實驗靜態(tài)隨機存儲器實驗

山西學計機與息技學實

驗

報

告姓

名

學

號

專業(yè)班級級計科與技術課程名稱

計算機組成原理課程設計

實驗日期成

績實驗名稱

指導教師

批改日期實驗二靜隨機存儲器實驗一、實驗目的：掌握靜態(tài)隨機存儲器RAM工特及據(jù)讀方。二、實驗內容：1、實驗原理：實驗所用的靜態(tài)存儲器由一片（2K×8bit）構（于MEM單所有三個控制線（線示片選有）時進行讀操作WE=0行寫作，本實驗將CS接地。圖2-1SRAM6116引圖由于存儲是到上其要一個讀寫控制邏輯控制MEM的讀寫中的讀寫控制邏輯圖所T3的與保證的脈寬與T3一，T3由時元的TS3給用來是對I/O還MEM讀寫操作RD=1時為WR=1時為寫。表2-1SRAM6116功表CS

WE

OE

功能100

×10

×01

不擇讀寫圖2-2

讀寫控制邏輯1/3

實驗原理圖如圖2-3所存器數(shù)據(jù)線接至數(shù)據(jù)總線，數(shù)據(jù)總線上接有8個LED燈顯示D7D0的。地接至地總線址線接8LED燈顯A7A0的址址鎖存器，于PC&AR單給出。數(shù)據(jù)開關（位于單元經一個三態(tài)門連至數(shù)據(jù)總線，分時給出地址和據(jù)。地址寄存器為接入的址A7A0，6116的高位地址A10A8接，所以其際容量為256字圖2-3

存儲器實驗原理圖實驗箱中所有單元的時序都連接時序與操作臺單元CLR都接至CON元的CLR按鈕驗時T3由時元給出信由CON元的二進制開關模擬給出IOM應低（MEM操作高有MR和低LDAR高有效。2、步驟：(1)關驗系統(tǒng)電源，按圖連接電路，并檢.圖2-4

實驗接線圖(2)將與操作臺單元的開KK1、KK3置為運行檔、開關KK2置為步’(3)將單IOR開置打電開到’報有總線競爭現(xiàn)象，立即關閉電源，重新檢查線，直到錯誤排除。(4)給器的00H地單中別入由前面的存儲器實驗原理圖2-3可以出由數(shù)據(jù)和地址由同一個數(shù)據(jù)開關給出，因此數(shù)據(jù)和址要分時寫入，先寫地址，具體操步驟如下圖2-5.2/3

圖2-5再寫數(shù)據(jù)，具體操作步驟如下圖。

寫存儲器流程圖圖2-6

讀存儲器流程圖實驗箱和PC聯(lián)作軟中數(shù)通圖觀實結軟件擇聯(lián)機軟件進行上面的手動操作一ST按據(jù)圖會有數(shù)據(jù)的流動當儲器所做的操,借助于數(shù)據(jù)通路圖析SRAM的過程。3、實驗結果：單元地址

寫入數(shù)據(jù)

讀出數(shù)據(jù)00H11H11H01H12H12H第一部分地址02H13H13H03H14H14H04H15H15H15H11H11H56H21H21H第二部分地址A2H22H22HD4H32H32HE1H41H41H三、實驗總結：1,在出數(shù)據(jù)完成,先關閉RD按然再閉IOR按，否則就會產生“滴”的聲音。2，在插線的過程中注意不要把頭的線插錯位或插反了，否則會影響試驗結果。3，可以不依次輸出存儲單元的容，如在依次輸入第、01、02、03、04號存儲單元內容后可以不按順序隨機輸出存儲單元內容，如，先輸出00號存儲單元，然后輸出號儲單元。4通路圖會有數(shù)據(jù)的流動當存儲器所做的操作使是對存儲器進