GB∕T 11071-2018 區(qū)熔鍺錠-行業(yè)標準

ICS77150

H66.

中華人民共和國國家標準

GB/T11071—2018

代替

GB/T11071—2006

區(qū)熔鍺錠

Zone-refinedgermaniumingot

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T11071—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替區(qū)熔鍺錠與相比除編輯性修改外主要技

GB/T11071—2006《》,GB/T11071—2006,

術(shù)變化如下

:

范圍進一步明確為本標準適用于以還原鍺錠及鍺單晶返料為原料經(jīng)區(qū)熔提純工藝制備得到

———“,

的區(qū)熔鍺錠區(qū)熔鍺錠主要用于制備半導(dǎo)體及高純鍺探測器用的高純鍺單晶

。ZGe-0;ZGe-1

區(qū)熔鍺錠主要用于制備紅外光學(xué)用的鍺單晶太陽能電池用的鍺單晶及各類鍺鉻鍺硅合金

、-、-

等見第章

”(1)。

增加了區(qū)熔鍺錠在下電阻率的要求見

———(23±0.5)℃(3.2)。

同一根鍺錠的最大與最小截面面積之差不大于平均截面面積的修改為同一根區(qū)熔鍺

———“15%”“

錠的頭尾兩端的高度差不大于見年版的

4mm”(3.3,20063.3)。

錠長修訂為長度應(yīng)不小于見年版的

———“100mm~500mm”“100mm”(3.3,20063.3)。

增加了區(qū)熔鍺錠的表面應(yīng)無孔洞的要求見版的

———(3.4,20063.4)。

本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出

。

本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司有研光電新材料有限責(zé)任公司中鍺科技有限

:、、

公司衡陽恒榮高純半導(dǎo)體材料有限公司廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司錫林郭勒通力鍺業(yè)有限責(zé)任公

、、、

司云南東昌金屬加工有限公司

、。

本標準主要起草人包文東普世坤李賀成馮德伸惠峰范德勝朱知國李正美董汝昆朱劉

:、、、、、、、、、、

尹士平王曉華

、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11071—1989、GB/T11071—2006。

Ⅰ

GB/T11071—2018

區(qū)熔鍺錠

1范圍

本標準規(guī)定了區(qū)熔鍺錠的要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單

、、、、、、、

或合同內(nèi)容

()。

本標準適用于以還原鍺錠及鍺單晶返料為原料經(jīng)區(qū)熔提純工藝制備得到的區(qū)熔鍺錠區(qū)

,。ZGe-0

熔鍺錠主要用于制備半導(dǎo)體及高純鍺探測器用的高純鍺單晶區(qū)熔鍺錠主要用于制備紅外光學(xué)

;ZGe-1

和太陽能電池用的鍺單晶及各類鍺鉻鍺硅合金等

-、-。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

區(qū)熔鍺錠電阻率測試方法兩探針法

YS/T602

3要求

31產(chǎn)品分類

.

區(qū)熔鍺錠按電學(xué)性能分為兩個牌號

:ZGe-0、ZGe-1。

ZGe-□

阿拉伯?dāng)?shù)字表示產(chǎn)品等級

,

表示區(qū)熔鍺錠

32電學(xué)性能

.

區(qū)熔鍺錠的電學(xué)性能應(yīng)符合表的規(guī)定電阻率可選擇采用在或的條件下進行測試

1。20℃23℃,

并滿足表的規(guī)定

1。

表1電學(xué)性能

電阻率檢測單晶的參數(shù)

/(Ω·cm)(77K)

牌號載流子濃度載流子遷移率

(20±0.5)℃(23±0.5)℃-3-3