TouchPanel產(chǎn)品開(kāi)發(fā)教育訓(xùn)練課件

TouchPanel產(chǎn)品開(kāi)發(fā)教育訓(xùn)練TouchPanel產(chǎn)品開(kāi)發(fā)教育訓(xùn)練1目錄1.TouchPanel簡(jiǎn)介1.1.電容式TP特點(diǎn)1.8.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（三）1.2.電容式TP工作原理1.9.電容TP產(chǎn)品1.3.電容式TP分類1.20.TP常用術(shù)語(yǔ)1.4.投射電容與表面電容對(duì)比1.21.無(wú)塵室級(jí)別的劃分1.5.自電容與互電容結(jié)構(gòu)1.22.生產(chǎn)線代數(shù)和玻璃尺寸1.5.1.自電容1.23.TP行業(yè)知名廠商（一）1.5.2.互電容1.24.TP行業(yè)知名廠商（二）1.6.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（一）1.7.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（二）

目錄1.TouchPanel簡(jiǎn)介22.TP各站制程簡(jiǎn)介2.1.黃光制程（前制程）2.11.Sputter機(jī)臺(tái)（一）2.2.黃光制程流程2.11.Sputter機(jī)臺(tái)（二）2.2.黃光制程流程（詳解）2.12.WashClean（清洗）2.2.黃光制程流程（細(xì)化）2.13.清洗機(jī)臺(tái)與清洗液2.3.Sputter（濺鍍）2.14.Coating（涂布）2.4.Sputter主要控制參數(shù)2.15.Coating制程控制點(diǎn)2.5.ITOSputter應(yīng)用2.16.Pre-bake（軟烤）2.6.MetalSputter應(yīng)用（一）2.17.軟烤機(jī)臺(tái)與目的2.6.MetalSputter應(yīng)用（二）2.18.Exposure（曝光）

2.7.SiO2Sputter應(yīng)用2.19.曝光技術(shù)解析（一）2.8.Sputter相關(guān)問(wèn)題2.20.曝光技術(shù)解析（二）2.9.Sputter制程管控參數(shù)2.21.曝光機(jī)臺(tái)與光罩2.10.Sputter靶材與機(jī)臺(tái)2.22.Developer（顯影）目錄2.TP各站制程簡(jiǎn)介目錄32.23.顯影機(jī)臺(tái)與流程2.36.涂布異常圖片2.24.Postbake（硬烤）2.37.顯影異常圖片2.25.硬烤機(jī)臺(tái)與作用2.38.ITO蝕刻異常圖片2.26.Etching（蝕刻）2.39.Metal蝕刻異常圖片2.27.蝕刻機(jī)臺(tái)與蝕刻液2.40.其它異常不良圖片2.28.Stripe（剝膜）2.41.可剝膠印刷2.29.剝膜機(jī)臺(tái)與剝膜液2.42.可剝膠印刷制程參數(shù)及異常2.30.Oven（高溫烘烤）2.43.可剝膠印刷流程與作用2.31.高溫烘烤機(jī)臺(tái)2.44.可剝膠制程管控項(xiàng)目

2.32.黃光制程產(chǎn)品（一）2.45.可剝膠機(jī)臺(tái)2.33.黃光制程產(chǎn)品（二）2.46.后段制程2.34.黃光制程化學(xué)用品2.47.切割2.35.黃光制程常見(jiàn)不良2.48.切割成形與機(jī)臺(tái)目錄2.23.顯影機(jī)臺(tái)與流程42.49.清洗2.50.FOG2.51.FOG邦定制程2.52.FOG邦定分解圖2.53.ACF貼附主要參數(shù)及不良2.54.FPC熱壓主要參數(shù)及不良

2.55.FOG相關(guān)材料及機(jī)臺(tái)2.56.OCA貼合工藝流程

2.57.OCA貼合制程（一）2.58.OCA貼合制程（二）2.59.Final（最終）

目錄2.49.清洗目錄51.TP技術(shù)起源

觸控面起源于1970年代美國(guó)軍方用途開(kāi)發(fā),1980年代移轉(zhuǎn)至民間后,

日本開(kāi)始發(fā)展觸控面板2.TP的分類

進(jìn)行觸控技術(shù)依感應(yīng)原理可分為電阻式（Resistive）、電容式（Capacitive）、表面音波式（SurfaceAcousticWave）、光學(xué)式（Optics）和電磁式（Digizer）等幾種.3.電容式TP的發(fā)展歷程

電容式觸控技術(shù)于20多年前誕生，早期由美商3M（明尼蘇達(dá)礦業(yè)制造）公司獨(dú)占整個(gè)電容式觸控面板的國(guó)際市場(chǎng)。在幾年前由于基本專利到期，全球觸控面板的生產(chǎn)業(yè)者紛紛加入開(kāi)發(fā)電容式觸控面板事業(yè)領(lǐng)域中，期待有所發(fā)揮。1.TouchPanel簡(jiǎn)介注：目前我司主要從事電容式觸控面板的開(kāi)發(fā)和制造。1.TP技術(shù)起源1.TouchPanel簡(jiǎn)介注61.1.電容式TP特點(diǎn)

電容式觸控產(chǎn)品具防塵、防火、防刮、強(qiáng)固耐用及具有高分辨率等優(yōu)點(diǎn)，

但也有價(jià)格昂貴、容易因靜電或濕度造成觸控失誤等缺點(diǎn)。1.1.電容式TP特點(diǎn)電容式觸控產(chǎn)品具防塵、防火、防71.2.電容式TP工作原理電容式觸摸屏是利用人體的電流感應(yīng)進(jìn)行工作的。人是接地物(即導(dǎo)電體)，給工作面通一個(gè)很低的電壓，當(dāng)用戶觸摸熒幕時(shí)，手指頭吸收走一個(gè)很小的電流，這個(gè)電流分別從觸控面板四個(gè)角或四條邊上的電極中流出，并且理論上流經(jīng)這四個(gè)電極的電流與手指到四角的距離成比例，控制器通過(guò)對(duì)這四個(gè)電流比例的精密計(jì)算，得出觸摸點(diǎn)的位置。在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓手指接觸觸控屏?xí)r從四個(gè)角落傳到接觸點(diǎn)的微量電流被帶走產(chǎn)生壓降控制器由接觸點(diǎn)壓降程度計(jì)算出X/Y坐標(biāo)位置再傳給計(jì)算機(jī)主機(jī)I1I2I3I41.2.電容式TP工作原理電容式觸摸屏是利用人體的電流感8表面電容式

由一個(gè)普通的ITO層和一個(gè)金屬邊框，當(dāng)一根手指觸摸屏幕時(shí)，從面板中放出電荷。感應(yīng)在觸摸屏的四角完成，不需要復(fù)雜的ITO圖案投射電容式（感應(yīng)電容式）

采用1個(gè)或多個(gè)精心設(shè)計(jì)的、被蝕刻的ITO層，這些ITO層通過(guò)蝕刻形成多個(gè)水平和垂直電極投射電容式根據(jù)不同工作原理又分：自感應(yīng)電容式（自電容）互感應(yīng)電容式（互電容）1.3.電容式TP分類表面電容式1.3.電容式TP分類91.4.投射電容與表面電容對(duì)比1.4.投射電容與表面電容對(duì)比101.5.自電容與互電容結(jié)構(gòu)<軸交錯(cuò)式>自電容以ITOpattern來(lái)看又可分為：1.軸交錯(cuò)式、2.獨(dú)立短陣式兩類，當(dāng)手指Touch時(shí)，手指與電極間會(huì)感應(yīng)成一個(gè)耦合電容，經(jīng)由量測(cè)電容值變化，計(jì)算觸控點(diǎn)坐標(biāo)。

互電容的ITOlayer被制成驅(qū)動(dòng)線路和感測(cè)線路pattern，在線路互相交叉處形成耦合電容節(jié)點(diǎn)，當(dāng)手指Touch時(shí)，會(huì)造成耦合電容值改變，再經(jīng)由控制器測(cè)得觸控點(diǎn)坐標(biāo)。<獨(dú)立矩陣式>1.5.自電容與互電容結(jié)構(gòu)<軸交錯(cuò)式>自電容以ITOp11自電容的觸摸感應(yīng)檢測(cè)方法需要每行和每列都進(jìn)行檢測(cè)行與列之間存在多個(gè)固有的寄生電容(CP)行與列距離越近,寄生電容CP越大自電容行或列感應(yīng)檢測(cè)1.5.1.自電容行行行行列列列列列列ITOPattern自電容的觸摸感應(yīng)檢測(cè)方法需要每行和每列都進(jìn)行檢測(cè)自電容1.5121.5.2.互電容當(dāng)行列交叉通過(guò)時(shí),行列之間會(huì)產(chǎn)生互電容

驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)單元之間形成邊緣電容

行列交叉重疊處會(huì)產(chǎn)生耦合電容

感應(yīng)單元的自感應(yīng)電容依然存在,但不必進(jìn)行測(cè)量互電容感應(yīng)檢測(cè)點(diǎn)行行行行列4-CMCMITOPattern1.5.2.互電容當(dāng)行列交叉通過(guò)時(shí),行列之間會(huì)產(chǎn)生互電容131.6.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（一）1.GG結(jié)構(gòu)：即為CoverGlass（蓋片玻璃）+SensorGlass(感應(yīng)玻璃)構(gòu)成TouchPanel。1.6.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（一）1.GG結(jié)構(gòu)：即為C141.7.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（二）1.7.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（二）151.8.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（三）1.OGS結(jié)構(gòu)：將CoverGlass與SensorGlass合二為一成為一體式電容TP，即為OneGlassSolution（單片玻璃解決方案）1.8.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（三）1.OGS結(jié)構(gòu)：將C161.9.電容TP產(chǎn)品隨著TP的發(fā)展各種各樣的TP產(chǎn)品出現(xiàn)在我們的生活里，你喜歡哪一個(gè)？1.9.電容TP產(chǎn)品隨著TP的發(fā)展各種各樣的TP產(chǎn)品出現(xiàn)17產(chǎn)品結(jié)構(gòu)類其它類CoverGlass：蓋板玻璃Sensor：傳感器IC：集成芯片Substrate：基板PF：保護(hù)膜FPC：可撓性印刷線路板DesignFeasibilityReviewPhase：可行性評(píng)估階段ProtoPhase：規(guī)劃階段EVT：工程驗(yàn)證階段ACF：異方性導(dǎo)電膠OCA：光學(xué)透明膠LOCA/OCR：液態(tài)光學(xué)透明膠ASF：防爆膜Sponge：泡棉D(zhuǎn)VT：設(shè)計(jì)驗(yàn)證階段PVT：試產(chǎn)驗(yàn)證階段MP：量產(chǎn)階段ProcessFlow：制程流程ITOPattern：ITO圖形ITOJumper：ITO跳線/橋線PI：光阻絕緣層Icon：圖標(biāo)MetalTrace：金屬線路Sputter：濺鍍Washclean：清洗Coating：涂布Pre-bake：軟烤MetalJumper：金屬跳線/橋線Passivation：保護(hù)層SilverGlue：銀漿VA：視區(qū)IRHole：紅外孔AA：功能區(qū)Exposure：曝光

Developer：顯影

Postbake：硬烤Etcher：蝕刻

Etcher：蝕刻Stripping：剝膜StackUp：堆疊圖TraceWidth：線路寬度TraceSpace：線路間距ITOBondingPad：ITO邦定區(qū)Oven：高溫烘烤FMAE：失效模式與效應(yīng)分析CP：制程能力指數(shù)CPK：量產(chǎn)規(guī)格限度基本類CS:表面應(yīng)力DOL：強(qiáng)化深度CT：壓縮應(yīng)力、拉深應(yīng)力AG：抗炫AR：抗反射AS：抗污AF：抗指紋

ITO：氧化銦錫BM：黑色材料Metal：金屬（Mo-Al-Mo）SiO2：二氧化硅IM：Nb2O5+SiO2PR：光阻POL：偏光片CF：彩色濾光片LCD/LCM：液晶顯示器、模組Barcode：條形碼Spec：規(guī)格Mask：光罩Mark：靶標(biāo)VMI：目檢ESD：靜電釋放GND：地線Shielding：防護(hù)、屏蔽HardCoatingFilm：硬化涂層TFT：薄膜電晶體Cell：液晶填充制程OD：光學(xué)密度1.20.TP常用術(shù)語(yǔ)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)類其它類CoverGlass：蓋板玻璃181.21.無(wú)塵室級(jí)別的劃分TP的制造對(duì)環(huán)境要求很高，必須在潔凈度很高的無(wú)塵室環(huán)境下進(jìn)行作業(yè)。（美國(guó)聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)NO.209B-1973）

（個(gè)數(shù)/ft3）

注：目前我司TP無(wú)塵室主要為千級(jí)，部分貼合區(qū)域可達(dá)百級(jí)1.21.無(wú)塵室級(jí)別的劃分TP的制造對(duì)環(huán)境要求很高191.22.生產(chǎn)線代數(shù)和玻璃尺寸第1代(1990)

300X400第2代(1993)

360X465

370X470

400X500第3代(1995)

550X650

550X670

600X720

620X750第4代(2000)

680X880

730X920第5代(2002.5)

1000X1200

1100X1250

1100X1300第6代(2003.5)

1500X1800

1500X1850第7代(2004.5)

1870X2200

注：目前我司TP生產(chǎn)線為3代線，玻璃基板尺寸：550x650mm1.22.生產(chǎn)線代數(shù)和玻璃尺寸第1代(1990)201.23.TP行業(yè)知名廠商（一）1.23.TP行業(yè)知名廠商（一）211.24.TP行業(yè)知名廠商（二）1.24.TP行業(yè)知名廠商（二）222.1.黃光制程（前制程）黃光制程：

通過(guò)對(duì)涂覆在玻璃表面的光敏性物質(zhì)(又稱為光刻膠或光阻)，經(jīng)曝光、顯影后留下的部分對(duì)底層起保護(hù)作用，然后進(jìn)行蝕刻并最終獲得永久性的圖形的過(guò)程。

為什么光刻區(qū)采用黃光照明？因?yàn)榘坠庵邪?65nm成份會(huì)使光阻曝光,所以采用黃光，就象洗像的暗房采用暗紅光照明，并且黃光對(duì)人體危害性最小。

2.1.黃光制程（前制程）黃光制程：232.2.黃光制程流程

以上為黃光基本制程，詳細(xì)制程需根據(jù)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來(lái)制定

Oven（高溫烘烤）Exposure（曝光）Pre-bake（軟烤）Coating（涂布）WashClean（清洗）Sputter（濺鍍）Stripe（剝膜）Etching（蝕刻）Postbake（硬烤）Developer（顯影）2.2.黃光制程流程以上為黃光基本制程，詳細(xì)制程需根242.2.黃光制程流程（詳解）鍍膜（Sputter）上光阻（Coater）光罩（Mask）顯影（Developer）顯影液曝光（Exposure）蝕刻（Etch）去光阻（Stripper）

蝕刻液素玻璃剝膜液2.2.黃光制程流程（詳解）鍍膜（Sputter）上光阻252.2.黃光制程流程（細(xì)化）鍍膜、上光阻曝光、顯影蝕刻剝膜2.2.黃光制程流程（細(xì)化）鍍膜、上光阻曝光、顯影262.3.Sputter（濺鍍）濺鍍?cè)恚?/p>

靶材接陰極，基板接正極或接地，導(dǎo)入氬氣,利用低壓氣體（Ar）放電現(xiàn)象:電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基板的過(guò)程中與Ar原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar+和e-，形成等離子體(電漿)。Ar+在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)在基板上沉積成膜。玻璃基板靶材靶材原子被Ar+打出靶材表面而沉積到基板2.3.Sputter（濺鍍）濺鍍?cè)恚翰ＡЩ灏胁?72.4.Sputter主要控制參數(shù)參數(shù)意義設(shè)定范圍參數(shù)名稱加熱玻璃基板一般0~350℃ITO：300℃左右SiO2：110℃左右Metal：70℃左右溫度Temperature1.產(chǎn)生ArPlasma，提供Ar離子撞擊Target，濺射出的Target原子在基板表面沉積。2.提供反應(yīng)氣體,如O2數(shù)10~200Sccm氣體流量ArFlowRate保證穩(wěn)定的Plasma和膜質(zhì)。0.1~？Pa保證穩(wěn)定的膜厚和阻抗。0~？KW制程壓力Pressure靶材功率Power2.4.Sputter主要控制參數(shù)參數(shù)意義設(shè)定范圍參數(shù)282.5.ITOSputter應(yīng)用

在黃光制程中，主要有ITO、Metal、SiO2需要經(jīng)過(guò)Sputter。ITO是一種導(dǎo)電氧化物。中文名稱是氧化銦錫，具有高導(dǎo)電率、高穿透率、高的機(jī)械硬度、良好化學(xué)穩(wěn)定性。因此，它是液晶顯示器（LCD）、觸摸屏（TouchPanel）的透明電極最常用的薄膜材料。ITO特點(diǎn)：透明、導(dǎo)電、穩(wěn)定性好ITO應(yīng)用：1.面電阻（方塊電阻）2.膜厚3.穿透率4.附著力ITOSputter制程管控點(diǎn)：方塊電阻：是指一個(gè)正方形的薄膜導(dǎo)電材料邊到邊“之”間的電阻，方塊電阻有

一個(gè)特性：即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的，不管邊長(zhǎng)是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度及材料的電阻率等因素有關(guān)（方阻越大，膜厚越?。?。2.5.ITOSputter應(yīng)用在黃光制程中292.6.MetalSputter應(yīng)用（一）Metal：mo/AL/mo（鉬/鋁/鉬），鉬的沸點(diǎn)和導(dǎo)電性能突出，線熱膨脹系數(shù)小，易于加工。鉬與大多數(shù)玻璃成分在化學(xué)上是相容的，且不會(huì)由于小量鉬溶解在玻璃熔槽內(nèi)而造成有害的發(fā)色效應(yīng)，所以鉬與玻璃間附著力較好。而鋁的導(dǎo)電性好，但對(duì)玻璃基板的附著力較差，且易氧化腐蝕，所以第一層鉬可以提高與玻璃基板之間的附著力，而最后一層鉬可以防護(hù)鋁被氧化和腐蝕。Metal應(yīng)用1.面電阻（方塊電阻）2.膜厚3.附著力MetalSputter制程管控：2.6.MetalSputter應(yīng)用（一）Metal302.6.MetalSputter應(yīng)用（二）Metal的作用：架橋ITO絕緣材料MetalMetal在TP中的位置2.6.MetalSputter應(yīng)用（二）Met312.7.SiO2Sputter應(yīng)用SiO2膜以其折射率低、透光性好的特性用于光學(xué)零件的表面防護(hù)以及減反射涂層。此外SiO2膜具有良好的絕緣性、穩(wěn)定性和機(jī)械特性，硬度高、結(jié)構(gòu)精細(xì)、膜層牢固、抗磨耐腐蝕、熔點(diǎn)高而用于多層薄膜傳感器的絕緣層。SiO2特點(diǎn)：穿透率高、絕緣、抗磨耐腐蝕SiO2應(yīng)用：1.膜厚2.穿透率3.附著力SiO2Sputter制程管控點(diǎn)：在基層上濺鍍一層SiO2薄膜，利用此膜層保護(hù)其下基層，防止基層上的電路受外界環(huán)境的侵蝕而失去其原始設(shè)計(jì)的功能。SiO2制程目的：2.7.SiO2Sputter應(yīng)用SiO2膜以其折射322.8.Sputter相關(guān)問(wèn)題項(xiàng)目鍍膜效果影響因素基片清洗效果濺射功率濺射氣體純度濺射氣體壓力原因基片清洗不凈，基片上留有的殘余雜質(zhì)或油跡、灰塵，會(huì)在成膜過(guò)程中影響淀積原子與基板之間的結(jié)合力以及原子之間的結(jié)合力。濺射功率增加，使得Ar氣的電離率提高，從而提高濺射速率，這樣基片表面的膜層與基板的粘附能力及膜層致密性都有所提高，并縮短了濺射時(shí)間，提高了膜層質(zhì)理。Ar氣純度不夠；會(huì)在膜層中形成很多缺陷，濺射一定厚度膜層后，膜層明顯疏松，硬度增加。氣壓太低，則不能起輝或起輝不足，轟擊靶材的氬氣離子數(shù)目太少；如氣壓過(guò)高，氬離子與靶材原子的碰撞中，靶材原子損失的動(dòng)能太多，造成淀積到基板上的原子能量低，也影響膜層的附著力和致密性。2.8.Sputter相關(guān)問(wèn)題項(xiàng)目鍍膜效果影響因332.9.Sputter制程管控參數(shù)

目前我廠Sputter生產(chǎn)主要管控的制程參數(shù)：2.9.Sputter制程管控參數(shù)目前我廠Sput342.10.Sputter靶材與機(jī)臺(tái)Sputter機(jī)臺(tái)（廠內(nèi)）靶材靶材靶材2.10.Sputter靶材與機(jī)臺(tái)Sputter機(jī)臺(tái)（35狀態(tài)指示燈緊急停止轉(zhuǎn)移站1LED柔性燈條轉(zhuǎn)移站2裝卸臺(tái)存儲(chǔ)站臺(tái)車2.11.Sputter機(jī)臺(tái)（一）

員工工作區(qū)域：掛片，取片狀態(tài)指示燈緊急停止轉(zhuǎn)移站1LED柔性燈條轉(zhuǎn)移站2裝卸臺(tái)存36渦輪分子泵浦干式泵浦（drypump）低真空載入載出腔體高真空載入載出腔體緩沖腔體制程腔體緩沖腔體回轉(zhuǎn)腔體（粗抽到67Pa左右）(可抽到5*10-3Pa）2.11.Sputter機(jī)臺(tái)（二）渦輪分子泵浦干式泵浦（drypump）低真空載入載出腔體高372.12.WashClean（清洗）清洗：通過(guò)磨刷、脫脂藥液及清水的清洗移除玻璃基板上的污染物、微粒、減少針孔和其他缺陷，以使光阻能在后面的涂布過(guò)程中能夠被更可靠的涂布，提高玻璃與光阻的結(jié)合能力。主要參數(shù)：清洗液濃度(2000-5A,5%),脫脂毛刷壓入量，傳送速度，溫度，噴洗流量，噴洗壓力，AP功率，供氣流量，玻璃表面與純水的接觸角小于8°（接觸角決定清洗后潔凈度）。制程主要不良項(xiàng)目：刮傷，疊片和清洗不干凈。

注：目前我們廠內(nèi)從Sputter之后的黃光段清洗都未使用清洗液，都是使用超純水。2.12.WashClean（清洗）清洗：主要參數(shù)382.13.清洗機(jī)臺(tái)與清洗液（1）2000-5A：主要成分KOH及表面活性劑，主要用于清洗素玻璃和ITO玻璃。其與一般動(dòng)植物油脂的反應(yīng)機(jī)理為皂化反應(yīng)：(RCOO)3C3H5+3KOH→3RCOOK+C3H5(OH)3生成物RCOOK可溶于水。（2）FPD120：主要成分為氨基三乙酸【分子式為N(CH2COOH)3】、有機(jī)羧酸及一些表面活性劑。由于Metal鍍層的活性較高，能被2000-5A清洗液侵蝕，因而清洗Metal玻璃必須使用專用的FPD120清洗劑。清洗機(jī)臺(tái)清洗液相關(guān)知識(shí)2.13.清洗機(jī)臺(tái)與清洗液（1）2000-5A：主要成分K392.14.Coating（涂布）涂布：將光阻涂布在已鍍膜的Glass表面上，利用光阻保護(hù)Glass表面的鍍膜層，光阻在經(jīng)曝光，顯影，蝕刻，產(chǎn)生圖案在Glass上。（光阻是一種感光材料，它的組成：樹(shù)脂、感光劑、溶劑。光阻分為正型光阻和負(fù)型光阻）正型光阻：曝光的部分產(chǎn)生解離反應(yīng)，使感光部分解離成小分子，形成易溶于顯影液的結(jié)構(gòu)。（正型光阻一般用于過(guò)渡性，如在做ITO、Metal時(shí)候，光阻最終被剝除掉，不會(huì)保留在產(chǎn)品上）負(fù)型光阻：曝光的部分產(chǎn)生鏈接反應(yīng)，使感光部分結(jié)構(gòu)加強(qiáng)，形成不溶于顯影液的結(jié)構(gòu)。（負(fù)型光阻因附著力更好，一般用于保留性，如在做BM、PI和保護(hù)層時(shí)，最終會(huì)成為產(chǎn)品本身的一部分而保留下來(lái)）

友情簡(jiǎn)版：快速區(qū)分正負(fù)型光阻--->正型見(jiàn)光死，負(fù)型見(jiàn)光活。2.14.Coating（涂布）涂布：正型光阻：負(fù)型光40

刮刀速度設(shè)定會(huì)因?yàn)闄C(jī)臺(tái)及刮刀壓力而有不同。刮刀速度太慢：降低產(chǎn)能刮刀速度太快：光阻涂布不均

平坦度極差Coater刮刀速度

刮刀壓力設(shè)定會(huì)因?yàn)闄C(jī)臺(tái)及光阻滴下量而有不同。壓力太?。簳?huì)使光阻滴下量太少而造成涂布不均。壓力太高：會(huì)使光阻滴下量太多而造成膜厚太高。

GAP的大小直接影響到膜厚的高低，所以GAP的調(diào)整對(duì)涂布是相當(dāng)重要的一環(huán)。涂布機(jī)印刷方式CoaterGAP調(diào)整Coater刮刀壓力2.15.Coating制程控制點(diǎn)玻璃刮刀光阻GAP刮刀速度設(shè)定會(huì)因?yàn)闄C(jī)臺(tái)及刮刀壓力而有不同。Coater刮412.16.Pre-bake（軟烤）軟烤：將玻璃上光阻層的大部分的溶劑去除，并使光阻由原來(lái)的液態(tài)，經(jīng)過(guò)軟烤之后，而成為固態(tài)的薄膜，以加強(qiáng)光阻層對(duì)玻璃表面的附著能力，軟烤后光阻內(nèi)溶劑降到5~20%左右，厚度也將減少10~20%。主要參數(shù)：烘烤溫度：90~120℃烘烤時(shí)間：1~3min制程主要不良項(xiàng)目：刮傷、玻璃受熱不均，使光阻局部過(guò)烤或烘烤不足，造成后續(xù)的顯影不凈或顯影過(guò)顯（過(guò)度會(huì)造成光阻變脆而粘性降低，對(duì)光敏感性變差；不夠則附著力差溶劑含量高使曝光精準(zhǔn)度變差且顯影對(duì)無(wú)曝光的光阻選擇性降低，導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移不良）2.16.Pre-bake（軟烤）軟烤：主要參數(shù)：制程422.17.軟烤機(jī)臺(tái)與目的軟烤機(jī)臺(tái)1、去除光阻的殘余溶劑。

2、增加光阻的附著力。

3、提高照射區(qū)與非照射區(qū)的顯影速率比。

4、降低光阻的內(nèi)部應(yīng)力,防止光阻劑的龜裂。軟烤的目的：2.17.軟烤機(jī)臺(tái)與目的軟烤機(jī)臺(tái)1、去除光阻的殘余溶劑。43利用光透過(guò)光罩照射光阻劑，使其感光，照射到光的光阻起化學(xué)反應(yīng)，從而將光罩上的圖形清晰、準(zhǔn)確的投影在玻璃基板表面上。（曝光方式有三種：接觸式、接近式和投影式，目前我司采用的曝光方式為接近式。）曝光：1、曝光能量：正型光阻能量越大幅寬越小，量測(cè)線距越大。負(fù)型光祖能量越大幅寬越大，量測(cè)線距越小。2、溫度：Mask溫度23±5℃，熱脹冷縮影響對(duì)位標(biāo)記的距離。機(jī)板溫度：調(diào)整CP（冷卻段）、Stage段的保溫度為23℃。3、GAP值（50~300um）：正型GAP值越大幅寬越小，量測(cè)線距越大。負(fù)型GAP值越大幅寬越大，量測(cè)線距越小。制程主要參數(shù)：曝光偏移、固定光阻殘留異常、過(guò)曝。（

對(duì)于正型光阻，曝光能量越大，幅寬越小，負(fù)型光阻反之。曝光溫度對(duì)基板的影響是當(dāng)溫度異常時(shí)，光罩由于熱脹冷縮，圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基板上時(shí)與規(guī)格值存在差別，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量）制程主要不良項(xiàng)目：2.18.Exposure（曝光）利用光透過(guò)光罩照射光阻劑，使其感光，照射到光的光阻起化學(xué)反應(yīng)44曝光玻璃基板顯影蝕刻/去光阻正光阻負(fù)光阻光阻光罩2.19.曝光技術(shù)解析（一）曝光玻璃基板顯影蝕刻/去光阻正光阻負(fù)光阻光阻光罩2.145接觸式接近式投影式2.20.曝光技術(shù)解析（二）對(duì)比接觸式接近式投影式2.20.曝光技術(shù)解析（二）對(duì)比462.21.曝光機(jī)臺(tái)與光罩Mask類型：乳劑型光罩：菲林FilmMask，干版EmulsionMask。鉻膜型光罩（鉻版）：蘇打玻璃、硼硅玻璃（低膨脹玻璃）、石英玻璃。（我司目前使用的是鉻膜型光罩材質(zhì)是蘇打玻璃）鉻膜型光罩保養(yǎng)：鉻版為硬掩膜版，為防止其變形，需要豎直存放，為保證其表面的潔凈度，一般要保存在1000級(jí)以上的無(wú)塵室內(nèi)，溫度維持21±5℃，濕度50±10RH。Mask（光罩）相關(guān)知識(shí)曝光機(jī)臺(tái)2.21.曝光機(jī)臺(tái)與光罩Mask類型：鉻膜型光罩保養(yǎng)：Ma472.22.Developer（顯影）顯影：將正型光阻中的被曝光的那部分光阻快速溶解于顯影液中(負(fù)型光阻正好與之相反,是未曝光的部分溶于顯影液中),未曝光的那部分光阻溶解速度緩慢，從而通過(guò)控制顯影時(shí)間，可以顯現(xiàn)出光罩上的圖形。我司使用的顯影液：正型光阻所用顯影液為：TMAH（四甲基氫氧化銨），是一種有機(jī)弱堿。負(fù)型光阻所用顯影液為：KOH（氫氧化鉀），是種無(wú)機(jī)堿。主要參數(shù)：顯影傳導(dǎo)速度顯影液電導(dǎo)率顯影溫度顯影噴壓制程主要不良項(xiàng)目：顯影不凈，顯影過(guò)顯，光阻回黏。（顯影液電導(dǎo)度越高，幅寬越小，線距越大，電導(dǎo)度過(guò)高時(shí)會(huì)造成過(guò)顯，電導(dǎo)度過(guò)低會(huì)造成顯影不盡。顯影時(shí)間對(duì)產(chǎn)品的影響是顯影時(shí)間越長(zhǎng)，幅寬越小，線距越大，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)則會(huì)造成過(guò)顯，而且會(huì)影響膜厚）2.22.Developer（顯影）顯影：主要參數(shù)：482.23.顯影機(jī)臺(tái)與流程ISO：隔離區(qū)，防止藥液回濺，并循環(huán)回收藥液。DVP：顯影區(qū)，顯影液與被曝光光阻反應(yīng)。采用的藥洗方式為噴灑式，噴頭來(lái)回?cái)[動(dòng)以防止顯影不均勻。Rinse：循環(huán)水洗，設(shè)置Rinse水刀是使水洗均勻，防止殘留的藥液繼續(xù)和光阻反應(yīng)。BJ：二流體洗凈，主要是利用水包覆氣體，并噴向基板時(shí)因水泡爆裂，使較小的particle因水泡爆裂而震出，利用水汽噴淋。BackBrush：下毛刷，有些Particle水洗不掉，需用毛刷刷凈HP：高壓水洗。FR：最后純水洗。AK：風(fēng)刀，將基板上的水吹干。顯影機(jī)分為顯影段和水洗段：ISO（開(kāi)始）

RinseDVP1BJDVP2BackBrushDVP3HPDVP4FRDVP5（結(jié)束）AK顯影機(jī)臺(tái)顯影流程2.23.顯影機(jī)臺(tái)與流程ISO：隔離區(qū)，防止藥液回濺，并492.24.Postbake（硬烤）除去光阻中剩余的溶劑及水氣，使光阻內(nèi)未溶解的感光化合物和樹(shù)脂間之結(jié)合更緊密，以增加光阻對(duì)熱之穩(wěn)定性及底層物質(zhì)之附著力。使經(jīng)顯影后的正面帶圖形的光阻固化，從而使其圖形穩(wěn)定。對(duì)相同的光阻，硬烤溫度通常會(huì)比軟烤的溫度還要高些。硬烤：1.硬烤溫度：100~130C2.硬烤時(shí)間：1~3min主要參數(shù)：硬烤不充分或過(guò)烤，造成后續(xù)的蝕刻不凈或蝕刻過(guò)蝕。制程主要不良項(xiàng)目：2.24.Postbake（硬烤）除去光阻中剩余的溶劑502.25.硬烤機(jī)臺(tái)與作用1.將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除。2.改進(jìn)光阻蝕刻和離子布植的抵抗力。3.改進(jìn)光阻的附著力。4.聚合作用和穩(wěn)定光阻。5.光阻流動(dòng)填滿針孔。硬烤的作用：文字文字文字硬烤機(jī)臺(tái)文字2.25.硬烤機(jī)臺(tái)與作用1.將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除。硬512.26.

Etching（蝕刻）蝕刻：利用酸性蝕刻液將材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)或者物理撞擊作用，使不需材料移除，將玻璃中未受光阻保護(hù)的那部分ITO（Metal）腐蝕掉，留下所需要的線路和圖形。主要參數(shù)：蝕刻液濃度，蝕刻傳導(dǎo)速度，蝕刻溫度，噴淋壓力。制程主要不良項(xiàng)目：蝕刻不凈，過(guò)蝕，ITO，Metal殘留以及蝕刻異常。2.26.Etching（蝕刻）蝕刻：主要參數(shù)：制522.27.

蝕刻機(jī)臺(tái)與蝕刻液ITO蝕刻液：目前我司ITO所用蝕刻液為王水，其主要成分為：鹽酸（HCl）；硝酸（HNO3）。Metal蝕刻液：Metal蝕刻液要求僅能蝕刻Metal鍍層而不會(huì)腐蝕玻璃上的ITO,現(xiàn)公司使用的蝕刻液為鋁酸（Al）。其主要成分為：磷酸（H3PO4），硝酸（HNO3），冰乙酸（俗稱冰醋酸HAc）。蝕刻機(jī)臺(tái)蝕刻液相關(guān)知識(shí)2.27.蝕刻機(jī)臺(tái)與蝕刻液ITO蝕刻液：Metal蝕532.28.Stripe（剝膜）剝膜：用堿液對(duì)光阻進(jìn)行結(jié)構(gòu)性的破壞，使光阻溶解，以達(dá)到去除光阻的目的，得到設(shè)計(jì)所需圖形。剝膜液：目前我司ITO和Metal使用的剝膜液都是N300。其主要成分為：MEA（單乙醇胺）、BDG（二乙二醇丁醚）。主要參數(shù)：剝膜傳導(dǎo)速度，剝膜液濃度，剝膜溫度，噴灑方式。剝膜不凈，光阻回黏，剝膜藥液殘留。制程主要不良項(xiàng)目：2.28.Stripe（剝膜）剝膜：用堿液對(duì)光阻進(jìn)行結(jié)542.29.剝膜機(jī)臺(tái)與剝膜液N300剝膜液的組成成分主要是MEA（單乙醇胺）+BDG（二乙二醇丁醚），比例為30%MEA+70%BDG。MEA易吸收空氣中的水與CO2（二氧化碳），使其濃度降低，制程管控中主要設(shè)計(jì)管控MEA濃度，以達(dá)到制程需求。在生產(chǎn)運(yùn)行中，高溫度及長(zhǎng)時(shí)間（以控制機(jī)臺(tái)運(yùn)行速度來(lái)控制）的剝離，使剝膜液的利用及剝離效果得到最佳化。剝膜液：文字文字文字文字剝膜機(jī)臺(tái)2.29.剝膜機(jī)臺(tái)與剝膜液N300剝膜液的組成成分主要是M552.30.Oven（高溫烘烤）高溫烘烤：高溫烘烤之目的在于進(jìn)一步去除光阻中的溶劑，高溫烘烤將光阻中的溶劑含量降到最低。使其進(jìn)一步固化，增加光阻附著性，避免后制程光阻脫落。之前我們說(shuō)過(guò)光阻可以分為保留性光阻和過(guò)渡性光阻，只有保留性光阻才需要經(jīng)過(guò)高溫烘烤。（例如負(fù)型光阻因附著力更好，一般用于保留性，如在做BM、PI和保護(hù)層時(shí)，最終會(huì)成為產(chǎn)品本身的一部分而保留下來(lái)）主要參數(shù)：烘烤溫度：200~250℃烘烤時(shí)間：30~40min高溫烘烤不充分或過(guò)烤（如果烘烤不夠，則光阻的附著力會(huì)不夠膜厚變大，過(guò)烤則會(huì)產(chǎn)生色差膜厚變?。┲瞥讨饕涣柬?xiàng)目：2.30.Oven（高溫烘烤）高溫烘烤：高溫烘烤之目的在562.31.高溫烘烤機(jī)臺(tái)高溫烘烤使用的機(jī)臺(tái)是IR隧道爐，此機(jī)臺(tái)是為了將玻璃基板上的涂布劑，進(jìn)行干燥及硬化處理,將玻璃基板放在Cassette內(nèi)，利用熱風(fēng)干燥玻璃，采用內(nèi)循環(huán)對(duì)流運(yùn)風(fēng)式設(shè)計(jì)，可獨(dú)立分組調(diào)節(jié)各段溫度及虛幻運(yùn)風(fēng)，使?fàn)t內(nèi)溫度均勻穩(wěn)定。IR隧道爐：文字文字文字高溫烘烤機(jī)臺(tái)（IR隧道爐）文字2.31.高溫烘烤機(jī)臺(tái)高溫烘烤使用的機(jī)臺(tái)是IR隧道爐，此572.32.黃光制程產(chǎn)品（一）

經(jīng)過(guò)黃光制程最終做出如下產(chǎn)品結(jié)構(gòu)（未包含MetalTrace與BondingPAD）ITOPattern玻璃MetalBridge（架橋）灰色部分PI（絕緣）黑色部分2.32.黃光制程產(chǎn)品（一）經(jīng)過(guò)黃光制程最終做出如下582.33.黃光制程產(chǎn)品（二）STEP3文字文字經(jīng)過(guò)黃光制程最終達(dá)到所需的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)STEP2文字文字STEP1文字文字2.33.黃光制程產(chǎn)品（二）STEP3經(jīng)過(guò)黃光制程最終達(dá)592.34.黃光制程化學(xué)用品2.34.黃光制程化學(xué)用品602.35.黃光制程常見(jiàn)不良涂布不良：1.涂布針孔2.箭影3.氣泡4.刮傷5.臟污6.光阻回濺…顯影不良：1.顯影不凈2.過(guò)顯3.刮傷4.臟污5.藥液殘留6.光阻脫落7.顯影圈8.凹點(diǎn)……蝕刻不良：1.ITO&Metal殘留/過(guò)蝕2.臟污3.刮傷……剝膜不良：1.剝膜不凈b.臟污3.刮傷4.藥液殘留……其它不良：1.

MO脫落2.SiO2脫落3.靜電擊傷4.線阻偏差……2.35.黃光制程常見(jiàn)不良涂布不良：1.涂布針孔2612.36.涂布異常圖片1.涂布針孔（部分因臟污、光阻粘度、涂布機(jī)臺(tái)異常等所導(dǎo)致，目視為白色亮點(diǎn)）2.涂布?xì)馀荩ú糠忠蚺K污、光阻粘度、涂布機(jī)臺(tái)異常等所導(dǎo)致，目視為白色亮點(diǎn)）2.36.涂布異常圖片1.涂布針孔（部分因臟污、光阻粘623.涂布臟污（部分因來(lái)料臟污、未清洗干凈、機(jī)臺(tái)臟污等所導(dǎo)致）4.涂布箭影（部分因玻璃上粘有有機(jī)物、涂布機(jī)臺(tái)異常、光阻粘度、風(fēng)刀水未吹干等所導(dǎo)致）3.涂布臟污（部分因來(lái)料臟污、未清洗干凈、機(jī)臺(tái)臟污等所導(dǎo)致）632.37.顯影異常圖片1.顯影不凈（部分因軟烤溫度、時(shí)間、曝光能量、顯影速度等所導(dǎo)致,出現(xiàn)為顯影后,

目視白色條狀,2D為彩色物質(zhì)）2.藥液殘留（在顯影、剝膜清洗后留下的藥液殘留）2.37.顯影異常圖片1.顯影不凈（部分因軟烤溫度、時(shí)643.Metal線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟污等其他物質(zhì)所導(dǎo)致）4.光阻脫落（部分因軟烤溫度、曝光能量、顯影速度等所導(dǎo)致，出現(xiàn)為顯影后，目視黑色點(diǎn)狀，如脫落不嚴(yán)重目視無(wú)法識(shí)別）3.Metal線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟656.頂傷（因機(jī)臺(tái)及導(dǎo)輪毛刺等所導(dǎo)致。出現(xiàn)在每道制程，目視為白色亮點(diǎn)、

2D下成臟污狀且透有彩色）

5.光阻刮傷（因機(jī)臺(tái)及導(dǎo)輪毛刺等所導(dǎo)致。出現(xiàn)在每道制程，強(qiáng)光下目視為白色條、點(diǎn)狀）6.頂傷（因機(jī)臺(tái)及導(dǎo)輪毛刺等所導(dǎo)致。出現(xiàn)在每道制程，目視為白667.顯影圈（部分因顯影速度及電導(dǎo)率等所導(dǎo)致，出現(xiàn)在顯影后，目視為小白點(diǎn)、較小且密集）8.鋸齒（部分因軟烤溫度、曝光能量、顯影速度等所導(dǎo)致，出現(xiàn)在顯影后，目視鋸齒狀/外觀”老鼠咬”）7.顯影圈（部分因顯影速度及電導(dǎo)率等所導(dǎo)致，出現(xiàn)在顯影后，679.凹點(diǎn)（大部分是因臟污或其它物質(zhì)導(dǎo)致光阻無(wú)法被顯影干凈，一般出現(xiàn)在TOPOC制程，目視為亮點(diǎn)）10.藥液殘留（部分是因風(fēng)刀未吹干及藥液回粘水洗不掉，出現(xiàn)在每道制程，目視背光為白色、未烤前大部分可擦拭）9.凹點(diǎn)（大部分是因臟污或其它物質(zhì)導(dǎo)致光阻無(wú)法被顯影干凈，682.38.ITO蝕刻異常圖片1.ITO蝕刻不凈/ITO殘留（一般因光阻殘留、蝕刻速度及藥液濃度、光阻回濺等導(dǎo)致蝕刻不凈嚴(yán)重的強(qiáng)光下目視為白霧狀，白光下不明顯，通常借助于2D或萬(wàn)用表）2.ITO被蝕（一般因涂布異常、蝕刻速度等所導(dǎo)致、光阻被刮傷等目視對(duì)光可見(jiàn),背光不可見(jiàn)）2.38.ITO蝕刻異常圖片1.ITO蝕刻不凈/ITO692.39.Metal蝕刻異常圖片2.Metal被蝕（大部分是因涂布異常、蝕刻速度、光阻被刮傷、曝光、顯影等）1.Metal蝕刻不凈/Metal殘留（大部分是因光阻殘留、蝕刻速度、藥液濃度等，目視反光且不透光）2.39.Metal蝕刻異常圖片2.Metal被蝕（大部702.40.其它異常不良圖片2.Metal刮傷（大部分因機(jī)臺(tái)異常、作業(yè)手法等所導(dǎo)致。目視為白色點(diǎn)線狀，背光明顯）1.ITO刮傷/表面刮傷（大部分因機(jī)臺(tái)異常、作業(yè)手法等所導(dǎo)致。目視為白色點(diǎn)線狀，背光明顯）2.40.其它異常不良圖片2.Metal刮傷（大部分因機(jī)713.靜電擊傷（最常出現(xiàn)在涂布、曝光、軟硬烤段，目視為白色點(diǎn)狀，強(qiáng)光下可見(jiàn)）4.

SiO2氣泡（一般出現(xiàn)在TOPOC顯影后、來(lái)料，目視為白色亮點(diǎn)）3.靜電擊傷（最常出現(xiàn)在涂布、曝光、軟硬烤段，目視為白色點(diǎn)狀726.ITO線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟污等其他物質(zhì)所導(dǎo)致）5.MO脫落（部分因存放環(huán)境、目視泛白且半透光）6.ITO線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟污等其737.臟污8.偏移（主要出現(xiàn)在曝光光罩偏位及耙標(biāo)異常所導(dǎo)致）Metal偏移TOPOC偏移Metal偏移7.臟污8.偏移（主要出現(xiàn)在曝光光罩偏位及耙標(biāo)異常所導(dǎo)致749.Metal氧化（部分因存放環(huán)境、目視泛白且半透光）10.PI異常（Metal蝕刻剝膜時(shí)藥液滲透）9.Metal氧化（部分因存放環(huán)境、目視泛白且半透光）10.752.41.可剝膠印刷可剝膠印刷介于前段黃光制程和后段白光制程之間，在黃光制程中鍍SiO2時(shí)會(huì)用到可剝膠印刷，而在產(chǎn)品做完黃光制程后進(jìn)入后段制程前也會(huì)做可剝膠印刷?？蓜兡z印刷作業(yè)原理：

先將玻璃基板置放在作業(yè)平臺(tái)上再利用網(wǎng)板印刷方式對(duì)玻璃基板作網(wǎng)印涂布作業(yè)，將需要保護(hù)的地方用可剝膠保護(hù)起來(lái)。刮印刀回墨刀回墨方向刮印方向玻璃臺(tái)面網(wǎng)板可剝膠2.41.可剝膠印刷可剝膠印刷介于前段黃光制程和后段白762.42.可剝膠印刷制程參數(shù)及異常刮印刀下壓量，玻璃與網(wǎng)版的間距，刮印的速度，以及后面烘烤的時(shí)間。印刷破片：刮刀下壓量太大，人為破片印刷破洞：網(wǎng)版網(wǎng)塞對(duì)位異常：

靠PIN松脫，網(wǎng)版變形可剝膠殘留：刮刀下壓量，網(wǎng)版可剝膠印刷位置偏移：人為原因，機(jī)臺(tái)對(duì)位異常可剝膠遺膠：粘度偏小，網(wǎng)版網(wǎng)孔偏大制程主要異常及原因制程主要參數(shù)2.42.可剝膠印刷制程參數(shù)及異常刮印刀下壓量，印刷破片：772.43.可剝膠印刷流程與作用B面可剝膠印刷作用：在SIO2濺渡之前將需預(yù)留Bonding區(qū)域保護(hù)起來(lái)，避免被濺渡到。A面可剝膠印刷作用：需將產(chǎn)品可視區(qū)全部印刷保護(hù)起來(lái)，防止在切割磨邊時(shí)造成刮傷，劃傷。B面SIO2濺鍍A面可剝膠印刷ICT測(cè)試B面可剝膠撕膜B面可剝膠印刷可剝膠作用可剝膠印刷流程2.43.可剝膠印刷流程與作用B面可剝膠印刷作用：A面78制程管控項(xiàng)目網(wǎng)板GAP值5±1mm抬板高度10±5mm回墨刀壓入量40±5mm刮印刀壓入量22±5mm刮刀速度1.5±0.5網(wǎng)板GAP值是網(wǎng)板和印刷臺(tái)面之間距離抬板高度的設(shè)定是防止印刷時(shí)基板出現(xiàn)粘板現(xiàn)象回墨刀壓入量是根據(jù)回墨效果而調(diào)整，一般設(shè)定值不宜太大，防止壓壞網(wǎng)板刮刀壓入量是根據(jù)產(chǎn)品印刷效果而調(diào)整刮刀速度對(duì)機(jī)臺(tái)Tacttime及產(chǎn)品印刷質(zhì)量有一定影響定位精度200um目前是手動(dòng)靠PIN對(duì)位，對(duì)位精度大概在400um左右2.44.可剝膠制程管控項(xiàng)目制程管控項(xiàng)目網(wǎng)板GAP值5±1mm抬板高度10±5mm回墨刀792.45.可剝膠機(jī)臺(tái)可剝膠成形效果文字文字文字可剝膠印刷機(jī)臺(tái)文字文字文字2.45.可剝膠機(jī)臺(tái)可剝膠成形效果文字文字文字可剝膠印刷機(jī)802.46.后段制程切割清洗FOGBondingTestOCA貼合包裝出貨成品覆膜FianlTest加壓脫泡CG貼合玻璃基板經(jīng)過(guò)了前面的黃光制程后，上面已經(jīng)形成了金屬線路和圖案，而后大版的玻璃經(jīng)過(guò)切割成小片，邦定（Bonding）FPC，貼合CG，終測(cè)直至到最后的包裝出貨。以下流程為基本流程，詳細(xì)流程以實(shí)際作業(yè)及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為準(zhǔn)2.46.后段制程切割清洗FOGBondingOCA貼合包812.47.切割切割切割目的通過(guò)刀輪切割，將做好黃光制程的550x650mm的玻璃基板切割成所需的小片，再流至下一道制程。主要參數(shù)切割深度、切割速度、切割壓力。制程主要不良破片、刮傷蹦邊、蹦角、延伸性裂痕。2.47.切割切割切割目的通過(guò)刀輪切割，將做好黃光制程的5822.48.切割成形與機(jī)臺(tái)切割機(jī)臺(tái)

切割前

切割成單片2.48.切割成形與機(jī)臺(tái)切割機(jī)臺(tái)切割前切割成單片832.49.清洗在后段使用的超聲波清洗機(jī)，其原理是：超聲波作用于液體中時(shí)，液體中每個(gè)氣泡的破裂會(huì)產(chǎn)生能量極大的沖擊波，相當(dāng)于瞬間產(chǎn)生幾百度的高溫和高達(dá)上千個(gè)大氣壓的無(wú)數(shù)微小氣泡隨時(shí)爆破，這種現(xiàn)象被稱之為“空化效應(yīng)”,超聲波清洗正是應(yīng)用液體中氣泡破裂所產(chǎn)生的沖擊波來(lái)達(dá)到清洗和沖刷產(chǎn)品內(nèi)外表面的作用。超聲波清洗超音波的頻率，溫度設(shè)定時(shí)間，水流量計(jì)，壓縮氣壓。制程主要參數(shù)及機(jī)臺(tái)2.49.清洗在后段使用的超聲波清洗機(jī)，其原理是：超聲波84FPC與Sensor進(jìn)行對(duì)位貼合，對(duì)ACF進(jìn)行加溫、加壓，使ACF內(nèi)的導(dǎo)電離子爆破形成通路FPC正面熱壓正面FPC邦定好了之后，將ACF貼附在Sensor反面Shielding處反面ACF貼附因?yàn)槭窃赟ensor反面貼附，F(xiàn)PC需要彎折，需先將FPC進(jìn)行假壓彎折一下，然在進(jìn)行熱壓反面FPC假壓和正面貼附一樣，F(xiàn)PC與Sensor進(jìn)行貼合，對(duì)ACF進(jìn)行加溫、加壓FPC反面熱壓將ACF貼附在Sensor的金屬Pin腳位置上正面ACF貼附FOG段制作流程FOG段主要功能是實(shí)現(xiàn)Sensor和FPC的良好穩(wěn)定的電連接2.50.FOGFPC與Sensor進(jìn)行對(duì)位貼合，對(duì)ACF進(jìn)行加溫、加壓，使852.51.FOG邦定制程SensorGlassACF貼附FPC熱壓IC2.51.FOG邦定制程SensorGlassACF862.52.FOG邦定分解圖

注：需要正反兩面綁定FPC一般為GG結(jié)構(gòu)，而如果為OGS結(jié)構(gòu)話，F(xiàn)PC只需綁定一面。2.52.FOG邦定分解圖注：需要正反兩面綁定FPC872.53.ACF貼附主要參數(shù)及不良主要參數(shù)3.貼合時(shí)間：時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，影響工時(shí)，時(shí)間過(guò)短，易造成溫度壓力參數(shù)的控制不穩(wěn)定，從而影響貼合效果。主要參數(shù)1.貼合溫度：溫度太低,膠軟化程度不夠,導(dǎo)致與FPC附著力不夠,ACF卷起貼合、貼合氣泡和ACF缺等不良.溫度太高,影響ACF反應(yīng)率和Bonding區(qū)域ACF厚度和上下附著力。

主要參數(shù)2.貼合壓力：壓力太大，BONDING區(qū)域ACF厚度和導(dǎo)電粒子狀況。壓力太小，影響附著程度，易造成氣泡。不良項(xiàng)目

崩邊、蹦角

臟污、偏移

氣泡、褶皺2.53.ACF貼附主要參數(shù)及不良主要參數(shù)3.貼合時(shí)間：主882.54.FPC熱壓主要參數(shù)及不良主要參數(shù)熱壓溫度：目前我司熱壓溫度控制范圍(180~220）。溫度太高，固化過(guò)快，影響導(dǎo)電粒子壓合狀況，且容易產(chǎn)生電極間隙氣泡。溫度太低，環(huán)化度不高，影響產(chǎn)品可靠性，容易產(chǎn)生小氣泡。熱壓壓力：目前我司壓力控制在（0.5~1.5MP）的范圍內(nèi)。熱壓壓力主要與導(dǎo)通性相關(guān)，壓力太大，導(dǎo)電粒子被壓碎，導(dǎo)通不良，壓力太小，導(dǎo)電粒子壓不開(kāi)，無(wú)法導(dǎo)通。主要參數(shù)熱壓時(shí)間：熱壓時(shí)間主要影響產(chǎn)能和可靠性問(wèn)題，目前我司熱壓時(shí)間主要控制在8~10S左右。主要參數(shù)崩邊、蹦角臟污、偏移不良項(xiàng)目2.54.FPC熱壓主要參數(shù)及不良主要參數(shù)熱壓溫度：892.55.FOG相關(guān)材料及機(jī)臺(tái)FPCFPC是可撓性印刷電路板它具有輕、薄、短、小的特點(diǎn)，以聚脂薄膜或聚酰亞胺為基材，通過(guò)蝕刻在銅箔上形成線路而制成的一種具有高度可靠性，絕佳撓曲性的印刷電路。ACFACF是一種同時(shí)具有接著、導(dǎo)電、絕緣三特性之半透明高分子接續(xù)材料，其特性乃在膜厚方向具有導(dǎo)電性。但在面方向則不具有導(dǎo)電性。（即垂直方向上導(dǎo)通，水平方向上絕緣，因此稱為「異方性」）

ACF機(jī)臺(tái)熱壓機(jī)臺(tái)2.55.FOG相關(guān)材料及機(jī)臺(tái)FPCFPC是可撓性ACF902.56.OCA貼合工藝流程貼合制程OCA貼合（Sensor與OCA貼合）CG貼合（Sensor+OCA與CG貼合）脫泡（貼合后進(jìn)行脫泡處理）FT測(cè)試（貼合后的最終電性測(cè)試）成品覆膜（出貨前成品保護(hù)膜貼附）經(jīng)過(guò)FPCBonding功能測(cè)試后，檢測(cè)出FPC綁定良品后即進(jìn)入貼合制程2.56.OCA貼合工藝流程貼合制程OCA貼合（912.57.OCA貼合制程（一）Sensor+FPCOCA與Sensor貼合CG與Sensor貼合2.57.OCA貼合制程（一）Sensor+FPCOCA922.58.OCA貼合制程（二）脫泡CG和Sensor貼合后進(jìn)行脫泡，脫泡爐為一密閉空間，對(duì)脫泡爐中進(jìn)行氣體不斷灌入，同時(shí)在脫泡爐中進(jìn)行加熱，使OCA軟化。CG與ITOGlass貼合后的氣泡與脫泡爐中的氣體形成一氣壓差，在強(qiáng)大的氣壓差下將OCA的氣泡擠出。FT測(cè)試FT是FinalTest的簡(jiǎn)寫，也稱為最終測(cè)試，是產(chǎn)品出貨前最后一次功能電性測(cè)試，主要是檢測(cè)產(chǎn)品經(jīng)過(guò)層層制程后，產(chǎn)品的電性功能是否符合和滿足設(shè)計(jì)要求以及客戶需求（FT測(cè)試使用的是電測(cè)治具，每一個(gè)機(jī)種使用的是不同的程式和治具來(lái)測(cè)試的）。覆膜在產(chǎn)品正反兩面各覆上一層保護(hù)膜，其目的是防止Particle等異物掉落在產(chǎn)品上造成臟污；以及在運(yùn)輸過(guò)程中防止產(chǎn)品表面被刮傷等不良2.58.OCA貼合制程（二）脫泡CG和Sensor貼合932.59.Final（最終）最后經(jīng)過(guò)包裝，我們的產(chǎn)品就可以出貨了，到了終端經(jīng)過(guò)組裝一部精美的手機(jī)就面世了，而這其中有每一個(gè)人的付出和努力。2.59.Final（最終）最后經(jīng)過(guò)包裝，我們的產(chǎn)品就可以94千里之行，始于足下！千里之行，始于足下！95TouchPanel產(chǎn)品開(kāi)發(fā)教育訓(xùn)練TouchPanel產(chǎn)品開(kāi)發(fā)教育訓(xùn)練96目錄1.TouchPanel簡(jiǎn)介1.1.電容式TP特點(diǎn)1.8.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（三）1.2.電容式TP工作原理1.9.電容TP產(chǎn)品1.3.電容式TP分類1.20.TP常用術(shù)語(yǔ)1.4.投射電容與表面電容對(duì)比1.21.無(wú)塵室級(jí)別的劃分1.5.自電容與互電容結(jié)構(gòu)1.22.生產(chǎn)線代數(shù)和玻璃尺寸1.5.1.自電容1.23.TP行業(yè)知名廠商（一）1.5.2.互電容1.24.TP行業(yè)知名廠商（二）1.6.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（一）1.7.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（二）

目錄1.TouchPanel簡(jiǎn)介972.TP各站制程簡(jiǎn)介2.1.黃光制程（前制程）2.11.Sputter機(jī)臺(tái)（一）2.2.黃光制程流程2.11.Sputter機(jī)臺(tái)（二）2.2.黃光制程流程（詳解）2.12.WashClean（清洗）2.2.黃光制程流程（細(xì)化）2.13.清洗機(jī)臺(tái)與清洗液2.3.Sputter（濺鍍）2.14.Coating（涂布）2.4.Sputter主要控制參數(shù)2.15.Coating制程控制點(diǎn)2.5.ITOSputter應(yīng)用2.16.Pre-bake（軟烤）2.6.MetalSputter應(yīng)用（一）2.17.軟烤機(jī)臺(tái)與目的2.6.MetalSputter應(yīng)用（二）2.18.Exposure（曝光）

2.7.SiO2Sputter應(yīng)用2.19.曝光技術(shù)解析（一）2.8.Sputter相關(guān)問(wèn)題2.20.曝光技術(shù)解析（二）2.9.Sputter制程管控參數(shù)2.21.曝光機(jī)臺(tái)與光罩2.10.Sputter靶材與機(jī)臺(tái)2.22.Developer（顯影）目錄2.TP各站制程簡(jiǎn)介目錄982.23.顯影機(jī)臺(tái)與流程2.36.涂布異常圖片2.24.Postbake（硬烤）2.37.顯影異常圖片2.25.硬烤機(jī)臺(tái)與作用2.38.ITO蝕刻異常圖片2.26.Etching（蝕刻）2.39.Metal蝕刻異常圖片2.27.蝕刻機(jī)臺(tái)與蝕刻液2.40.其它異常不良圖片2.28.Stripe（剝膜）2.41.可剝膠印刷2.29.剝膜機(jī)臺(tái)與剝膜液2.42.可剝膠印刷制程參數(shù)及異常2.30.Oven（高溫烘烤）2.43.可剝膠印刷流程與作用2.31.高溫烘烤機(jī)臺(tái)2.44.可剝膠制程管控項(xiàng)目

2.32.黃光制程產(chǎn)品（一）2.45.可剝膠機(jī)臺(tái)2.33.黃光制程產(chǎn)品（二）2.46.后段制程2.34.黃光制程化學(xué)用品2.47.切割2.35.黃光制程常見(jiàn)不良2.48.切割成形與機(jī)臺(tái)目錄2.23.顯影機(jī)臺(tái)與流程992.49.清洗2.50.FOG2.51.FOG邦定制程2.52.FOG邦定分解圖2.53.ACF貼附主要參數(shù)及不良2.54.FPC熱壓主要參數(shù)及不良

2.55.FOG相關(guān)材料及機(jī)臺(tái)2.56.OCA貼合工藝流程

2.57.OCA貼合制程（一）2.58.OCA貼合制程（二）2.59.Final（最終）

目錄2.49.清洗目錄1001.TP技術(shù)起源

觸控面起源于1970年代美國(guó)軍方用途開(kāi)發(fā),1980年代移轉(zhuǎn)至民間后,

日本開(kāi)始發(fā)展觸控面板2.TP的分類

進(jìn)行觸控技術(shù)依感應(yīng)原理可分為電阻式（Resistive）、電容式（Capacitive）、表面音波式（SurfaceAcousticWave）、光學(xué)式（Optics）和電磁式（Digizer）等幾種.3.電容式TP的發(fā)展歷程

電容式觸控技術(shù)于20多年前誕生，早期由美商3M（明尼蘇達(dá)礦業(yè)制造）公司獨(dú)占整個(gè)電容式觸控面板的國(guó)際市場(chǎng)。在幾年前由于基本專利到期，全球觸控面板的生產(chǎn)業(yè)者紛紛加入開(kāi)發(fā)電容式觸控面板事業(yè)領(lǐng)域中，期待有所發(fā)揮。1.TouchPanel簡(jiǎn)介注：目前我司主要從事電容式觸控面板的開(kāi)發(fā)和制造。1.TP技術(shù)起源1.TouchPanel簡(jiǎn)介注1011.1.電容式TP特點(diǎn)

電容式觸控產(chǎn)品具防塵、防火、防刮、強(qiáng)固耐用及具有高分辨率等優(yōu)點(diǎn)，

但也有價(jià)格昂貴、容易因靜電或濕度造成觸控失誤等缺點(diǎn)。1.1.電容式TP特點(diǎn)電容式觸控產(chǎn)品具防塵、防火、防1021.2.電容式TP工作原理電容式觸摸屏是利用人體的電流感應(yīng)進(jìn)行工作的。人是接地物(即導(dǎo)電體)，給工作面通一個(gè)很低的電壓，當(dāng)用戶觸摸熒幕時(shí)，手指頭吸收走一個(gè)很小的電流，這個(gè)電流分別從觸控面板四個(gè)角或四條邊上的電極中流出，并且理論上流經(jīng)這四個(gè)電極的電流與手指到四角的距離成比例，控制器通過(guò)對(duì)這四個(gè)電流比例的精密計(jì)算，得出觸摸點(diǎn)的位置。在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓手指接觸觸控屏?xí)r從四個(gè)角落傳到接觸點(diǎn)的微量電流被帶走產(chǎn)生壓降控制器由接觸點(diǎn)壓降程度計(jì)算出X/Y坐標(biāo)位置再傳給計(jì)算機(jī)主機(jī)I1I2I3I41.2.電容式TP工作原理電容式觸摸屏是利用人體的電流感103表面電容式

由一個(gè)普通的ITO層和一個(gè)金屬邊框，當(dāng)一根手指觸摸屏幕時(shí)，從面板中放出電荷。感應(yīng)在觸摸屏的四角完成，不需要復(fù)雜的ITO圖案投射電容式（感應(yīng)電容式）

采用1個(gè)或多個(gè)精心設(shè)計(jì)的、被蝕刻的ITO層，這些ITO層通過(guò)蝕刻形成多個(gè)水平和垂直電極投射電容式根據(jù)不同工作原理又分：自感應(yīng)電容式（自電容）互感應(yīng)電容式（互電容）1.3.電容式TP分類表面電容式1.3.電容式TP分類1041.4.投射電容與表面電容對(duì)比1.4.投射電容與表面電容對(duì)比1051.5.自電容與互電容結(jié)構(gòu)<軸交錯(cuò)式>自電容以ITOpattern來(lái)看又可分為：1.軸交錯(cuò)式、2.獨(dú)立短陣式兩類，當(dāng)手指Touch時(shí)，手指與電極間會(huì)感應(yīng)成一個(gè)耦合電容，經(jīng)由量測(cè)電容值變化，計(jì)算觸控點(diǎn)坐標(biāo)。

互電容的ITOlayer被制成驅(qū)動(dòng)線路和感測(cè)線路pattern，在線路互相交叉處形成耦合電容節(jié)點(diǎn)，當(dāng)手指Touch時(shí)，會(huì)造成耦合電容值改變，再經(jīng)由控制器測(cè)得觸控點(diǎn)坐標(biāo)。<獨(dú)立矩陣式>1.5.自電容與互電容結(jié)構(gòu)<軸交錯(cuò)式>自電容以ITOp106自電容的觸摸感應(yīng)檢測(cè)方法需要每行和每列都進(jìn)行檢測(cè)行與列之間存在多個(gè)固有的寄生電容(CP)行與列距離越近,寄生電容CP越大自電容行或列感應(yīng)檢測(cè)1.5.1.自電容行行行行列列列列列列ITOPattern自電容的觸摸感應(yīng)檢測(cè)方法需要每行和每列都進(jìn)行檢測(cè)自電容1.51071.5.2.互電容當(dāng)行列交叉通過(guò)時(shí),行列之間會(huì)產(chǎn)生互電容

驅(qū)動(dòng)和感應(yīng)單元之間形成邊緣電容

行列交叉重疊處會(huì)產(chǎn)生耦合電容

感應(yīng)單元的自感應(yīng)電容依然存在,但不必進(jìn)行測(cè)量互電容感應(yīng)檢測(cè)點(diǎn)行行行行列4-CMCMITOPattern1.5.2.互電容當(dāng)行列交叉通過(guò)時(shí),行列之間會(huì)產(chǎn)生互電容1081.6.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（一）1.GG結(jié)構(gòu)：即為CoverGlass（蓋片玻璃）+SensorGlass(感應(yīng)玻璃)構(gòu)成TouchPanel。1.6.電容TP產(chǎn)品基本結(jié)構(gòu)（一）1.GG結(jié)構(gòu)：即為C1091.7.電容TP產(chǎn)品基