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認(rèn)證信息

認(rèn)證類型：個(gè)人認(rèn)證

認(rèn)證主體：吳**（實(shí)名認(rèn)證）

IP屬地：廣東

IP屬地：廣東 上傳時(shí)間：2022-10-09 格式：PPT 頁(yè)數(shù)：12 大?。?.33MB 積分：15 舉報(bào) 版權(quán)申訴

1、二極管單向?qū)щ娫淼?頁(yè)，共12頁(yè)。 完全純凈的、不含其他雜質(zhì)且具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。常用的半導(dǎo)體材料是硅和鍺, 它們都是四價(jià)元素。將材料提純便形成單晶體，它的原子結(jié)構(gòu)為共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。當(dāng)溫度 T = 0 K 時(shí)，半導(dǎo)體不導(dǎo)電，如同絕緣體。1.結(jié)構(gòu)SiSiSiSi共價(jià)鍵價(jià)電子一、本征半導(dǎo)體第2頁(yè)，共12頁(yè)。 若T ，將有少數(shù)價(jià)電子克服共價(jià)鍵的束縛成為自由電子， 在原來(lái)的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位空穴。2.載流子半導(dǎo)體中存在兩種載流子：帶負(fù)電的自由電子；帶正電的空穴。自由電子與空穴是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,兩種載流子的濃度相等。ni=pi本征激發(fā)復(fù)合動(dòng)態(tài)平衡本征半導(dǎo)體中：空穴SiSiSiSi自由電子第3頁(yè)，共12

2、頁(yè)。摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體：N 型半導(dǎo)體P 型半導(dǎo)體SiSiP+Si多余電子Si（+4）+硼原子（+3）Si（+4）+磷原子（+5）空穴數(shù)量自由電子導(dǎo)電能力SiSiSiB+3空穴二、雜質(zhì)半導(dǎo)體第4頁(yè)，共12頁(yè)。1、 N 型半導(dǎo)體(Negative)（電子型半導(dǎo)體）半導(dǎo)體中摻入五價(jià)元素構(gòu)成.多子：自由電子少子：空穴五價(jià)：磷、銻、砷2、 P 型半導(dǎo)體(Positive)半導(dǎo)體中摻入三價(jià)元素構(gòu)成.多子：空穴少子：自由電子（空穴半導(dǎo)體）三價(jià)：硼、鎵、銦5 價(jià)雜質(zhì)原子稱為施主原子。3 價(jià)雜質(zhì)原子稱為受主原子。第5頁(yè)，共12頁(yè)。說(shuō)明：1. 摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決定少數(shù)載流子的濃度。3. 雜質(zhì)半

3、導(dǎo)體總體上保持電中性。2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子的數(shù)目要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)體，因而其 導(dǎo)電能力大大改善。P型半導(dǎo)體：空穴=自由電子+負(fù)離子數(shù)N型半導(dǎo)體：自由電子=空穴+正離子數(shù)4. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的表示方法如下圖所示。(a) N 型半導(dǎo)體(b) P 型半導(dǎo)體第6頁(yè)，共12頁(yè)。1.2 PN 結(jié) 在一塊半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為P型半導(dǎo)體,另一側(cè)摻雜成為N 型半導(dǎo)體,兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層,稱為PN 結(jié)。 PNPN結(jié)一、PN 結(jié)的形成第7頁(yè)，共12頁(yè)。 PN 結(jié)中載流子的運(yùn)動(dòng)耗盡層空間電荷區(qū)PN1. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)2. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成空間電荷區(qū)電子和空穴濃度差形成多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 PN 結(jié)，耗盡

4、層。PN8第8頁(yè)，共12頁(yè)。3. 空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)PN空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)Uho空間電荷區(qū)正負(fù)離子之間電位差 Uho 電位壁壘；N區(qū)到P區(qū) 內(nèi)電場(chǎng)；內(nèi)電場(chǎng)阻止多子的擴(kuò)散 阻擋層。4. 漂移運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)有利于少子運(yùn)動(dòng)漂移。 阻擋層9第9頁(yè)，共12頁(yè)。5. 擴(kuò)散與漂移的動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)增大；隨著內(nèi)電場(chǎng)的增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)逐漸增加；當(dāng)擴(kuò)散電流與漂移電流相等時(shí)，PN 結(jié)總的電流等于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)到穩(wěn)定。即擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。第10頁(yè)，共12頁(yè)。二、 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?. PN結(jié) 外加正向電壓時(shí)又稱正向偏置，簡(jiǎn)稱正偏。外電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向耗盡層VRI空間電荷區(qū)變窄，有利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，電路中有較大的正向電流。PN什么是PN結(jié)的單向?qū)щ娦?？有什么作用?1限流電阻處于導(dǎo)通狀態(tài)第11頁(yè)，共12頁(yè)。2. PN 結(jié)外加反向電壓時(shí)12耗盡層PN外電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向VRIS反向接法:外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向一致，增強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)的作用；外電場(chǎng)使空間電荷區(qū)變寬；漂移擴(kuò)散