電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)

高二級(jí)理科擬班物理案（81、如圖13所示，為長(zhǎng)3L高的形區(qū)域，以AB邊的點(diǎn)0為坐標(biāo)點(diǎn)建立如圖示的直角標(biāo)系，M為CD邊的中，在該區(qū)內(nèi)軸上有向y軸負(fù)方的勻強(qiáng)電Ix軸下方有向y軸正方的勻強(qiáng)電場(chǎng)II，帶電量為q質(zhì)量為m的正粒子從A點(diǎn)以初速垂直y軸入電場(chǎng)I中，一次經(jīng)過(guò)x軸的位置為P(2L0),粒子從P點(diǎn)進(jìn)電場(chǎng)II一段時(shí)后垂直CD邊射出電場(chǎng)域不計(jì)粒重力求：（1）電場(chǎng)的場(chǎng)E和電場(chǎng)II的場(chǎng)強(qiáng)E；12（2）其他條件變，只改變粒子入射點(diǎn)位置0除外），入射點(diǎn)坐標(biāo)滿(mǎn)什么條件時(shí)，粒子最終垂直CD邊射出場(chǎng)。2、如圖所示，點(diǎn)放置一個(gè)電荷。在過(guò)點(diǎn)豎直平面的A，自由釋放個(gè)帶正電的小球，小球的質(zhì)量、電荷量為q。小球落下的軌跡如圖中線(xiàn)所示，它與以O(shè)為圓心、為半徑的圓圖中實(shí)線(xiàn)表示）交于B兩OC在一水平線(xiàn)上∠=30°A距OC的直高度為。若小球通過(guò)B點(diǎn)速度為，則下列說(shuō)法中正確的()

（1）小球從釋點(diǎn)到點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度方向的最小距s；（2）在上述條下小球經(jīng)過(guò)N點(diǎn)對(duì)擋板的壓大?。?、如圖所示研究電子槍中電子在電中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意。在Oxy平面的ABCD域內(nèi)，在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)III兩電場(chǎng)邊界均是邊為L(zhǎng)的正方形（計(jì)電子所受力）。（1）在該區(qū)域AB的中點(diǎn)由靜止釋放電子，求電子開(kāi)區(qū)域的位置（2）在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋電子，電子恰從區(qū)域左下角D處離，求所有釋放的位置。（3將左側(cè)電II體水平向移動(dòng)L/n（≥1），仍使電從區(qū)域左下角D處離開(kāi)（不隨電場(chǎng)移），求在電I區(qū)域內(nèi)靜止釋放電子的所有位。5、如圖所示，兩個(gè)同心的半球面相對(duì)放置，半徑大小分別為和R，都均帶電，電荷而密度分別為σ和.1212大球底面直徑的電勢(shì)分布A．小球通過(guò)C點(diǎn)的速度小是B.小球通C點(diǎn)速度大小是

2ghv2C．小球由A到電力做功是

12

mv

2

mghD．小由A機(jī)能的損失

h

R22

2

6、現(xiàn)有半形導(dǎo)體材料，接成下圖所示兩種形式，則兩種接法的電阻之比（）A、1B、1∶1C、1∶2D∶13

、如圖所示，為一個(gè)從上向下看的俯視圖在光滑絕緣的水平桌面上，固定放置一條光滑絕緣的板軌道ABCD段直線(xiàn)BCD段是半徑為R的部分圓?。▋刹糠窒嗲杏贐點(diǎn)，擋板處于場(chǎng)強(qiáng)為的勻強(qiáng)電場(chǎng)中，電場(chǎng)方向與圓的直徑平．現(xiàn)使一帶電量為q、量m的球由靜止從斜擋板內(nèi)側(cè)上某點(diǎn)釋放，為使小球能擋板內(nèi)側(cè)運(yùn)動(dòng)，最后從點(diǎn)出，試：1

參考答案1、解：（）A→P粒子做平拋運(yùn)動(dòng)①②③P→CD：從CD射出時(shí)子y軸向分速度0④⑤⑥解得：，⑦（2）入射點(diǎn)的坐標(biāo)在AO間有：

得：⑩如果粒子從邊射出所用時(shí)間應(yīng)子水平方向速運(yùn)動(dòng)，故有：解得：（=1，，3…）入射點(diǎn)的縱標(biāo)y在OB間時(shí)有：入射點(diǎn)→x軸：x軸→軸向分速度為0：同理有：解得：（=12，3…）

的奇數(shù)倍，DM邊射，所用時(shí)間為

的偶數(shù)倍，2、BD

分析：、C兩電勢(shì)相等，B→C電場(chǎng)力不做。入射點(diǎn)→x軸：⑧

由動(dòng)能定理C,x軸→軸向分速度為0：⑨

1/2mv2C

-1/22

=30°∴v2C

=v+2

C小球由A到C械能的損即克服電場(chǎng)力做功是CΔ=mgh-1/2mv=mg(h-/2)-1/223、解：（1據(jù)題意析可知球過(guò)M點(diǎn)對(duì)擋板恰好壓力時(shí)小據(jù)牛頓第二律有：

解得y＝，所以假設(shè)成立，電子離開(kāi)ABCD區(qū)的位置坐標(biāo)為（－L，）（2）設(shè)釋放點(diǎn)電場(chǎng)區(qū)域I中其坐標(biāo)為（x，），在電場(chǎng)I中電被加速到，后進(jìn)入電場(chǎng)II做1類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng)并從點(diǎn)開(kāi)，有由動(dòng)能定理：聯(lián)立解得：（2）小球過(guò)N時(shí)，根牛頓第二定律有：有

解得xy＝，即在場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)足議程的點(diǎn)為所求位。（3）設(shè)電子從，）點(diǎn)放，在電場(chǎng)I中加速到v，進(jìn)入電II后做類(lèi)拋運(yùn)動(dòng)，高度為y′處離2開(kāi)電場(chǎng)II時(shí)的情與（2）中類(lèi)似，然電子做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，過(guò)D點(diǎn)，則由動(dòng)能定理：聯(lián)立解得：由牛頓第三律可知，小球?qū)醢宓牧Υ笮?、（1）設(shè)電子質(zhì)量為