2022-2023年半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)洞察報(bào)告PPT

2022-10-1720XX年匯報(bào)人：陳怡婷2022-2023年半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)洞察報(bào)告目錄contens01行業(yè)發(fā)展概述02行業(yè)環(huán)境分析03行業(yè)現(xiàn)狀分析04行業(yè)格局及發(fā)展趨勢(shì)中國政策對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的鼓勵(lì)和國際政策策對(duì)半導(dǎo)體材料的出口管制促進(jìn)中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展。一方面，中國政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度重視，出臺(tái)各項(xiàng)政策并成立國家產(chǎn)業(yè)基金大力扶持；另一方面，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵材料，國際政府對(duì)CMP拋光材料進(jìn)行出口管制，利好中國CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展。發(fā)展低端、大批量應(yīng)用產(chǎn)品在中國半導(dǎo)體CMP拋光材料發(fā)展的初期，開發(fā)低端、大批量應(yīng)用拋光材料可成為中國企業(yè)快速擴(kuò)張、占領(lǐng)市場(chǎng)、實(shí)現(xiàn)盈利的有效策略。在低端應(yīng)用領(lǐng)域，如分立器件，對(duì)CMP拋光材料的要求相對(duì)集成電路領(lǐng)域較低，但在生產(chǎn)過程中需要大批量使用，中國企業(yè)在技術(shù)上容易突破，且研發(fā)成本不高，銷售價(jià)格較國際產(chǎn)品低，可在短期內(nèi)完全實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。以分立器件為例，需要大量使用CMP拋光液，且下游應(yīng)用廣泛，在快消電子品和不需要集成電路的低成本電路中均有應(yīng)用，如汽車電子、電子玩具、電子照明等。中國是全球最大的分立器件生產(chǎn)基地，對(duì)上游CMP拋光液需求大。摘要頁企業(yè)兼并收購加快技術(shù)升級(jí)中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)兼并收購和投資活動(dòng)加劇助推技術(shù)快速升級(jí)。高端拋光材料制造技術(shù)的研發(fā)難度高、投入大，單個(gè)企業(yè)短時(shí)間內(nèi)難以實(shí)現(xiàn)突破，通過收購擁有技術(shù)的中國小微企業(yè)或與領(lǐng)先的國際企業(yè)合作，中國半導(dǎo)體CMP拋光行業(yè)技術(shù)水平將加快提升。一方面，中國企業(yè)通過收購、并購等方式整合半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)資源。在國家“02重大專項(xiàng)”、《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》等各項(xiàng)政策的大力推動(dòng)下，中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)獲得了一定的發(fā)展，涌現(xiàn)了一些擁有先進(jìn)技術(shù)的小微企業(yè)。有意進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大型企業(yè)通過收購這些先進(jìn)小微企業(yè)，可快速獲取專業(yè)技術(shù)，并為研發(fā)投入提供有力支持，加快技術(shù)研發(fā)的進(jìn)程。第一章行業(yè)發(fā)展概述01行業(yè)定義CMP拋光材料是應(yīng)用于CMP工藝中的拋光材料，而CMP工藝是在半導(dǎo)體工業(yè)中使器件在各階段實(shí)現(xiàn)全局平坦化的關(guān)鍵步驟。其原理是在一定壓力和拋光液環(huán)境下，被拋光工件相對(duì)于拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，通過拋光液中固體粒子的研磨作用和氧化劑的腐蝕作用，使工件形成平坦光潔的表面。CMP拋光材料包括拋光液、拋光墊、調(diào)節(jié)器、清潔劑和其他材料，其中拋光液和拋光墊是凝集CMP工藝核心技術(shù)的關(guān)鍵材料。CMP拋光液由超細(xì)固體粒子研磨劑、氧化劑、表面活性劑、穩(wěn)定劑等物質(zhì)組成。CMP拋光液中發(fā)揮主要作用的是固體粒子研磨劑和氧化劑，固體粒子研磨劑一般為納米級(jí)，發(fā)揮研磨作用，氧化劑發(fā)揮腐蝕溶解作用。拋光液濃度、研磨劑種類和大小、酸堿性、流速等對(duì)拋光速度和加工質(zhì)量均有影響，拋光液的技術(shù)難點(diǎn)在于需根據(jù)不同的材料調(diào)整配方組合，以改善拋光速度和效果。根據(jù)拋光對(duì)象的不同，拋光液可分為硅拋光液、硅氧化物拋光液、銅拋光液、鎢拋光液等。根據(jù)酸堿性不同，拋光液可分為酸性拋光液和堿性拋光液，酸性拋光液常用于拋光金屬材料，如銅、鎢、鈦等；堿性拋光液常用于拋光非金屬材料，如硅、硅氧化物等。CMP拋光墊由高分子材料制成，主要為發(fā)泡體固化的聚氨酯。這種材料使拋光墊具有多孔性和表面粗糙性，可發(fā)揮打磨、傳導(dǎo)壓力、傳送拋光液、收集去除物等作用。拋光墊的硬度、密度、孔隙大小、彈性、修整頻率等性能會(huì)對(duì)拋光效果產(chǎn)生影響，其技術(shù)難點(diǎn)在于溝槽設(shè)計(jì)和使用壽命。拋光墊在使用后會(huì)逐漸“釉化”，為保持拋光墊使用效果，需要用調(diào)節(jié)器定期整修使其恢復(fù)粗糙，或更換新的拋光墊，拋光墊使用壽命在45至75小時(shí)之間。根據(jù)軟硬程度，拋光墊分為軟墊和硬墊，硬墊有助于提高材料去除率，軟墊有利于整體平面度，形成無缺陷表面。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)定義2000年前:2000前，中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)處于真空期，CMP工藝和拋光材料制造核心技術(shù)被國際巨頭壟斷。1965年，CMP工藝首次由美國的Monsanto公司提出，最初用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面，CMP拋光材料隨之開始研發(fā)。1991年，IBM公司首先將CMP工藝用于64MbDRAM的生產(chǎn)中，隨后該技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)會(huì)議和研究報(bào)告中迅速傳播，CMP拋光材料的應(yīng)用開始被廣泛討論。1995年以后，CMP工藝快速發(fā)展，在國際上大量應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展升級(jí)，CMP拋光材料的研發(fā)和應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。行業(yè)發(fā)展歷程真空期2000年后:2000年后，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移至中國，中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)隨之開始發(fā)展，但從全球看，美國、日本等國仍占據(jù)行業(yè)主導(dǎo)地位。這一時(shí)期，中國涌現(xiàn)了一批研發(fā)半導(dǎo)體CMP拋光材料的企業(yè)，如深圳力合、上海新安納、天津晶嶺、北京國瑞升、安集科技、時(shí)代立夫、蘇州觀勝、鼎龍股份等。上海新安納在二氧化硅研磨劑及工業(yè)制備技術(shù)領(lǐng)域打破國際技術(shù)壟斷，并實(shí)現(xiàn)大批量推廣；安集科技拋光液在130-28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N售，應(yīng)用于中國8英寸和12英寸主流晶圓生產(chǎn)線。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、國家政策和基金的扶持下，中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)將迎來快速成長(zhǎng)期，形成一批掌握核心制備技術(shù)的本土企業(yè)。發(fā)展期產(chǎn)業(yè)鏈上游中國半導(dǎo)體CMP拋光材料上游為原材料供應(yīng)商，主要為研磨劑企業(yè)，其他次要企業(yè)有化工企業(yè)、包裝材料企業(yè)和濾芯企業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造流程復(fù)雜，特別是集成電路領(lǐng)域?qū)κ褂玫腃MP拋光材料要求高，主要原材料研磨劑的制造技術(shù)掌握在國際企業(yè)手中，如日本富士、美國嘉柏等。研磨劑顆粒一般為納米級(jí)，技術(shù)難點(diǎn)在于均勻成核、生長(zhǎng)時(shí)抑制二次成核，且必須保持質(zhì)量穩(wěn)定、顆粒分布均勻、顆粒直徑均勻，才能在大量使用的過程中避免對(duì)硅片造成損傷。中國企業(yè)主要從美國、日本、韓國等國家的一些企業(yè)進(jìn)口原材料，全球行業(yè)格局呈現(xiàn)寡頭壟斷態(tài)勢(shì)。以安集科技為例，產(chǎn)品所需主要原材料為硅溶膠和氣相二氧化硅等研磨顆粒，從日本等國家進(jìn)口；包裝材料為高潔凈塑料桶，從韓國進(jìn)口。產(chǎn)業(yè)鏈上游半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)中游企業(yè)原材料大部分依靠進(jìn)口，主要原因是下游消費(fèi)終端為保障科研成果，對(duì)行業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定性要求較高，因此，中游科研用制備廠商更傾向于選擇儀器先進(jìn)、供應(yīng)鏈穩(wěn)定的進(jìn)口原材料供應(yīng)商。企業(yè)產(chǎn)品價(jià)格主要受市場(chǎng)供求關(guān)系的影響。由于半導(dǎo)體CMP拋光材料企業(yè)的產(chǎn)品毛利較高，原材料價(jià)格波動(dòng)不會(huì)對(duì)企業(yè)的盈利能力產(chǎn)生重大影響。產(chǎn)業(yè)鏈上游中國半導(dǎo)體CMP拋光材料的下游應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)榘雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)，其中集成電路為主要領(lǐng)域，占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模的80%以上，其他領(lǐng)域包括分立器件、光電子器件和傳感器等。美國作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)源國，從19世紀(jì)50年代起一直在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占據(jù)主導(dǎo)地位。20世紀(jì)60年代，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生第一次轉(zhuǎn)移，在日本政府的大力扶持下，日本成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國，并于20世紀(jì)80年代在生產(chǎn)力和市占率方面超越美國。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第二次轉(zhuǎn)移發(fā)生在20世紀(jì)90年代，韓國和中國臺(tái)灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，韓國三星成為全球頂尖半導(dǎo)體廠商，中國臺(tái)灣臺(tái)積電成為世界第一的晶圓代工廠，全球市場(chǎng)份額接近50%。2000年后中國開始承接全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第三次轉(zhuǎn)移，半導(dǎo)體材料行業(yè)也將隨著中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展而增長(zhǎng)。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)量和格局均受到集成電路行業(yè)的影響，集成電路行業(yè)技術(shù)進(jìn)步快、產(chǎn)品更新頻率高，促使CMP拋光材料同步快速更新:（1）技術(shù)方面，晶圓尺寸從8英寸擴(kuò)大至12英寸，芯片技術(shù)節(jié)點(diǎn)從10納米縮小至7納米，且繼續(xù)向5納米、3納米的物理極限靠近，制造過程因芯片尺寸的縮小更加復(fù)雜，對(duì)CMP拋光材料在穩(wěn)定性、使用壽命等各方面提出高難度挑戰(zhàn)；（2）產(chǎn)量方面，2018年中國集成電路行業(yè)銷售額達(dá)到6,532億元，較2017年增長(zhǎng)20.7%，CMP拋光材料市場(chǎng)也隨之增長(zhǎng)5%；（3）競(jìng)爭(zhēng)格局方面，集成電路行業(yè)集中度高，全球排名前列的晶圓代工廠有臺(tái)積電、三星、中芯國際、英特爾、聯(lián)電、華虹集團(tuán)等，隨著資金和技術(shù)壁壘的不斷提高，行業(yè)將維持寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局。CMP拋光材料企業(yè)需要通過下游客戶嚴(yán)格的長(zhǎng)周期認(rèn)證才能實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)，故下游客戶更傾向于跟技術(shù)、產(chǎn)能、質(zhì)量等方面領(lǐng)先的大型CMP拋光材料企業(yè)形成穩(wěn)定合作關(guān)系，中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)也將逐步形成寡頭壟斷格局。第二章行業(yè)環(huán)境分析02010203行業(yè)政策環(huán)境1《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國家戰(zhàn)略?！吨袊圃?025》定了至2020年集成電路自給率將達(dá)到40%、2025年達(dá)到50%的目標(biāo)，國家對(duì)集成電路領(lǐng)域整體的推動(dòng)利好CMP拋光材料等細(xì)分領(lǐng)域的發(fā)展。《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》將集成電路材料中使用的拋光液、研磨液列為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品，引導(dǎo)社會(huì)資源對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)加大投入，推動(dòng)CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展。國務(wù)院發(fā)改委國務(wù)院半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)政策支持十四五規(guī)劃政府報(bào)告國家政策領(lǐng)導(dǎo)講話國務(wù)院發(fā)布政策、十四五規(guī)劃、政府報(bào)告、領(lǐng)導(dǎo)講話等都有對(duì)半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)做了一些綱領(lǐng)性的指導(dǎo)，合理的解讀能夠?yàn)榘雽?dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)做了好的發(fā)展指引。行業(yè)政策支持半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)社會(huì)環(huán)境中國晶圓廠的大量投產(chǎn)，將帶動(dòng)上游國產(chǎn)CMP拋光材料行業(yè)的發(fā)展。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期存在供需不平衡現(xiàn)象，中國是全球第一大半導(dǎo)體消費(fèi)國，也是全球第一大半導(dǎo)體進(jìn)口國，制造設(shè)備和材料依賴進(jìn)口為主。隨著中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體的發(fā)展，對(duì)配套材料的需求將會(huì)持續(xù)上升，材料進(jìn)口替代效應(yīng)將逐步放大。以中芯國際為例，目前本土原料采購占比已超過50%。同時(shí)，在質(zhì)量得到保證的情況下，國產(chǎn)材料在價(jià)格、服務(wù)和物流方面比進(jìn)口產(chǎn)品更有優(yōu)勢(shì)，國產(chǎn)材料將贏得市場(chǎng)青睞。代表企業(yè)安集科技生產(chǎn)的CMP拋光液質(zhì)量穩(wěn)定，交貨時(shí)間為1個(gè)月左右，而價(jià)格僅為進(jìn)口產(chǎn)品的33%，目前已為中芯國際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華潤(rùn)微電子等企業(yè)批量供貨。2000年后，中國開始承接全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第三次轉(zhuǎn)移并迎來晶圓廠建廠潮。2018年中國共有46座晶圓制造廠，在12英寸和8英寸晶圓制造領(lǐng)域均有涉及。其中10座已經(jīng)投產(chǎn)，包括上海華力、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、臺(tái)積電（南京）、中芯（寧波）、大連英特爾等；9座產(chǎn)能處于爬坡期，包括中芯（深圳）、聯(lián)芯（廈門）、合肥晶合等；4座進(jìn)行擴(kuò)建，包括三星（中國）、SK海力士（中國）等；有21座在建，包括中芯南方、華虹半導(dǎo)體（無錫）、南京紫光、廈門士蘭集科等；2座在規(guī)劃中，分別為華潤(rùn)微電子重慶基地和矽力杰青島項(xiàng)目。2019年全球有9條12英寸晶圓生產(chǎn)線投產(chǎn)，其中5條在中國。行業(yè)社會(huì)環(huán)境行業(yè)社會(huì)環(huán)境隨著半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展，電子器件的尺寸越來越小，所以對(duì)半導(dǎo)體原材料晶片表面的平整度要求也越來越高，達(dá)到納米級(jí)別。對(duì)晶片表面處理的傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有熱流法、旋轉(zhuǎn)玻璃法、回蝕法、選擇淀積等，但這些都只能做到局部的平面化，不能達(dá)到全局平面化。2019年晶圓制造材料市場(chǎng)出貨量為118.1億平方英寸，同比下降7%。晶圓制造中，對(duì)CMP材料的需求占比約7%。行業(yè)社會(huì)環(huán)境2019年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)營(yíng)收為521億美元，較上一年相比略微下降1%。其中，中國大陸地區(qū)營(yíng)收達(dá)88.6億美元，同比增長(zhǎng)9%，也是全球唯一出現(xiàn)增長(zhǎng)的材料市場(chǎng)。半導(dǎo)體材料應(yīng)用廣泛，主要包括集成電路（邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等）、光電子器件（光源、顯示器、光伏等）、分立器件和傳感器。其中，集成電路應(yīng)用最廣泛，因?yàn)橹袊鴩a(chǎn)化需求旺盛，2018年中國大陸的集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)6532億元，同比增長(zhǎng)20.7%。隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等下游市場(chǎng)的爆發(fā)，上游半導(dǎo)體材料亦大有可為，根據(jù)ICInsights預(yù)測(cè)，2016至2021年，整個(gè)IC市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率為7.9%，其中汽車和物聯(lián)網(wǎng)帶來的增長(zhǎng)率為14%和12%。第三章行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀03行業(yè)現(xiàn)狀隨著半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展，電子器件的尺寸越來越小，對(duì)半導(dǎo)體原材料晶片表面的平整度要求也越來越高，達(dá)到納米級(jí)別。對(duì)晶片表面處理的傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有熱流法、旋轉(zhuǎn)玻璃法、回蝕法、選擇淀積等，但這些都只能做到局部的平面化，不能達(dá)到全局平面化。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）不但能夠?qū)杵砻孢M(jìn)行局部處理，同時(shí)也可以對(duì)整個(gè)硅片表面進(jìn)行平坦化處理,是目前唯一能兼顧表面全局和局部平坦化的技術(shù)。它可以平整晶片表面的不平坦區(qū)域，屬于化學(xué)作用和機(jī)械作用相結(jié)合的技術(shù)，使芯片制造商能夠繼續(xù)縮小電路面積并擴(kuò)展光刻工具的性能。每個(gè)晶圓的生產(chǎn)，都需要對(duì)晶片進(jìn)行多次CMP拋光才得以實(shí)現(xiàn)。行業(yè)現(xiàn)狀半導(dǎo)體CMP拋光材料在集成電路的制造成本中約占7%左右，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的高端耗材，與下游芯片產(chǎn)量正向相關(guān)。得益于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，下游行業(yè)對(duì)半導(dǎo)體CMP拋光材料的需求穩(wěn)步增長(zhǎng)。中國半導(dǎo)體CMP拋光材料的市場(chǎng)銷售規(guī)模在2018年達(dá)到28.0億元，2014年至2018年年復(fù)合增長(zhǎng)率為9.9%。2019年至2023年中國CMP拋光材料市場(chǎng)將繼續(xù)以6.9%的增速增長(zhǎng)，在2023年達(dá)到38.7億元，其中，CMP拋光液的市場(chǎng)規(guī)模約為CMP拋光墊的7倍。CMP拋光液市場(chǎng)銷售規(guī)模從2014年的11億元增長(zhǎng)到2018年的17.7億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為10.0%，CMP拋光液2019年至2023年的年復(fù)合增長(zhǎng)率為6.9%，在2023年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到24億元。CMP拋光墊過去五年年復(fù)合增長(zhǎng)率為9.7%，2018年市場(chǎng)規(guī)模為10.3億元，將以7.0%的年復(fù)合增長(zhǎng)率繼續(xù)增長(zhǎng)，至2023年市場(chǎng)規(guī)模為13億元。01020304行業(yè)現(xiàn)狀拋光墊拋光墊一般由聚胺脂做成，有像海綿一樣的機(jī)械特性和多孔吸水特性，主要型號(hào)有IC1000、IC1400、IC2000、SUBAIV等，其中IC1000和SUBAIV是用得最廣的。拋光墊表面包括一定密度的微凸峰，也有許多微孔，不僅可以去除硅片表面材料，而且還起到存儲(chǔ)和運(yùn)輸拋光液、排除拋光過程產(chǎn)物的作用。拋光墊全球市場(chǎng)集中，前5大廠商占據(jù)91%的份額，目前中國大陸僅鼎龍股份有能力提供。鼎龍股份原為打印機(jī)耗材龍頭，但早早地就看到半導(dǎo)體材料的前景，從13年開始立項(xiàng)，熬到16年8月才完成建廠，一直到17年才拿到第一張訂單。2018年，鼎龍股份的CMP拋光墊賣出314萬元，2019年賣出1230萬元，2020年上半年賣出2102萬元，增長(zhǎng)迅猛，但和巨頭比差距甚大。而且因?yàn)閷＠趬?，代表未來趨?shì)的12英寸晶圓用的開窗口拋光墊專利被美國公司占有，國內(nèi)僅有DOW獲得授權(quán)生產(chǎn)銷售，鼎龍股份是從8英寸無窗口拋光墊入手，12英寸硅片用的拋光墊還處在客戶測(cè)試階段。拋光液是CMP技術(shù)決定性因素拋光液市場(chǎng)占整個(gè)半導(dǎo)體材料的3~4%。拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，主要起到拋光、潤(rùn)滑、冷卻的作用。是CMP技術(shù)中的決定性因素之一，其性能直接影響被加工工件表面的質(zhì)量以及拋光加工的效率。從拋光液全球市場(chǎng)格局來看，全球主要供應(yīng)商主要為7-8家。長(zhǎng)期以來，全球化學(xué)機(jī)械拋光液市場(chǎng)被美日企業(yè)所壟斷。全球拋光液行業(yè)市場(chǎng)TOP3分別是:卡博特市占率為33%、日立市占率為13%、富士美市占率為10%。其中卡博特全球拋光液市場(chǎng)占有率最高，但已從2000年的約80%下降至2019年的約36%，表明全球拋光液市場(chǎng)正朝多元化方向發(fā)展，地區(qū)本土化自給率提升。熱點(diǎn)三行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量整體提高熱點(diǎn)二科研服務(wù)市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)熱點(diǎn)一半導(dǎo)體CMP拋光材料應(yīng)用領(lǐng)域廣泛半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)具有市場(chǎng)空間廣闊、銷售范圍廣、用戶分散、單批數(shù)量少、銷售單價(jià)高等特點(diǎn)。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)技術(shù)提升，多元化科研服務(wù)平臺(tái)持續(xù)擴(kuò)張，促進(jìn)高價(jià)值服務(wù)企業(yè)品牌形成。行業(yè)產(chǎn)品化發(fā)展，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的綜合性科研服務(wù)企業(yè)逐漸增多。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量有待提升制約半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展。行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊，導(dǎo)致研究結(jié)果可靠性難以保證，產(chǎn)品喪失市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)難形成統(tǒng)一的監(jiān)督管理規(guī)范,產(chǎn)品質(zhì)量主要靠企業(yè)自主檢測(cè)保障，監(jiān)管難度大。中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)產(chǎn)品主要集中在中低端領(lǐng)域，高端領(lǐng)域被外資企業(yè)壟斷，產(chǎn)品品質(zhì)有待進(jìn)一步提升。行業(yè)熱點(diǎn)關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞在需求方面，集成電路技術(shù)的進(jìn)步使CMP拋光材料行業(yè)市場(chǎng)擴(kuò)容。在供給方面，CMP拋光材料是高價(jià)值、高消耗材料，資本進(jìn)入該領(lǐng)域動(dòng)力大，推動(dòng)中國半導(dǎo)體CMP拋光材料供應(yīng)企業(yè)數(shù)量增加；需求和供應(yīng)動(dòng)力強(qiáng)勁行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素1內(nèi)外政策促進(jìn)中國行業(yè)發(fā)展中國政策對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的鼓勵(lì)和國際政策策對(duì)半導(dǎo)體材料的出口管制促進(jìn)中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展。一方面，中國政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度重視，出臺(tái)各項(xiàng)政策并成立國家產(chǎn)業(yè)基金大力扶持；另一方面，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵材料，國際政府對(duì)CMP拋光材料進(jìn)行出口管制，利好中國CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移對(duì)上游國產(chǎn)材料產(chǎn)生大量需求，促使CMP拋光材料等一系列配套材料本土化生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模進(jìn)口替代，改善當(dāng)前半導(dǎo)體CMP拋光材料進(jìn)口依賴度達(dá)90%以上的局面。全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，進(jìn)口替代空間大行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素2中國和國際策促進(jìn)行業(yè)發(fā)展一方面，中國政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度重視，出臺(tái)各項(xiàng)政策并成立國家產(chǎn)業(yè)基金大力扶持。另一方面，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵材料，外國政府對(duì)CMP拋光材料進(jìn)行出口管制，利好中國CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展；第四章行業(yè)前景趨勢(shì)04ABC國際專利保護(hù)和技術(shù)封鎖是中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展的障礙之一。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，國際巨頭擁有先發(fā)優(yōu)勢(shì)，掌握核心技術(shù)，對(duì)專有技術(shù)嚴(yán)格保密并申請(qǐng)專利保護(hù)，從產(chǎn)品的外形、設(shè)計(jì)、功能、工藝、生產(chǎn)過程、相關(guān)因素等方面申請(qǐng)專利，形成專利包，其他企業(yè)一旦使用相關(guān)技術(shù)便會(huì)侵犯專利，對(duì)中國半導(dǎo)體CMP拋光材料企業(yè)的研發(fā)產(chǎn)生不利影響。如美國嘉柏的拋光液產(chǎn)品使用3D氣相研磨顆粒技術(shù)，由二氧化硅在1,700至1,800攝氏度燒制而成。美國嘉柏對(duì)該項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行專利申請(qǐng)，導(dǎo)致中國企業(yè)無法使用該項(xiàng)技術(shù)生產(chǎn)產(chǎn)品，限制產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。國際專利保護(hù)、技術(shù)封鎖阻礙發(fā)展行業(yè)發(fā)展問題下游客戶認(rèn)證壁壘高、周期長(zhǎng)，對(duì)中國半導(dǎo)體CMP拋光材料企業(yè)的銷售產(chǎn)生制約。芯片生產(chǎn)采取大批量制作模式，工藝復(fù)雜、流程多，需要?dú)v經(jīng)2,000～5,000道工序，每一道工序使用材料的穩(wěn)定性對(duì)最終晶圓良率有重大影響。若拋光材料的品質(zhì)無法保持穩(wěn)定，將造成大批量硅片磨損，損失巨大。同時(shí)，更換CMP材料供應(yīng)商意味著對(duì)已形成穩(wěn)定的工藝流程進(jìn)行調(diào)整，需要花費(fèi)很多的人力和成本，產(chǎn)生不可控制的風(fēng)險(xiǎn)，影響最終成品質(zhì)量。故下游客戶對(duì)材料供應(yīng)商的認(rèn)證十分嚴(yán)格，整個(gè)認(rèn)證周期可達(dá)1～2年，需要經(jīng)過初評(píng)、產(chǎn)品報(bào)價(jià)、樣品檢測(cè)、穩(wěn)定性檢測(cè)、考察關(guān)鍵指標(biāo)、與主流產(chǎn)品對(duì)比分析、長(zhǎng)達(dá)半年至一年的小批量試用、生產(chǎn)線考察等認(rèn)證步驟。下游認(rèn)證壁壘高、周期長(zhǎng)制約發(fā)展中國半導(dǎo)體行業(yè)高端人才緊缺，限制中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體CMP拋光材料技術(shù)含量高，中國缺少在研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面的專業(yè)技術(shù)人員。一方面，專業(yè)人才在研究背景和實(shí)踐操作方面都需具有豐富經(jīng)驗(yàn)，理解生產(chǎn)工藝中的關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)；另一方面，專業(yè)人才還需把握半導(dǎo)體整個(gè)產(chǎn)業(yè)和技術(shù)未來的發(fā)展趨勢(shì)，配合下游產(chǎn)業(yè)開發(fā)出客戶需要的產(chǎn)品，并在之后的供應(yīng)中提供專業(yè)技術(shù)支持。而中國目前在半導(dǎo)體領(lǐng)域的人才儲(chǔ)備少、企業(yè)院校對(duì)人才的培養(yǎng)滯后導(dǎo)致專業(yè)人才匱乏，制約半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展。高端人才緊缺限制發(fā)展半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展建議發(fā)展建議1發(fā)展建議2發(fā)展建議3提升產(chǎn)品質(zhì)量（1）政府方面：政府應(yīng)當(dāng)制定行業(yè)生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)生產(chǎn)流程，并成立相關(guān)部門，對(duì)科研用半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等各個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行監(jiān)督，形成統(tǒng)一的監(jiān)督管理體系，完善試劑流通環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，重點(diǎn)加強(qiáng)冷鏈運(yùn)輸環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)，保證半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量，促進(jìn)行業(yè)長(zhǎng)期穩(wěn)定的發(fā)展；（2）生產(chǎn)企業(yè)方面：半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)應(yīng)嚴(yán)格遵守行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范，保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。目前市場(chǎng)上已有多個(gè)本土半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)企業(yè)加強(qiáng)生產(chǎn)質(zhì)量的把控，對(duì)標(biāo)優(yōu)質(zhì)、高端的進(jìn)口產(chǎn)品，并憑借價(jià)格優(yōu)勢(shì)逐步替代進(jìn)口。此外，半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)企業(yè)緊跟行業(yè)研發(fā)潮流，加大創(chuàng)新研發(fā)力度，不斷推出新產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，也是未來行業(yè)發(fā)展的重要趨勢(shì)。全面增值服務(wù)單一的資金提供方角色僅能為半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)企業(yè)提供“凈利差”的盈利模式，半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)日趨嚴(yán)重，利潤(rùn)空間不斷被壓縮，企業(yè)業(yè)務(wù)收入因此受影響，商業(yè)模式亟待轉(zhuǎn)型除傳統(tǒng)的半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)需求外，設(shè)備管理、服務(wù)解決方案、貸款解決方案、結(jié)構(gòu)化融資方案、專業(yè)咨詢服務(wù)等方面多方位綜合性的增值服務(wù)需求也逐步增強(qiáng)。中國本土半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)龍頭企業(yè)開始在定制型服務(wù)領(lǐng)域發(fā)力，鞏固行業(yè)地位多元化融資渠道可持續(xù)公司債等創(chuàng)新產(chǎn)品，擴(kuò)大非公開定向債務(wù)融資工具（PPN）、公司債等額度獲取，形成了公司債、PPN、中期票據(jù)、短融、超短融資等多產(chǎn)品、多市場(chǎng)交替發(fā)行的新局面；企業(yè)獲取各業(yè)態(tài)銀行如國有銀行、政策性銀行、外資銀行以及其他中資行的授信額度，確保了銀行貸款資金來源的穩(wěn)定性。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)企業(yè)在保證間接融資渠道通暢的同時(shí)，能夠綜合運(yùn)用發(fā)債和資產(chǎn)證券化等方式促進(jìn)自身融資渠道的多元化，降低對(duì)單一產(chǎn)品和市場(chǎng)的依賴程度，實(shí)現(xiàn)融資地域的分散化，從而降低資金成本，提升企業(yè)負(fù)債端的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。以遠(yuǎn)東宏信為例，公司依據(jù)自身戰(zhàn)略發(fā)展需求，堅(jiān)持“資源全球化”戰(zhàn)略，結(jié)合實(shí)時(shí)國內(nèi)外金融環(huán)境，有效調(diào)整公司直接融資和間接融資的分布結(jié)構(gòu)，在融資成本方面與同業(yè)相比優(yōu)勢(shì)突出。行業(yè)建議行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)1發(fā)展低端、大批量應(yīng)用產(chǎn)品在中國半導(dǎo)體CMP拋光材料發(fā)展的初期，開發(fā)低端、大批量應(yīng)用拋光材料可成為中國企業(yè)快速擴(kuò)張、占領(lǐng)市場(chǎng)、實(shí)現(xiàn)盈利的有效策略。在低端應(yīng)用領(lǐng)域，如分立器件，對(duì)CMP拋光材料的要求相對(duì)集成電路領(lǐng)域較低，但在生產(chǎn)過程中需要大批量使用，中國企業(yè)在技術(shù)上容易突破，且研發(fā)成本不高，銷售價(jià)格較國際產(chǎn)品低，可在短期內(nèi)完全實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。以分立器件為例，需要大量使用CMP拋光液，且下游應(yīng)用廣泛，在快消電子品和不需要集成電路的低成本電路中均有應(yīng)用，如汽車電子、電子玩具、電子照明等。中國是全球最大的分立器件生產(chǎn)基地，對(duì)上游CMP拋光液需求大。企業(yè)兼并收購加快技術(shù)升級(jí)中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)兼并收購和投資活動(dòng)加劇助推技術(shù)快速升級(jí)。高端拋光材料制造技術(shù)的研發(fā)難度高、投入大，單個(gè)企業(yè)短時(shí)間內(nèi)難以實(shí)現(xiàn)突破，通過收購擁有技術(shù)的中國小微企業(yè)或與領(lǐng)先的國際企業(yè)合作，中國半導(dǎo)體CMP拋光行業(yè)技術(shù)水平將加快提升。一方面，中國企業(yè)通過收購、并購等方式整合半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)資源。在國家“02重大專項(xiàng)”、《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》等各項(xiàng)政策的大力推動(dòng)下，中國半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)獲得了一定的發(fā)展，涌現(xiàn)了一些擁有先進(jìn)技術(shù)的小微企業(yè)。有意進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大型企業(yè)通過收購這些先進(jìn)小微企業(yè)，可快速獲取專業(yè)技術(shù)，并為研發(fā)投入提供有力支持，加快技術(shù)研發(fā)的進(jìn)程。行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)2半導(dǎo)體先進(jìn)制程推動(dòng)CMP行業(yè)發(fā)展CMP主要用于淺槽隔離(STI)拋光、銅的研磨與拋光、高k金屬柵的拋光、FinFET晶體管的虛擬柵CMP、GST的CMP、埋入字線DRAM存儲(chǔ)器的柵CMP、高遷移率溝道材料未來的CMP等工藝。隨著芯片制程不斷精細(xì)，拋光材料種類和用量也迅速增長(zhǎng)。比如14納米以下邏輯芯片工藝要求的關(guān)鍵CMP工藝將達(dá)到20步以上，使用的拋光液將從90納米的五六種拋光液增加到二十種以上；7納米及以下邏輯芯片工藝中CMP拋光步驟甚至可能達(dá)到30步，使用的拋光液種類接近三十種。而存儲(chǔ)芯片由2DNAND向3DNAND技術(shù)變革，也會(huì)使CMP拋光步驟數(shù)近乎翻倍。根據(jù)卡博特?cái)?shù)據(jù)，當(dāng)邏輯芯片制程達(dá)到5納米時(shí)，約25%-30%生產(chǎn)步驟都要用到拋光液。存儲(chǔ)芯片由2DNAND升級(jí)到3DNAND后由于結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，拋光次數(shù)增加，且約50%生產(chǎn)步驟需要用到拋光液。固定磨料化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)新的平坦化技術(shù)研發(fā)主要集中在將磨料固定在有機(jī)薄膜基材表面上，形成新的拋光墊來替代傳統(tǒng)拋光墊的固定磨料化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（FixedCMP，F(xiàn)A-CMP）。通過使用不含有磨料的拋光液，直接通過拋光液與硅片之間化學(xué)腐蝕作用及拋光墊和硅片之間的摩擦作用去除表面材料實(shí)現(xiàn)硅片全局平坦化的無磨料化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（Abrasive-freeCMP，AF-CMP）。在傳統(tǒng)電化學(xué)銅沉積工藝基礎(chǔ)上，在兩個(gè)電極之間增加非導(dǎo)體多孔拋光墊，在利用拋光墊干擾作用實(shí)現(xiàn)選擇性電化學(xué)銅沉積同時(shí)，利用拋光墊的機(jī)械摩擦和拋光作用去除多余銅沉積層而達(dá)到平坦化目的的電化學(xué)沉積技術(shù)（Electrochemicalmechanicaldeposition，ECMD）。依靠電流密度效應(yīng)按一系列同心環(huán)對(duì)銅結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行平坦化的無應(yīng)力拋光技術(shù)（Stress-Freepolishing，SFP）。通過壓力將要平坦化的物體壓平的接觸平坦化（Contactplanarization，CP）。通過控制等離子噴嘴的位置和速度，對(duì)凹凸表面進(jìn)行局部加工的等離子輔助化學(xué)刻蝕（Plasmaassistedchemicaletching，PACE）等。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化與定制化界限被打破，未來趨于融合。標(biāo)準(zhǔn)化加微定制的產(chǎn)品戰(zhàn)略，有效平衡企業(yè)操作層面與消費(fèi)者需求層面的矛盾讓消費(fèi)者既擁有足夠的確定性，也有足夠的彈性。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)大數(shù)據(jù)應(yīng)用使得實(shí)際操作和施工賦能方式深入介入，使得平臺(tái)從簡(jiǎn)單的流量供給入口轉(zhuǎn)變?yōu)楣ぞ吖┙o、技術(shù)供給、工人供給的模式。中國消費(fèi)升級(jí)倒逼半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)提高服務(wù)質(zhì)量，用戶需求從獲取公司信息并與公司對(duì)接暢通轉(zhuǎn)變?yōu)楦幼⒅伢w驗(yàn)注重實(shí)際的效果，滿足用戶需求，提供個(gè)性化定制服務(wù)，成為半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)新的發(fā)展方向。行業(yè)面臨洗牌標(biāo)準(zhǔn)化趨勢(shì)融合行業(yè)平臺(tái)職能轉(zhuǎn)化注重用戶體驗(yàn)由于新冠疫情對(duì)經(jīng)濟(jì)的巨大沖擊，各行各業(yè)都面臨資源重新洗牌，因此半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)也進(jìn)入洗牌期。下游企業(yè)缺乏核心技術(shù)。投資融資主要集中于行業(yè)主流企業(yè)，對(duì)中小企業(yè)面臨巨大挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)發(fā)展前景趨勢(shì)行業(yè)發(fā)展前景趨勢(shì)半導(dǎo)體CMP拋光材料行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)服務(wù)更新速度不夠，不能及時(shí)適應(yīng)用戶的需求。服務(wù)更新慢實(shí)體經(jīng)濟(jì)遭遇疫情“黑天鵝”疫情持續(xù)，對(duì)經(jīng)濟(jì)持續(xù)沖擊。另一個(gè)是“灰犀?！?，債務(wù)衰退，在這次應(yīng)對(duì)疫情的過程中，各國都用了非常多的財(cái)政政策，發(fā)了很多國債，全球范圍內(nèi)國債水平相對(duì)于GDP上升了18%，