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文檔簡介
本文格式為Word版,下載可任意編輯—6—霍爾效應(yīng)教案設(shè)計教學(xué)目的:
1.使學(xué)生理解掌管霍爾效應(yīng)的內(nèi)容;
2.通過霍爾效應(yīng)的教學(xué)過程,使學(xué)生初步了解科學(xué)研究的方法;
3.嘗試將教學(xué)過程變成師生互動,共同探索,再現(xiàn)科學(xué)研究的過程;
4.介紹創(chuàng)新思維的重要方法之一:批判性思維方法。
教學(xué)過程:
一、引入問題
前面我們議論了帶電粒子在電場和磁場中運動時受力的處境。那么,在通電導(dǎo)體上同時加上磁場時將發(fā)生怎樣的處境?
如下圖,將一塊長為a寬為b、厚為d的載流導(dǎo)體薄片置于磁場中,由于洛侖茲力的作用,會在與磁場和電流二者垂直的方向上展現(xiàn)橫向電勢差,這一現(xiàn)象就叫做霍爾效應(yīng)。這個電勢差叫做霍爾電壓。假設(shè)撤去磁場,那么霍爾電壓也就隨之消散。接下來的問題是,霍爾效應(yīng)有那些規(guī)律?下面我們從理論上舉行分析。
二、霍爾效應(yīng)
設(shè)導(dǎo)體薄片中的電流是由自由電子定向移動產(chǎn)生的,當(dāng)薄片中通以電流I時,電子運動的方向與電流的方向相反。假設(shè)在電流方向的垂直方向上加以磁感強(qiáng)度為B的磁場后,薄片中運動的電子e將受到洛侖茲力的作用。設(shè)電子定向運動的平均速度為v,那么洛侖茲力f的大小為f=eBv,方向為垂直紙面向里。因此,在里側(cè)外觀上積累有負(fù)電荷,外側(cè)外觀上積累有正電荷。隨著電荷的積累,在兩側(cè)外觀之間展現(xiàn)了電場強(qiáng)度為E的勻強(qiáng)電場,使電子e受到一個與洛侖茲力方向相反的電場力Fe的作用。電荷在側(cè)面上不斷積累,電場力也不斷增大。當(dāng)電場力增大到正好等于洛侖茲力時,就達(dá)成了動態(tài)平衡。動態(tài)平衡時薄片兩側(cè)面積累的電荷所產(chǎn)生的電場叫做霍爾電場,用EH表示;兩側(cè)面間的霍爾電壓用UH表示。霍爾電場對電子的作用力的大小為:Fe=eEH,它與洛侖茲力在數(shù)值上相等,即eEH=eBv,于是有EH=Bv。由于霍爾電場是勻強(qiáng)電場,所以EH=UH/b,那么上式可寫為
上式給出了霍爾電壓UH、磁場感強(qiáng)度B以及電子運動速度v之間的關(guān)系,但實際上易于測量的是電流I,而不是電子運動速度v,因此有必要對上式舉行變換。設(shè)導(dǎo)體內(nèi)單位體積內(nèi)電荷數(shù)為n(電荷密度),電子電量為e,定向運動的平均速度為v,那么導(dǎo)體中的電流
I=nebdv
v=I/(nebd)代入上式UH=Bbv=BbI/(ned)=BI/(ned)
由此可見,UH與I、B成正比,與n、d、e成反比,而與b無關(guān)。
上述的研究成果是在1897年由美國年輕的物理學(xué)家霍爾完成的,是霍爾在研究載流導(dǎo)體在磁場中受力處境察覺的,并做了理論上的研究。
三、霍爾效應(yīng)的應(yīng)用
1.磁流體發(fā)電機(jī)
目前世界上正在研制一種把氣體內(nèi)能直接轉(zhuǎn)化為電能的新型發(fā)電機(jī)——磁流體發(fā)電機(jī)。利用石油、煤等燃燒將氣體加熱到2500K以上,使其成為一種高度電離的氣體——等離子體(內(nèi)含大量的帶正電和帶負(fù)電的離子,但從整體來說呈中性,是物質(zhì)四態(tài)之一),然后讓它高速地垂直入射兩金屬板之間的與兩金屬板平行的勻強(qiáng)磁場,最終兩金屬板之間會產(chǎn)生一穩(wěn)定的電壓。上述裝置就是磁流體發(fā)電機(jī),又叫等離子體發(fā)電機(jī)。請同學(xué)們用霍爾效應(yīng)從理論上說明磁流體發(fā)電機(jī)的工作原理,寫一篇科技小論文。
2.電磁流量計
電磁流量計廣泛應(yīng)用于測量可導(dǎo)電流體(如鹽水)在管中的流量(在單位時間內(nèi)通過管內(nèi)橫截面的流體的體積)。為了簡化,假設(shè)流量計是如圖A所示的橫截面為長方形的一段管道,其中空片面的長、寬、高為圖中的a、b、c,流量計的兩端與輸送液體的管道相接(如圖虛線)。圖中流量計的上、下兩外觀是金屬材料,前后兩面是絕緣材料,現(xiàn)于流量計所在處加磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,磁場的方向垂直于前后兩面.當(dāng)導(dǎo)電流體穩(wěn)定地流經(jīng)流量計時,在管外流量計上、下兩外觀分別與一串接了電阻R的電流計的兩端連接,I表示測得的電流值,已知液體的電阻率為ρ,不計電流表的內(nèi)阻,那么可求得流量為:
A.I(bR+ρc/a)/BB.I(aR+ρb/c)/B
C.I(cR+ρa(bǔ)/b)/BD.I(R+ρbc/a)/B
分析思路:
首先將題給出的圖(A)轉(zhuǎn)化為原理圖(B)。由原理圖(B)可明顯看出是霍爾效應(yīng)。
∵UH/b=vB
∴UH=vBb
此題中的UH=vBc,在圖(B)中,UH可視為閉合電路的電源電動勢
UH=ε=I(R+r)=I(R+ρc/ab)=I(Rb+ρc/a)/b
即I(Rb+ρc/a)/b=vBc
I(Rb+ρc/a)=vBcb
即流量A=I(Rb+ρc/a)/B
選A項。
霍爾效應(yīng)的應(yīng)用很廣泛,如磁強(qiáng)計、瓦特計、模擬乘法器、磁羅盤等。
四、霍爾效應(yīng)的研究進(jìn)展
1.二十世紀(jì)50年頭起,大量半導(dǎo)體材料的展現(xiàn)為霍爾效應(yīng)的進(jìn)一步研究產(chǎn)生了革命性的跨躍。
請同學(xué)們斟酌一下:假設(shè)將霍爾測驗中的金屬導(dǎo)體換成半導(dǎo)體,將會有什么現(xiàn)象發(fā)生?
霍爾效應(yīng)公式:UH=BI/(nqd)
當(dāng)B、I、q確定時,UH與n、d成反比。
[引導(dǎo)分析]
半導(dǎo)體與金屬導(dǎo)體、絕緣體的識別是什么?
將半導(dǎo)體材料制成極薄的半導(dǎo)體芯片,會展現(xiàn)什么現(xiàn)象?
2.1980年,德國物理學(xué)家克利青在極低的溫度和強(qiáng)磁場條件下,利用半導(dǎo)體硅做霍爾測驗,察覺霍爾電壓與磁感強(qiáng)度不再是簡樸的正比關(guān)系了,而是展現(xiàn)了臺階式的躍升,這被稱為量子數(shù)霍爾效應(yīng)。為此,克利青獲1985年諾貝爾物理學(xué)獎。
3.1992年,崔琦和旋特默利用砷化鎵和鋁化鎵舉行霍爾測驗。他們把兩種晶片壓在一起,然后放在僅比十足零度高0.1度的超低溫環(huán)境中,再加上相當(dāng)于地磁場磁感強(qiáng)度100萬倍的強(qiáng)磁場,結(jié)果察覺聚在兩種晶片交界處的大量電子展現(xiàn)了超滾動性,并且有分?jǐn)?shù)電荷展現(xiàn)。為此,崔琦與旋特默一起獲得1998年諾貝爾物理學(xué)獎。
4.霍爾效應(yīng)研究進(jìn)展的斟酌:
[引導(dǎo)分析]
(1
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