電子零件IQC檢驗測試項目及方法

1、電子元器件檢驗方法目錄一二三四五六七八九電容電阻電感二極體電晶體穩(wěn)壓管光電耦合器ICPCB板一電容1分類陶瓷電容鋁質電解電容鉭質電解電容晶片積層電容及材質Y5V/X7R/NPO2外觀檢驗用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗電容無爆裂吃錫不良等現象。3尺寸檢驗用游標卡尺根據廠商承認書規(guī)格進行測量測量值應在規(guī)定范圍內。4電容值在廠商規(guī)定的測試條件下用3260B(電橋)進行測量將儀器調至電容“C”檔位測獲取值為標準值加上公差應在規(guī)定范圍內。5耐壓性在廠商規(guī)定的測試條件下用GPI-735&GPR-7510HD(直流高壓機&電源供給器)進行測量測試條件根據資料的額定電壓正向連接測試結果應不會被擊穿。6耐熱性

2、將電容浸入2605(業(yè)界)錫爐中經10秒后取出來在常溫下靜置1小時以上2小時以下將電容過AirReflow【260+0/-5時間為1030秒(業(yè)界)】總程6分鐘後取出在常溫下靜置1小時以上2小時以下再測量其值A.測試結果應在標準值加上公差范圍內B.表面應該無異常變化。C.此為資料必檢項目。7焊錫性浸助焊劑后將電容浸入2355(業(yè)界)錫溶液中經20.5秒取出其電容兩端95%以上附著新錫檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。此為資料必檢項。二電阻1分類以插件加工分類DIP(色環(huán)電阻)SMD(晶片電阻)按功率分類1/20,1/10,1/8,1/4,1/2等。常見材質碳膜電阻(常用電阻6805%1/

3、8W)金屬氧化皮膜繞線電阻。測偵用途光敏電阻壓敏電阻熱敏電阻等。2外觀檢驗用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗電阻無爆裂吃錫不良等現象。3尺寸檢驗用游標卡尺根據廠商供應的承認書規(guī)格進行檢驗。晶片電阻常用代號來表示。有06030805120618101812。4色環(huán)電阻表示圖第1頁，共6頁誤差倍率有效數位有效數位阻值用3260B(電橋)進行測量測獲取值為標準值加上公差應在規(guī)定范圍內。通過色環(huán)來辨認具體為黑棕紅橙黃綠藍紫灰白0123456789計數方法DDD*10nT平時最后一環(huán)表示精度T(公差)。其次為倍率n。C.前面為有效數位(十進制)。附誤差棕1%紅2%綠5%藍0.25%紫0.1%灰0.05%金

4、10%銀5%晶片電阻常用代碼表示晶片電阻外觀尺寸及阻值“473”表示“47K比方470/”“1542表”示“15.4K”5%/1/8w/1206,1K5%1/10W1206,4705%1/4W1206,1.2K5%1/10W0805等。字母代碼與公差對應BDFGJKEM0.1%0.5%1%2%5%10%15%20%耐壓(廠商供應標準值)可根據U=PR來計算。5耐熱性將電阻浸入2605(業(yè)界)錫爐中經10秒后取出來在常溫下靜置將電阻過AirReflow【260+0/-5時間為1030秒(業(yè)界)】總程小時以下再測量其值1小時以上2小時以下6分鐘後取出在常溫下靜置1小時以上2測試結果應在標準值加上公

5、差范圍內表面應該無異常變化。此為資料必檢項目。6焊錫性浸助焊劑后將電阻浸入2355(業(yè)界)錫溶液中經20.5秒取出其電阻兩端95%以上附著新錫檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。此為資料必檢項。三電感1分類固定電感元件扼流圈振蕩線圈(常用在電視設備)按工作原理可分為電感線圈和變壓器常用片狀臥式立式電感及自繞電感(我廠在轉換器中使用電感濾除高頻幹擾)第2頁，共6頁2外觀檢驗目視電感有無外觀破損腳斷之現象標記可否正確PIN腳有無變形變色狀況發(fā)生。3尺寸檢驗用游標卡尺根據廠商規(guī)格檢驗電感本體長度寬度帶PIN之電感基本測試尺寸還包括PIN腳之腳長度腳間距相對二腳間之距離腳厚度。其他測試要點依照資料

6、規(guī)格書所示測試結果應在規(guī)定公差范圍內。4電感量也稱電自感系數表示電感元件自感應能力的一種物理量(電磁慣性大小)常通過一個線圈的磁通(通過某一面積的磁力線數目)來發(fā)生變化產生的電勢為感生電動勢它正比于磁通變化的速度和線圈匝數。注意電感即表示一個單位符號量綱同時又表示一個物件。5感抗XL與電感L品質因數Q頻率f有關一般未列在規(guī)格書上。計算公式XL=jL6品質因數(可用WK3260B測試)在額定頻率下的交流電壓下工作時感抗和等效損耗電阻之比即為Q值其公式為LQ=R線圈的感抗越大損耗電阻越小其Q值越高。當f較高時鐵芯線圈及浸漬物的介質損耗導線高頻趨膚效應損耗等影響較為明顯。Q值越高電路的損耗越小效率越

7、高。7直流電阻用3260B(電橋)或萬用表之歐姆檔測試。8額定電流指允許長時間通過電感元件的直流電流值。選用時應該注意電流不得高于規(guī)格。9單位L表示電感單位為亨利英文表示為H。1H=103mH=106uH常見公差JKEMN5%10%15%20%+40%-20%10耐熱性將電感PIN腳浸入2605(業(yè)界)錫爐中經10秒后取出來在常溫下靜置1小時以上2小時以下外觀應無異常變化無特點不良等現象。將電感過AirReflow【260+0/-5時間為1030秒(業(yè)界)】總程6分鐘後取出在常溫下靜置1小時以上小時以下外觀應無異常變化無特點不良等現象。此為必檢項目。11焊錫性浸助焊劑后將二極管浸入2355(業(yè)

8、界)錫溶液中經20.5秒取出二極管兩端95%以上附著新錫檢測使用2儀器XTJ-4400(顯微鏡)。此為必檢項目。四二極體1外觀檢驗用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗二極體無裂痕殘缺等外觀不良現象。2尺寸檢驗用游標卡尺根據廠商規(guī)格檢驗二極體本體長度寬度腳長度腳間距相對二腳間之距離腳厚度其他測試要點依照資料規(guī)格書所示測試結果應在規(guī)定公差范圍內。3正向導通電阻第3頁，共6頁用萬用表測試紅表筆接正極黑表筆接負極測量值應在0.50.65K黑色標記的一端為負極。若兩方向之讀數均高則二極管斷路。反之為短路。硅管正向電阻為數百至數千歐反向1M歐以上。鍺管正向電阻為數101000。4逆向耐壓值逆向耐壓值比方100

9、V用GPI-735&GPR-7510HD(直流高壓機&電源供給器極黑表筆接正極經過10秒后二極管不被擊穿。具體測試方法如附件范圍內。表筆反接阻值湊近無窮大帶)進行測試反接于電路中即紅表筆接負5耐熱性將二極體浸入2605(業(yè)界)錫爐中經10秒后取出來在常溫下靜置變化無特點不良等現象。將二極體過AirReflow【260+0/-5時間為1030秒(業(yè)界)】總程1小時以上2小時以下外觀應無異常6分鐘後取出在常溫下靜置1小時以上小時以下外觀應無異常變化無特點不良等現象。此為必檢項目。6焊錫性浸助焊劑后將二極管浸入2355(業(yè)界)錫溶液中經20.5秒取出二極管兩端95%以上附著新錫檢測使用儀器XTJ-4

10、400(顯微鏡)。此為必檢項目。五電晶體1分類DIP(ATVSPTTO-92)有2SD18632SD1768SKSD1616A等。SMD(SOT-23,SMT3,MPT3,SOT-89)有KST44012SC2411K2SD16642SD1898等。2外觀檢驗用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗電晶體無裂痕殘缺等外觀不良現象。3尺寸檢驗用游標卡尺根據廠商規(guī)格檢驗電晶體本體長度寬度腳長度腳間距相對二腳間之距離腳厚度其他測試要點如資料規(guī)格書所示測試結果應在規(guī)定公差范圍內。4電晶體腳位的判別電晶體三個電極分別為基極(B)集電極(C)發(fā)射極(E)電晶體類型分別為PNP型及NPN型兩類將印字面正對自己從左到

11、右依次為e,c,b外型如圖一所示。5測試方法及腳位說明詳見附件。123ecb6放大倍數h(圖一)FE利用儀器MY-65(數字萬用表)hFE檔來測量將三極管按NPN或PNP的腳位插好讀取數據。DIP直接測量SMD需連線一般在300左右。7耐壓若是VCE耐壓為60V左右VCBO耐壓為120V左右用GPI-735&GPR-7510HD(直流高壓機&電源供給器)設定為60V紅表筆接c極黑表筆接e極經10秒后三極管不被擊穿。同樣方法測試VCBO,電壓設定為120V紅表筆接c極黑表筆接b極經10秒后三極管不被擊穿。8耐熱性將電晶體浸入2605(業(yè)界)錫爐中經10秒后取出在常溫下靜置1小時以上2小時以下測量

12、hFE值可否在規(guī)格范圍以內表面無異常變化。將電晶體過AirReflow【260+0/-5時間為1030秒(業(yè)界)】總程6分鐘後取出在常溫下靜置1小時以上小時以下表面無異常變化此為資料必檢項目。9焊錫性第4頁，共6頁浸助焊劑后將電晶體浸入2355(業(yè)界)錫溶液中經20.5秒取出電晶體PIN腳95%以上附著新錫檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。此為資料必檢項。六穩(wěn)壓管1外觀檢驗用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗穩(wěn)壓管無裂痕殘缺等外觀不良現象。2尺寸檢驗用游標卡尺根據廠商規(guī)格檢驗穩(wěn)壓管本體長度寬度腳長度腳間距相對二腳間之距離腳厚度其他測試要點如資料規(guī)格書所示測試結果應在規(guī)定公差范圍內。*輸入端公

13、共端輸出端判斷以正面(印字)正對自己從左到右依次為輸入公共輸出。其外觀表示圖以下1.OUTPUT輸出端2.COMMON共用端3.INPUT輸入端2耐熱性將穩(wěn)壓管浸入2605(業(yè)界)錫爐中經10秒后取出在常溫下靜置1小時以上2小時以下表面無異常變化進行產品試作應吻合特點要求。將穩(wěn)壓管過AirReflow【260+0/-5時間為1030秒(業(yè)界)】總程6分鐘後取出在常溫下靜置1小時以上小時以下表面無異常變化進行產品試作應吻合特點要求此為資料必檢項目。3焊錫性浸助焊劑后將穩(wěn)壓管浸入2355(業(yè)界)錫溶液中經20.5秒取出穩(wěn)壓管PIN腳95%以上附著新錫檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。此為必檢

14、項目。七光電耦合器(調壓管應配合使用增加取樣電路。)表示圖(竹一PC817C)1.ANODE陽極2.CATHODE陰極3.EMITTER發(fā)射極4.COLLECTOR集電極1外觀檢驗用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗穩(wěn)壓管無裂痕殘缺等外觀不良現象。2尺寸檢驗用游標卡尺根據廠商規(guī)格檢驗光電耦合器本體長度寬度腳長度腳間距相對二腳間之距離腳厚度其他測試要點如資料規(guī)格書所示測試結果應在規(guī)定公差范圍內。3特點檢驗用兩個萬用表1K檔。分別接1234腳位(正向連接)在回路中串上發(fā)光管用以顯示可在萬用表上讀數0.6K左右即OK。(此時發(fā)光管發(fā)光。)由于儀器關系只有通過試作轉換器產品進行特點檢驗查其可否吻合我司所規(guī)

15、定的電氣要求。4耐熱性第5頁，共6頁將光電耦合器浸入2605(業(yè)界)錫爐中經10秒后取出在常溫下靜置1小時以上2小時以下表面無異常變化進行產品試作應吻合特點要求。將光電耦合器過AirReflow【260+0/-5時間為1030秒(業(yè)界)】總程6分鐘後取出在常溫下靜置1小時以上2小時以下表面無異常變化進行產品試作應吻合特點要求此為資料必檢項目。5焊錫性浸助焊劑后將光電耦合器浸入2355(業(yè)界)錫溶液中經20.5秒取出光電耦合器PIN腳95%以上附著新錫檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。此為資料必檢項目。八IC1外觀檢驗用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗IC無裂痕殘缺本體表面標記的正確性(1腳

16、位)等外觀不良現象。2尺寸檢驗用游標卡尺根據廠商規(guī)格檢驗IC本體長度寬度腳長度腳間距相對二腳間之距離腳厚度其他測試要點如資料規(guī)格書所示測試結果應在規(guī)定公差范圍內。3特點測試由于儀器關系只有通過試作轉換器產品進行特點檢驗查其可否吻合我司所規(guī)定的電氣要求。4耐熱性將IC浸入2605(業(yè)界)錫爐中經10秒后取出在常溫下靜置1小時以上2小時以下表面無異常變化進行產品試作應吻合特點要求。將IC過AirReflow【260+0/-5時間為1030秒(業(yè)界)】總程6分鐘後取出在常溫下靜置1小時以上2小時以下表面無異常變化進行產品試作應吻合特點要求此為資料必檢項目。焊錫性浸助焊劑后將IC浸入2355(業(yè)界)錫溶液中經20.5秒取出ICPIN腳有95%以上附著新錫檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。此為資料必檢項目。九PCB板1外觀檢驗視檢