A110D溫度濕度偏壓加速

A110D高加速溫度和濕度壓力測試（HAST）（jcb-08-92和jcb-10-62,jc-14.1組織認定）1范圍加速播放溫度和濕度進行應(yīng)力測試的目的是評估非氣密性封裝固態(tài)設(shè)備在潮濕的環(huán)境中的可靠性。它使用加嚴的環(huán)境溫度、濕度、偏壓來通過外部防護材料（塑封劑或密封）或沿著外部防護和金屬導體接口界面加速水分的滲透。應(yīng)力通常激活如“85/85”穩(wěn)態(tài)濕度壽命試驗一樣的失效機理。2裝置測試需要一個壓力室維護指定的溫度和相對濕度的能力不斷，而為被測設(shè)備提供電氣連接在一個規(guī)定的偏壓配置2.1控制條件從規(guī)定的測試條件緩上和緩降過渡期間，腔體必須能夠提供壓力，溫度和相對的濕度的受控條件。校準記錄應(yīng)驗證設(shè)備避免冷凝水滴在受測元件上，在過渡和斜降測試期間（dut）溫度高于50OC，最大熱質(zhì)量負載和最?。?）功耗。校準記錄應(yīng)驗證，對穩(wěn)態(tài)條件和最大熱質(zhì)量負載,測試條件都保持在3.1中指定的公差。2.2溫度曲線一個永久的記錄為每個測試周期建議溫度曲線,這樣的有效性壓力可以得到證實。2.3被測的元件被測的元件必須放置盡量減少溫度梯度。被測的元件離內(nèi)部腔表面不得小于3厘米。，不得從加熱器直接輻射加熱。在蒸汽循環(huán)中元件的電路板應(yīng)定在最小干擾處。2.4釋放污染最小化護理必須行使電路板和插座材料的選擇，盡量減少污染的釋放和最小化由于腐蝕和其他失效機理引起的降級2.5離子污染應(yīng)當避免測試儀器（卡籠、測試板、套接字、連接存儲容器，等等）的離子污染對測試元件影響。2.6去離子水去離子的水電阻率應(yīng)當使用在室溫下最低1兆歐厘米。3測試條件測試條件包括溫度、相對濕度和持續(xù)時間與一個電子配置特定于設(shè)備的偏見。3.1溫度、相對濕度和持續(xù)時間溫度（干球°C）干度相對濕度（％）溫度（濕球°C）蒸汽壓（psia/kPa）持續(xù)時間（小時）130±285±5124.733.3/23096（-0，+2110±285±5105.217.7/122264（-0，+2）注1公差適用于整個可用的測試區(qū)域。注2僅供信息。注意3測試條件不斷除了應(yīng)用在任何臨時讀數(shù)。注意4臨時讀數(shù),設(shè)備應(yīng)該返回4.5中指定的時間內(nèi)壓力。注5部分，達到吸收平衡在24小時或更少，使測試至少相當于1000小時在85oC/85%RH。零件需要超過24小時在th達到平衡3.2偏壓設(shè)置指南應(yīng)用偏壓根據(jù)以下指南：減少功耗。盡可能選擇金屬腳偏壓。盡可能在芯片金屬化分發(fā)潛在差異。電壓操作范圍內(nèi)最大化。注意上述準則取決于的優(yōu)先級機制和特定的設(shè)備特征。e)兩種類型的偏見可以用來滿足這些指導方針,哪個更嚴重：連續(xù)偏壓一一直流偏壓應(yīng)持續(xù)應(yīng)用。連續(xù)的偏壓比循環(huán)偏壓更嚴重，芯片溫度=<10oC室環(huán)境溫度或者，如果DUT小于200兆瓦，芯片溫度的散熱不知道。如果散熱DUT超過200兆瓦,那么芯片溫度可計算。如果芯片溫度超過室環(huán)境溫度5oC，那么在結(jié)果報告中要注明芯片溫升超過環(huán)境溫度，因失效機理的加速會受到影響。)循環(huán)偏壓一一直流電壓應(yīng)用到被測元件一個適當?shù)念l率和工作周期應(yīng)定期中斷。如果偏壓配置結(jié)果的溫度超越室環(huán)境,?Tja，超過10oC，然后循環(huán)偏壓，當優(yōu)化具體的設(shè)備類型，將比連續(xù)更嚴重。加熱作為功耗導致的結(jié)果會使水分遠離芯片,從而阻礙了moisture-related失效機理。循環(huán)偏壓中的off可允許水汽在芯片中聚集。50%的占空比一般可選，在塑封微電路中。封裝厚度大于2mm時，循環(huán)應(yīng)力階段應(yīng)小于2小時；封裝厚度小于2mm時，就小于30min.芯片溫度，在已知熱阻和功耗下計算，應(yīng)引用結(jié)果，不管是否超過環(huán)境溫度5度。3.2.1選擇和報告標準選擇連續(xù)或循環(huán)偏壓，以及是否需要報告的數(shù)量芯片溫度超過室環(huán)境溫度，總結(jié)在下表中：Tja循環(huán)偏壓報告Tja?Tja<5°C,或功耗DUT<200兆瓦NoNo（?Tja35°C或功耗200兆瓦），和?Tja<10°CNoYes□Tja310°CYesYes4程序測試元件應(yīng)安裝在規(guī)定的溫度、偏壓和濕度條件。避免元件在過熱干燥環(huán)境或可導致冷凝在元件和測試架的條件，特別是在過渡,緩降。4.1快速啟動時間達到穩(wěn)定溫度和相對濕度條件應(yīng)少于3小時。冷凝應(yīng)當避免通過確保測試室(干球溫度)超過濕-球溫度,而且增加的速度不得超過一個確保干球溫度低于濕球溫度的速度。干、濕球溫度設(shè)置點應(yīng)保持相對濕度而不是更少。4.2緩降緩降的第一部分稍微積極表壓（濕球溫度約104oC）應(yīng)足夠長，以避免測試工件由于快速減壓,但不得超過3個小時。緩降的第二部分從濕球溫度104oC到室溫的發(fā)生室發(fā)泄。沒有時間限制，強制冷卻的船是允許的。冷凝設(shè)備上應(yīng)避免在坡道的兩個部分通過確保測試室（干球溫度）超過濕球溫度。緩降的含水率應(yīng)保持模塑料封裝模具。因此，相對濕度不得少于50%在第一次緩降的一部分,上述第1段。4.3測試時鐘測試時鐘開始時溫度和相對濕度達到設(shè)置點,和停止緩降的開始。4.4偏壓偏壓應(yīng)用過渡期間和斜降是可選的。測試時鐘開始之前，設(shè)備加載后偏壓后應(yīng)驗證。偏壓也應(yīng)該驗證測試時鐘停止后，但元件從箱中移動之前。注意建議限流電阻（s）被放置在測試設(shè)置，以防止測試板或DUT測試期間的損傷情況下短的發(fā)展。4.5讀出緩降結(jié)束后電氣測試應(yīng)當執(zhí)行不遲于48小時內(nèi)。注意:對于中間讀數(shù)，應(yīng)當強調(diào)的96小時內(nèi)退還設(shè)備緩降的結(jié)束。的水分損失從設(shè)備可以減少從商會取消后將設(shè)備在密封防潮層袋（沒有干燥劑）。當設(shè)備被放置在密封袋，“測試窗口鐘”運行速度的1/3的設(shè)備暴露在實驗室環(huán)境。因此，測試窗口可以擴展到高達144小時,回到壓力和時間高達288小時封閉的設(shè)備防潮袋。注1電氣測試參數(shù)應(yīng)該選擇保留任何缺陷（即。，通過限制應(yīng)用測試電流）。注2額外的測試推遲或return-to-stress延遲時間可以允許如果合理的技術(shù)數(shù)據(jù)4.6處理合適的手套應(yīng)當用于處理設(shè)備,電路板及元件。污染控制在任何加速壓力測試的一個重要方面。5失效的標準元件將被視為失效，加速溫度和濕度壓力測試如果參數(shù)超出限制,或者功能不能證明在名義和最差