ECC內(nèi)存技術(shù)詳解

ECCECC“ErrorCheckingandCorrecting”ECC是一種能夠?qū)崿F(xiàn)“錯誤檢查和訂正”的技術(shù)，ECC內(nèi)存就是應(yīng)用了這種技術(shù)的內(nèi)存，一般多應(yīng)用在效勞器及圖形工作站上，這將使整個電腦系統(tǒng)在工作時更趨于安全穩(wěn)定。要了解ECC技術(shù)，就不能不提到Parity〔奇偶校驗〕。在ECC技術(shù)消滅之前，內(nèi)存中應(yīng)用最多的是另外一種技術(shù)，就是Parity〔奇偶校驗〕。我們知道，在數(shù)字電路中，最小的數(shù)據(jù)單位就是叫“比特〔bit〕”，也叫數(shù)據(jù)“位”，“比特”也是內(nèi)存中的最小單位，它是通過“1”和“0”8個連續(xù)的比特是一個字節(jié)〔byte〕，在內(nèi)存中不帶“奇偶校驗”的內(nèi)存中的每個字節(jié)只有8了錯誤，就會使其中存儲的相應(yīng)數(shù)據(jù)發(fā)生轉(zhuǎn)變而導(dǎo)致應(yīng)用程序發(fā)生錯誤。而帶有“奇偶校驗”的內(nèi)存在每一字節(jié)〔8位〕外又額外增加了一位用來進(jìn)展錯誤檢測。比方一個字節(jié)中存儲了某一數(shù)值〔1、0、1、0、1、0、1、1〕，把這每一位相加起來〔1＋0＋1＋0＋1＋0＋1＋1=5〕。假設(shè)其結(jié)果是奇數(shù)，對于偶校驗，校驗位就定義為1，反之則為0；對于奇校驗，則CPU8校驗位相全都。當(dāng)CPU覺察二者不同時就作出視圖訂正這些錯誤，但Parity有個缺點，當(dāng)以帶有奇偶校驗的內(nèi)存的主要功能僅僅是“覺察錯誤”，并能訂正局部簡潔的錯誤。通過上面的分析我們知道Parity內(nèi)存是通過在原來數(shù)據(jù)位的根底上增加一個數(shù)據(jù)位來8Parity162324檢驗的方法就顯得力不從心了，正是基于這樣一種狀況，一種的內(nèi)存技術(shù)應(yīng)允而生了，這就是ECC〔錯誤檢查和訂正〕，這種技術(shù)也是在原來的數(shù)據(jù)位上外加校驗位來實現(xiàn)的。不同的是兩者增加的方法不一樣，這也就導(dǎo)致了兩者的主要功能不太一樣。它與Parity不同的85位來進(jìn)展ECCECC16位時ECC632位時ECC764位時ECC8ECC在內(nèi)存中ECC而中斷，且ECCParity修正。目前一些廠商推出的入門級低端效勞器使用的多是一般PC用的SDRAM，不帶ECC選購時應(yīng)當(dāng)留意這個指標(biāo)。適用類型DIY市場內(nèi)最為普遍的內(nèi)存，價格也相對廉價。筆記本內(nèi)存則對尺寸、穩(wěn)定性、散熱性方面有確定的要求，樣穩(wěn)定性也是著重強(qiáng)調(diào)的。臺式機(jī)內(nèi)存筆記本內(nèi)存就是應(yīng)用于筆記本電腦的內(nèi)存產(chǎn)品同，在工作原理方面并沒有什么區(qū)分。只是由于筆記本電腦對內(nèi)存的穩(wěn)定性、體積、散熱性方面的需求，筆記本內(nèi)存在這幾方面要優(yōu)于臺式機(jī)內(nèi)存，價格方面也要高于臺式機(jī)內(nèi)存。筆記本內(nèi)存筆記本誕生于臺式機(jī)的486牌的機(jī)型使用的內(nèi)存千奇百怪的機(jī)器甚至使用PCMICA586時代，筆記本廠商開頭推廣72針的SODIMM725伏的FPM；725EDO；723.3伏的FPM；723.3EDO。此幾種類型的筆記144針的3.3伏的EDOSDRAM144針的SDRAM?，F(xiàn)在DDR本內(nèi)，還有些機(jī)型使用與一般機(jī)型不同的MicroDIMM時負(fù)擔(dān)內(nèi)存和顯存的存儲作用，因此內(nèi)存對于筆記本電腦性能的影響很大。效勞器內(nèi)存求很高，所以效勞器內(nèi)存大多都帶有Buffer〔緩存器〕，Register〔存放器〕，ECC〔錯誤訂正代碼〕，以保證把錯誤發(fā)生可能性降到最低。效勞器內(nèi)存具有一般PC內(nèi)存所不具備的高性能、高兼容性和高牢靠性。主頻內(nèi)存主頻和CPU工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz〔兆赫〕為單位來計量的。內(nèi)存主頻越高在確定程度上代表著面上已推出的內(nèi)存產(chǎn)品中最高能到達(dá)560MHz333MHz400MHzDDR是由主板來打算的。一般狀況下內(nèi)存的工作頻率是和主板的外頻相全都的CPU的外頻也就內(nèi)存的實際工作頻率與CPUCPU33MHz3：4、4：5率上。利用異步工作模式技術(shù)就可以避開以往超頻而導(dǎo)致的內(nèi)存瓶頸問題。845E的主板最大只能支持DDR266266MHz，這是DDR內(nèi)存的等效頻率，其實際工作頻率是133MHz。在正常狀況下〔不進(jìn)展超頻〕，該主板上內(nèi)存工作頻率最高可以設(shè)置到DDR266的模式。但假設(shè)主板支持內(nèi)存異步功能，那么就可以承受內(nèi)存、外頻頻率以5：4的比例模式下工作，這樣內(nèi)存的工作頻率就可以到達(dá)166MHz，此時主板就可以支持DDR333〔等效頻率333MHz，實際頻率166MHz〕了。目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步810875693傳輸類型SDRAMDDRSDRAMRDRAM三種，其中DDRSDRAMSDRAM于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有局部芯片組支持，而這些芯片組也漸漸退出了市場，RDRAMSDRAMDDRRDRAMDDR2接口類型接口類型是依據(jù)內(nèi)存條金手指上導(dǎo)電觸片的數(shù)量來劃分的針腳數(shù)〔Pin〕。由于不同的內(nèi)存承受的接口類型各不一樣，而每種接口類型所承受的針腳144Pin、200Pin168Pin和184Pin接口。對應(yīng)于內(nèi)存所承受的不同的針腳數(shù)，內(nèi)存插槽類型也各不一樣。目前臺式機(jī)系統(tǒng)主要有SIMM、DIMMRIMMSIMMDIMM金手指金手指〔connectingfinger〕是內(nèi)存條上與內(nèi)存插槽之間的連接部件，全部的信號都90年月開頭錫材料就開頭普及，目前主板、內(nèi)存和顯卡等設(shè)備的“金手指”幾乎都是承受的錫材料，只有局部高性能效勞器/工作站的配件接觸點才會連續(xù)承受鍍金的做法，價格自然不菲。內(nèi)存金手指PC系統(tǒng)進(jìn)展交換，是內(nèi)存的輸出輸入端口，因此其制作工藝對于內(nèi)存連接顯得相當(dāng)重要。內(nèi)存插槽最初的計算機(jī)系統(tǒng)通過單獨的芯片安裝內(nèi)存，那時內(nèi)存芯片都承受DIP〔Dualln-linePackage，雙列直插式封裝〕封裝，DIP芯片是通過安裝在插在總線插槽里的內(nèi)存卡與系統(tǒng)連DIP芯片有個最大的問題就在于安裝起來很麻煩，而且隨產(chǎn)生內(nèi)存錯誤。早期還有另外一種方法是把內(nèi)存芯片直接焊接在主板或擴(kuò)展卡里，這樣有效避開了DIP將不能使用，只能重焊接一個芯片或更換包含壞芯片的主板，此種方法付出的代價較大，也極為不便利。對于內(nèi)存存儲器，大多數(shù)現(xiàn)代的系統(tǒng)都已承受單內(nèi)聯(lián)內(nèi)存模塊〔SingleInlineMemoryModule，SIMM〕或雙內(nèi)聯(lián)內(nèi)存模塊〔DualInlineMemory，DIMM〕來替代單個內(nèi)存芯片。這些小板卡插入到主板或內(nèi)存卡上的特別連接器里。SIMMDIMMRIMM容量內(nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲容量，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。內(nèi)存容量以MB作為單位，可以簡寫為M。內(nèi)存的容量一般都是2的整次方倍，比方64MB、128MB、256MB存容量越大越有利于系統(tǒng)的運行。目前臺式機(jī)中主流承受的內(nèi)存容量為256MB或512MB，64MB、128MB系統(tǒng)對內(nèi)存的識別是以Byte〔字節(jié)〕為單位，每個字節(jié)由8位二進(jìn)制數(shù)組成，即8bit〔比特，也稱“位”〕。依據(jù)計算機(jī)的二進(jìn)制方式，1Byte=8bit；1KB=1024Byte；1MB=1024KB；1GB=1024MB；1TB=1024GB。系統(tǒng)中內(nèi)存的數(shù)量等于插在主板內(nèi)存插槽上全部內(nèi)存條容量的總和，內(nèi)存容量的上限一般由主板芯片組和內(nèi)存插槽打算。不同主板芯片組可以支持的容量不同，比方Inlel810815512MB2GB128MB256MB板內(nèi)存插槽數(shù)量，并且可能需要考慮將來有升級的余地。內(nèi)存電壓SDRAM3.3伏左右，上下浮動額度不超0.3DDRSDRAM2.50.2DDR2SDRAM1.8V廠家了，但都會遵循SDRAM3.3DDRSDRAM2.5DDR2SDRAM1.8根本要求，在允許的范圍內(nèi)浮動。顆粒封裝大，封裝后對內(nèi)存芯片自身性能的發(fā)揮也起到至關(guān)重要的作用。方向進(jìn)展，因此芯片元件的封裝形式也不斷得到改進(jìn)。芯片的封裝技術(shù)多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSPDIP、TSOP到BGA牢靠性提高，使用更加便利。DIPTSOPBGACSP傳輸標(biāo)準(zhǔn)著對內(nèi)存速度方面的標(biāo)準(zhǔn)。不同類型的內(nèi)存，無論是SDRAM、DDRSDRAM，還是RDRAM合該標(biāo)準(zhǔn)才能說該內(nèi)存承受了此傳輸標(biāo)準(zhǔn)。比方說傳輸標(biāo)準(zhǔn)PC3200內(nèi)存，代表著此內(nèi)存為200MHz400MHzDDRDDR400。內(nèi)存?zhèn)鬏敇?biāo)準(zhǔn)有SDRAM的PC100、PC133；DDRSDRAMPC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAMPC600、PC800和PC1066SDRAMDDRDDR2RDRAMCL內(nèi)存負(fù)責(zé)向CPUCPU因此很多狀況下CPU都需要等待內(nèi)存供給數(shù)據(jù)，這就是常說的“CPU等待時間”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰?，CPU等待時間就會越長，系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此，快速的內(nèi)存是有效提升CPU成傳輸確實定延遲時間。CL設(shè)置確定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU令后，到正式開頭讀取數(shù)據(jù)所需的等待時間。不難看出同頻率的內(nèi)存，CL設(shè)置低的更具有速度優(yōu)勢。上面只是給大家建立一個根本的CL內(nèi)存延遲時間有個特地的術(shù)語叫“Latency”。要形象的了解延遲，我們不妨把內(nèi)存當(dāng)成一EXCELRAS〔RowAddressStrobe地址信號〕就被激活，而在轉(zhuǎn)化到行數(shù)據(jù)前，需要經(jīng)過幾個執(zhí)行周期，然后接下來CAS信號〔ColumnAddressStrobe，列地址信號〕被激活。在RAS信號和CAS行周期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS行周期在使用標(biāo)準(zhǔn)PC133SDRAM23個周期；而DDRRAM45DDR中，真正的CAS22.5RAS-to-CAS57CL設(shè)置較低的內(nèi)存具備更高的優(yōu)勢，這可以從總的延遲時間來表現(xiàn)。內(nèi)存總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統(tǒng)時鐘周期×CL模式數(shù)+存取時間〔tAC〕。首先來了解一下存取時間〔tAC〕的概念，tAC是AccessTimefromCLK的縮寫，是指最大CAS秒為單位。存取時間〔tAC〕代表著讀取、寫入的時間，而時鐘頻率則代表內(nèi)存的速度。舉個例子來計算一下總延遲時間，比方一條DDR333內(nèi)存其存取時間為6ns，其內(nèi)存時6ns〔DDR＝1X2/內(nèi)存頻率，DDR333333，則可計算出其6ns〕。我們在主板的BIOS中將其CL2.5，則總的延遲時間＝6nsX2.5＋6ns＝21nsCL2，那么總的延遲時間＝6nsX2＋6ns＝18ns3ns的時間。從總的延遲時間來看，CL值的大小起到了很關(guān)鍵的作用。所以對系統(tǒng)要求高和寵愛超頻的用戶通常寵愛購置CL值較低的內(nèi)存。目前各內(nèi)存顆粒廠商除了從提高內(nèi)存時鐘頻率來DDRCAS型內(nèi)存的典型CLDDRCL2.52，而大局部DDR253345，少量高端DDR2的CL3。不過，并不是說CL值越低性能就越好，由于其它的因素會影響這個數(shù)據(jù)。例如，一據(jù)會比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發(fā)生幾率也大，讀取的時間也會增多。最終，有時會發(fā)生同時讀取大量數(shù)據(jù)的情形，在這種