數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)全套課件 7說(shuō)課材料

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)全套課件-7數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)全套課件-7

教學(xué)內(nèi)容§7.1

概述§7.2

只讀存儲(chǔ)器§7.3

隨機(jī)存儲(chǔ)器§7.4存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展§7.5用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)教學(xué)內(nèi)容§7.1概述

教學(xué)要求1.了解二極管、晶體管ROM的基本結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)；會(huì)用ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)。2.熟悉RAM的結(jié)構(gòu)和操作過(guò)程；了解RAM的擴(kuò)展方式。教學(xué)要求1.了解二極管、晶體管ROM的基本結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)7.1概述

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能存儲(chǔ)大量二值信息的半導(dǎo)體器件。按存儲(chǔ)功能分只讀存儲(chǔ)器（ROM）隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）按制造工藝分雙極性MOS型7.1概述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能存儲(chǔ)大7.2只讀存儲(chǔ)器（ROM)優(yōu)點(diǎn)：電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，斷電后數(shù)據(jù)不丟失，具有非易失性。缺點(diǎn)：只適用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)的場(chǎng)合。電路結(jié)構(gòu)ReadOnlyMemory7.2只讀存儲(chǔ)器（ROM)優(yōu)點(diǎn)：電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，斷電后只讀存儲(chǔ)器分類：掩膜ROM：出廠后內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不能改動(dòng)，只能讀出。PROM：可編程，只能寫一次。EPROM:用紫外線擦除，擦除和編程時(shí)間較慢，次數(shù)也不宜多。E2PROM:電信號(hào)擦除，擦除和寫入時(shí)需要加高電壓脈沖，擦、寫時(shí)間仍較長(zhǎng)。快閃存儲(chǔ)器(FlashMemory)：吸收了EPROM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，編程可靠的優(yōu)點(diǎn)，又保留了E2PROM用隧道效應(yīng)擦除的快捷特性，集成度可作得很高。只讀存儲(chǔ)器分類：掩膜ROM：出廠后內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不能改動(dòng)，只7.3隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM)優(yōu)點(diǎn)：讀、寫方便,使用靈活。缺點(diǎn)：一旦停電所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將隨之丟失（易失性）。基本結(jié)構(gòu)：地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀\寫控制電路構(gòu)成。RandomAccessMemory...P368圖7.3.27.3隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM)優(yōu)點(diǎn)：讀、寫方便,使用靈活7.4存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展字線位線存儲(chǔ)容量＝字?jǐn)?shù)×位數(shù)存儲(chǔ)容量＝22×4＝4×4地址輸入端數(shù)據(jù)輸出端7.4存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展字線位線存儲(chǔ)容量＝字?jǐn)?shù)×位數(shù)存儲(chǔ)容量位擴(kuò)展8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。位擴(kuò)展8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。字?jǐn)U展4片256×8位的RAM接成1024×8位的RAM。字?jǐn)U展4片256×8位的RAM接成1024×8位的RAM7.5用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)例7.5.2試用ROM產(chǎn)生如下一組多輸出邏輯函數(shù)7.5用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)例7.5.2試用RO解：化為最小項(xiàng)之和的形式：解：化為最小項(xiàng)之和的形式：數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)全套課件7說(shuō)課材料數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)全套課件7說(shuō)課材料此課件下載可自行編輯修改，僅供參考！

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教學(xué)內(nèi)容§7.1

概述§7.2

只讀存儲(chǔ)器§7.3

隨機(jī)存儲(chǔ)器§7.4存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展§7.5用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)教學(xué)內(nèi)容§7.1概述

教學(xué)要求1.了解二極管、晶體管ROM的基本結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)；會(huì)用ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)。2.熟悉RAM的結(jié)構(gòu)和操作過(guò)程；了解RAM的擴(kuò)展方式。教學(xué)要求1.了解二極管、晶體管ROM的基本結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)7.1概述

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能存儲(chǔ)大量二值信息的半導(dǎo)體器件。按存儲(chǔ)功能分只讀存儲(chǔ)器（ROM）隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）按制造工藝分雙極性MOS型7.1概述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能存儲(chǔ)大7.2只讀存儲(chǔ)器（ROM)優(yōu)點(diǎn)：電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，斷電后數(shù)據(jù)不丟失，具有非易失性。缺點(diǎn)：只適用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)的場(chǎng)合。電路結(jié)構(gòu)ReadOnlyMemory7.2只讀存儲(chǔ)器（ROM)優(yōu)點(diǎn)：電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，斷電后只讀存儲(chǔ)器分類：掩膜ROM：出廠后內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不能改動(dòng)，只能讀出。PROM：可編程，只能寫一次。EPROM:用紫外線擦除，擦除和編程時(shí)間較慢，次數(shù)也不宜多。E2PROM:電信號(hào)擦除，擦除和寫入時(shí)需要加高電壓脈沖，擦、寫時(shí)間仍較長(zhǎng)?？扉W存儲(chǔ)器(FlashMemory)：吸收了EPROM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，編程可靠的優(yōu)點(diǎn)，又保留了E2PROM用隧道效應(yīng)擦除的快捷特性，集成度可作得很高。只讀存儲(chǔ)器分類：掩膜ROM：出廠后內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不能改動(dòng)，只7.3隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM)優(yōu)點(diǎn)：讀、寫方便,使用靈活。缺點(diǎn)：一旦停電所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)將隨之丟失（易失性）?；窘Y(jié)構(gòu)：地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀\寫控制電路構(gòu)成。RandomAccessMemory...P368圖7.3.27.3隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM)優(yōu)點(diǎn)：讀、寫方便,使用靈活7.4存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展字線位線存儲(chǔ)容量＝字?jǐn)?shù)×位數(shù)存儲(chǔ)容量＝22×4＝4×4地址輸入端數(shù)據(jù)輸出端7.4存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展字線位線存儲(chǔ)容量＝字?jǐn)?shù)×位數(shù)存儲(chǔ)容量位擴(kuò)展8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。位擴(kuò)展8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。字?jǐn)U展4片256×8位的RAM接成1024×8位的RAM。字?jǐn)U展4片256×8位的RAM接成1024×8位的RAM7.5用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)例7.5.2試用ROM產(chǎn)生如下一組多輸出邏輯函數(shù)7.5用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)例7.5.2試用RO