)基于第三代半導(dǎo)體的功率和電源管理芯片的封裝材料,解決高功率、高密度大芯片的封裝可靠性技術(shù)問題,積極引進(jìn)先進(jìn)封測生產(chǎn)線和技術(shù)研發(fā)中心,推動高端封裝測試工藝技術(shù)裝備的研制和生產(chǎn)效率的提升,提高產(chǎn)業(yè)鏈配套能力。4、提升關(guān)鍵裝備支撐能力布局生長、切片、拋光、外延等核心技術(shù)裝備,突破核心共性關(guān)鍵技術(shù),通過關(guān)鍵設(shè)備牽引,實(shí)現(xiàn)分段工藝局部成套。突破SiC晶體可控生長環(huán)境精準(zhǔn)檢測與控制技術(shù)、基于大數(shù)據(jù)分析的數(shù)字孿生及人工智能模擬技術(shù),研制SiC單晶智能化生長裝備并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。提升清洗、研磨、切割等設(shè)備的生產(chǎn)能力以及設(shè)備的精度和穩(wěn)定性。培育優(yōu)勢主體,拉動產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模快速擴(kuò)大1、壯大龍頭企業(yè)加大對重點(diǎn)企業(yè)的關(guān)注和扶持力度,實(shí)行一企一策,協(xié)調(diào)解決企業(yè)發(fā)展關(guān)鍵制約點(diǎn)。優(yōu)先將符合條件的產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)項(xiàng)目納入山東省新舊動能轉(zhuǎn)換重大項(xiàng)目庫,充分利用好新舊動能轉(zhuǎn)換政策,進(jìn)行重點(diǎn)扶持;圍繞SiC、GaN等晶體材料、功率器件和模塊、照明與顯示器件和下游應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),培育壯大細(xì)分行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。2、融通產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)強(qiáng)化需求牽引的作用,從應(yīng)用端需求入手,加強(qiáng)從材料、芯片、器件到模塊應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度合作。加強(qiáng)省內(nèi)省外行業(yè)對接
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