DSP芯片與SDRAM接口設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

RAM(SDRAMDSPTMS320C6201IS42S16400SDRAMDSPTMS320c6201EMISDRAM編程方法。RAM(SDRAMPISSIIS42S16400SDRAM0C6201C6201)的數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中此設(shè)計(jì)方法的具體實(shí)現(xiàn)。IS42S16400IS42S16400ISSl64Mb8MB16RAMSDRAM①同步訪問(wèn)，讀寫(xiě)操作需要時(shí)鐘；IS42S16400CMOS133MHz64ms為4096SDRAM芯片內(nèi)部有4個(gè)存儲(chǔ)體(bankSDRAMIS42S16400C6201SDRAMDSPEMlF(ExternalMemoryInterfaceC6000DSPsEMIF1200MB/s)，C62014CElCExSDRAM1C620XDSPsEMIFSDRAM2C6000DSPsEMIFSDRAMSDRAMSDRAMC6000DSPsSDRAM(SDTCLSDRAM(SDTIM)，用SDRAMSDCTLRFENEMIFSDRAMSDRAM令(REFRSDTIMPERIODREFRDCABSDRAMDCABSDTIMPERD前后，頁(yè)面信息會(huì)變?yōu)闊o(wú)效。SDRAM21111bllb，代表緊急刷新?tīng)顟B(tài)，此時(shí)頁(yè)面信息寄存器變無(wú)效，迫使控制器關(guān)閉當(dāng)前的SDRAM頁(yè)面。然后，EMIFSDRAM控制器在DCAB命令后執(zhí)行3次REFR命令，使計(jì)數(shù)器的值減為0，再繼續(xù)完成余下的存取操作。SDRAMCESDRAMEMIFSDCTLINIT1，申請(qǐng)對(duì)SDRAMSDRAMSDRAMDCAB3REFRSDRAMMRS頁(yè)面邊界控制SDRAMSDRAMSDRAMEMIF中已經(jīng)激活的行被立即關(guān)閉，EMIF/重新打開(kāi)之間的命令切換時(shí)間，使接口在存儲(chǔ)器訪問(wèn)的控制過(guò)程中充分利用地址信息。C620XCE1SDRAMC620XCE11SDCTLSDWIDCECESDRAM25623～10。一旦發(fā)現(xiàn)存取訪問(wèn)發(fā)生了頁(yè)面越界，EMIFDCAB訪問(wèn)地址的移位SDRAMEMIFEMIFSDCRLSDWlD另外，對(duì)于SDRAM，因?yàn)檩斎氲刂芬彩强刂菩盘?hào)，因此需要說(shuō)明以下幾點(diǎn)：①RAS有效期間的高位地址信號(hào)會(huì)被EMIF內(nèi)部SDRAM控制器鎖存，以保證執(zhí)行READ和WRT命令時(shí)選通正確的bank;②READ/WRTpre-charge(C620XRTautopre—charge接口時(shí)序的設(shè)計(jì)C620X，EMIFSDRAMSDCTLEMIF53SDCTL23SDRAM況之后，得到的時(shí)序上的一個(gè)裕量。至于tmargin體要求隨不同的系統(tǒng)而異，而且與印制板的實(shí)際布線情況以及負(fù)載的情況密切相關(guān)。IS42S164003.1C6201與IS42S16400的接口實(shí)現(xiàn)IS42S164001664MbSDRAMC6201EMIF322SDRAMDSP16MB11IS42S16400/寫(xiě)使能；CKEQMUDQML0]，雙向數(shù)據(jù)端口。1C620l32EMIFEA[21：2A2，但這并不意味著DSPword(32322～3BExCE[3：0]。在實(shí)際的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中，C6201CLKOUT1200MHzSDRAM100MHz(SDCLK=CLKOUT2=CLKOUT1frequency/2)tcyc=10nsSDRAMCE20x02000000)。06201EMIFSDRAM表4列出了配置SDRAM需要設(shè)置的EMIF寄存器名稱及相應(yīng)的位或位段。EMIF全局控制寄存器中的SDCEN位(位6)設(shè)置為1SDRAM同步時(shí)鐘SDCLK的輸出。EMIFCE2MTYPE6～4011bCE232SDRAMIS42S16400tRC=70nstRp=18nstRCD=18ns，故而EMIFSDRAMTRC15～1219～16RCD23～200001b。INIT241SDRAM25EMIFSDRAMSDWID26EMIFSDRAM16IS42S1640064ms4096PERIOD=trefesh/tcyc,EMIFSDRAMPERIOD11～O0x61A。CCSSDRAMTI公司的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境CCS(CodeComposerStudio)中，IS42S16400SDRAM芯片的配置程序C代碼如下：#include<emif．h>:/*其他用戶程序*//*EMIF*/unsignedintg_ctrl=GET_REG(EMIF_GCTRL)；unsignedintg_ctrl=GET_REG(EMIF_GCTRL)；unsignedintce0_ctrl=GET_REG(EMIF_CE0_CTRL)；unsignedintce1_ctrl=GET_REG(EMIF_CEl_CTRL)；unsignedintce2_ctrl=GET_REG(EMIF_CE2_CTRL)；unsignedintce3_ctrl=GET_REG(EMIF_CE3_CTRL);unsignedintsdram_ctrl=GET_REG(EMIF_SDRAM_CTRLunsignedint_sdram_ref=GET_REG(EMI_SDRAM_RE]/*EMIFSET_BIT(&g_ctrl，SDCEN)；/*設(shè)置CE2為SDRAM空間*/LOAD_FIELD(&ce2_ctrl，MTYPE_32SDRAM，MTYPE,MTYPE_SZ)；/*設(shè)置SDRAM控制寄存器*/LOADFIELD(&sdram_ctrl，6,TRC，TRC_SZ)；LOAD_FIELD(&sdram_ctrl,1,TRP，TRP_SZ);LOAD_FIELD(&sdram_ctrl，l，TRCD,TRCD_SZ)；SET_BIT(&sdrrm_ctrl，SDWID)；SET_BIT(&sdram_ctrl,INIT);SET_BIT(&sdram_ctrl，RFEN);/*設(shè)置SDRAM的刷新周期*/LOAD_FIELD(&sdram_ref,0x61A，PERIOD，PERIOD_SZ)；/*重配置EMIF控制寄存器*/emif_init(